ГОСТ 20859.1-89

Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й  С Т А Н Д А Р Т
                                           С О ЮЗ А    ССР




                                 ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
                                          СИЛОВЫЕ
                                   ОБЩИЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ТРЕБОВАНИЯ

                                            ГОСТ 2 0 8 5 9 .1 -8 9
                                           (СТ СЭВ 1 1 3 5 - 8 8 )

                                            Издание официальное
2— 89/98
БЗ
10 коп.




                                 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ
                                                   Москва

       квартиры от застройщика

УДК 6 2 1.362 : 006.3.4                                                    Груг** E6S
Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й               СТАН Д API           С О ЮЗ А       с С Р



        ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
                 СИЛОВЫЕ
                                                                     гост
                                                                  20859.1-89
            Общие технические требования
              Power semiconductor devices
              General technical requirements                  (C T С Э В 1135— 88)

СКП 34 1700

                                                           Срок действия     с 01.01.90
                                                                            до 01.01.05
                 Несоблюдение стандарта преследуется по >акону

   Настоящий стандарт распространяется на силовые полупро­
водниковые приборы обшего назначения — диоды, трнодные ти­
ристоры. биполярные (в том числе составные) транзисторы, по­
левые транзисторы (далее — приборы) и модули всех видов на
максимально допустимые средние, действующие, импульсные или
постоянные токи 10 А и более, предназначенные для”применения
в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также
в других пенях постоянного и переменного тока различных сило­
вых электро 1ехнических установок.
   Настоящий стандарт не распространяется на приборы и моду­
ли, работающие:
    1) в с р е д а х с т о к о п р о в о д я щ ей пылью;
   2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих ме­
таллы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока служ­
бы;
    3) во взрывоопасной среде;
    4) в условиях воздействия различных повреждающих прибо­
ры и .модули излучений.
   Термины, применяемые в настоящем стандарте, и их поясне­
ния — по ГОСТ 15133. ГОСТ 25529, ГОСТ 20332. ГОСТ 20003 и
приложению I.

                          I. ТЕХНИЧЕСКИЕ ТРЕБОВАНИЯ

   1.1.    Приборы и модули должны изготавливать в соответствии
с требованиями настоящего стандарта и технических условий на


Итданме официальное                                          Перепечатка воспрещена
                                           ig? Издательство стандартов, 1989

С. 2 ГОСТ 2 7 8 3 9 .I-3 9

приборы и модули конкретных типов по конструкторской и техно­
логической документации, утвержденной в установленном порядке.
    1.2. Внешний вид приборов и модулей должен соответствовать
эталонным образцам, утвержденным в установленном порядке.
   1.3. Т р е б о в а н и я к к о н с т р у к ц и и
    1.3.1. Габаритно-присоединительные размеры приборов и мо­
дулей должны соответствовать требованиям ГОСТ 23900, ГОСТ
27591 и технических условий на приборы и модули конкретных
типов.
   1.3.2. Масса приборов и модулей не должна превышать значе­
ний. установленных в технических условиях на приборы н модули
конкретных тиков.
   1.3.3. Герметичность приборов и модулей должна соответство­
вать нормам, установленным в технических условиях на приборы
и модули конкретных типов.
   1.3 4. Выводы электродов, включая места их присоединения к
прибору и модулю, должны быть прочно закреплены и выдержи­
вать без механических повреждений и нарушения электрического
контакта механические усилия, установленные в технических ус­
ловиях на приборы и модули конкретных типов.
    1.3.5. Приборы таблеточной конструкции, предназначенные для
эксплуатации со съемными охладителями, должны выдерживать
многократную сборку с охладителями и разборку. Сборку прибо­
ров с охладителями’ проводят з соответствии с требованиями по
монтажу и эксплуатации приборов, прячем значение крутящего
момента или усилия сжатия должно соответствовать нормам, ус­
тановленным в технических условиях на приборы конкретных
ТИГСГ
    1.4. Т р е б о в а н и я к э л е к т р и ч е с к и м п а р а м е т р а м
    1.1 1. Номенклатура н значения параметров и характеристик
приборов должны соответствовать требованиям нормативно-тех­
нической документации на предельно допустимые параметры и
характеристики и устанавливаться в технических условиях иа
приборы конкретных типов.
   Номенклатура и значения параметров и характеристик моду­
лей должны выбираться (в зависимости от входящих в модуль
силовых полупроводниковых элементов) из норматнвпо-тсхничсс-
ких документов на предельно допустимые параметры и характе­
ристики приборов и устанавливаться в технических условиях на
модули конкретных типов.
   1.4.1.1. Значения максимально допустимого тока (среднего,
действующего, импульсного или постоянного) выбирают из ряда
R 10 10; 12.5; 16; 20; 25; 32; 40; 50; <>3; 80 и 100 А. Для токов более
100 А их значения должны быть установлены умножением соот­
ветствующих значений данного ряда на 10 или 100.

гост ui'Wg.i-s» с. з

    1.4.1.2.  Значения повторяющегося импульсного обратною на­
пряжения, повторяющегося импульсного напряжения в закрытой
состоянии, максимально допустимого напряжения коллектор-
эмиттер при разомкнутой цепи базы и соответствующие им клас­
сы устанавливают в соответствии с табл. I.
                                                                              Таблица I

         Классы                 W     03*       ел*   j   Oi      в.е*          W         <44*      ■

  Повторяющееся импульс­
ное обратное нанряжеиис,
повторяющееся     импульс­
ное напряженке в закры­
том состоянии, максималь­
но допустимое напряже­
ние холдехтор-змитгер при
разомкнутой цепи базы.
В. ьс менее                     20     30                 50         60   70    80        00       100

                                                                     Продолжение тлбл. 1

         Классы              I 1.5“                                                  .5        к


  Повторяющееся импульс-
кое обратное напряжение, (
повторяющееся импульсное
напряжение    в закрытом I
состоянии,    максимально |
допустимое     напряжение,
коллектор-эмиттер при ра-1
«ткнутой цепи базы. В
не менее                   ■ 130      W      250 j 30o[ 350 I 400 13 0 0 ..      1500            1600
                           I
                                                                     Продолжение i ибл. 1

         Классы                        ■в                      ас.                        во


  Повторяющееся импульс-
ное обратное напряжение,
повторяющееся     импульс­
ное напряженке в закры­
том состоянии, махеималь- I
но допустимое напряжение I
коллектор змиттср при ра­
зомкнутой цепи базы. В, |
не менее                              1800            {    2000   . .     I      8000

   • Только для диодов Шотгки и быстровоссганавливаюшихся диодов,
  ** зстанавливамт по согласованию с потребителем.