Приборы полупроводниковые. Общие технические условия
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые приборы, излучающие диоды и оптопары производственно-технического назначения и народного потребления, изготовляемые для народного хоз...
Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий полупроводниковых приборов. Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации...
Приборы полупроводниковые. Приемники лучистой энергии фотоэлектрические. Классификация и система обозначений
Настоящий стандарт распространяется на неохлаждаемые и охлаждаемые фотоэлектрические полупроводниковые приемники лучистой энергии и устанавливает классификацию и систему единого обозначения...
Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик
Настоящий стандарт распространяется на фотоэлектрические полупроводниковые приемники излучения (ФЭПП) и фотоприемные устройства (ФПУ) на их основе, чувствительные к излучению в диапазоне дли...
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые приборы в корпусах и устанавливает их габаритные и присоединительные размеры. Стандарт не распространяется на селеновые приборы, терм...
Устройства термоэлектрические полупроводниковые. Термины и определения
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых термоэлектрических устройств. Термины, установленные ста...
Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и устанавливает метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации
Стабилитроны полупроводниковые прецизионные. Метод измерения времени выхода на режим
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые прецизионные стабилитроны, имеющие нормированную временную нестабильность напряжения стабилизации и устанавливает метод измерения вре...
Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и стабисторы и устанавливает метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации
Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения дифференциального сопротивления
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и устанавливает два метода измерения дифференциального сопротивления: на переменном токе; на постоянном токе
Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения спектральной плотности шума
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и устанавливает два метода измерения спектральной плотности шума: метод 1 применяют при измерении спектральной плотности...
Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования
Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и...
Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств и термины...
Инверторы полупроводниковые. Общие технические условия
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инверторы на напряжение до 1 кВ с частотой до 10000 Гц, номинальными токами на выходе до 10 кА, изготовляемые для нужд народного хозя...
Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний
Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы, кроме арсенид-галлиевых приборов, диоды, тиристоры на максимально допустимые средние или действующие токи 10А и боле...
Преобразователи частоты полупроводниковые. Общие технические требования
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые преобразователи частоты (непосредственные и двухзвенные) с выходными токами от 0,004 до 25000 А, выходными напряжениями от 6 до 20000...
Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых излучателей, оптопар, оптоэлектронных переключателей логических сигналов, оптоэлект...