Межгосударственный стандарт
ГОСТ 27299-87
Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
Semiconductor optoelectronic devices. Terms, definitions and letter symbols of parameters
Редакционная карточка ГОСТНОРМ. Полный текст публикуется только при подтверждённом праве использования. Метаданные сверяются по нескольким источникам.
Область применения
Область применения пока не подтверждена.
1
Страница 1
Группа ЭОО
М Е Ж Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й С Т А Н Д А Р Т
П РИ БО РЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫ Е
ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ
Термины, определения и буквенные обо значения параметров ГОСТ
Semiconductor optoelectronic devices. 27299-87
Terms, definitions and letter symbols o f parameters
MKC 01.040.31
31.080
ОКСТУ 6201
Дата введения 01.07.88
Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения параметров
полупроводниковых излучателей, оптопар, оптоэлектронных переключателей логических сигналов,
оптоэлектронных коммутаторов аналогового сигнала и оптоэлектронных коммутаторов нагрузки.
Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для
применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия стандартизации
или использующих результаты этой деятельности.
1. Стандартизованные термины, буквенные обозначения и определения приведены в табл. I.
2. Дтя каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-сино
нимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы
приведены в табл. 1 в качестве справочных и обозначены пометой «Ндп».
2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл. 1 приведены в качестве справочных крат
кие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного
толкования.
2.2. Приведенные определения можно при необходимости изменять, вводя в них производные
признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие вобьем и
содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
2.3. В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия,
определение не приведено и в графе «Определение* поставлен прочерк.
2.4. В табл. 1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизован
ных терминов на английском языке.
3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском и английском языках
приведены в табл. 2 и 3.
4. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма —светлым, а
недопустимые синонимы — курсивом.
Издание официальное Перепечатка воспрещена
★
154
черное кружево2
Страница 2
ГОСТ 27299-87 С. 2
Таблица 1
Буквенное обозн ач ен и е
Терм ин О п р едел ен и е
отеч ествен ное м еж дунар одное
ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ
1. 1lOTOK lit.имения ♦ ,и П о ГОСТ 7601
Фс
Radiant flux
2. М ощность и мучения Суммарный поток излучения на вы
Ре Ре
полупроводникового и злуча- ходе полупроводникового излучателя
теля
Мощность излучения
Radiant power
3. Сила излучения По ГОСТ 7601
к 'е
Radiant intensity
4. Энергетическая яркость По ГОСТ 7601
Lc L<
Radiance
5. Диаграмма направленно Диаграмма, характеризующая про
сти излучения полупроводни странственное распределение излуче
кового и мучителя ния от полупроводникового излучате
Диаграмма направленно ля относительно его оптической оси
сти излучения
Radiation diagram
6. Угол излучения полупро 0 Плоский угол, содержащий оптичес
Ъ
водникового излучателя кую ось патупроволиико 1юго излучате
Угол излучения ля и образованный направлениями, в
Half-intensity beam которых сила излучения больше или
равна половине ее максимального зна
чения
7. Длина волны максимума Длина волны, соответствующ ая
излучения полупроводниково \ максимуму спектральной плотности
го имучатсля потока излучения полупроводникового
Длина волны излучения излучателя
Peak emission wavelength
8 . Ширина спектра излуче лк Интервал длин волн, в котором
ния полупроводникового из спектральная плотность мощности из
лучателя лучения больше или равна патовине ее
Ширина спектра максимального значения
Spectral radiation band
width
9. Длительность импульса Интервал времени, в течение кото
'„на
излучения полупроводниково рого сила излучения полупроводнико
го имучатсля вого излучателя больше или равна по
Длительность импульса ловине ее максимального значения
излучения
10. Оптическая ось полу Линия, по отнош ению к которой
проводникового излучателя отцентрирована диаграмма направлен
Оптическая ось ности полупроводникового излучателя
Optical axis
11. Геометрическая ось по Воображаемая линия, по отнош е
лупроводникового излучателя нию к которой отцентрирован корпус
Геометрическая ось полупроводникового излучателя
Mechanical axis
12. Угол расхождения о а Угол между оптической и геометри
Squinting angle ческой осями полупроводникового из
лучателя
13. Постоянный прямой Значение постоянного тока, проте
'пр 'г
ток полупроводникового из кающего через полупроводниковый из
лучателя лучатель в прямом направлении
Постоянный прямой ток
Continuous (direct) for
ward current
16-2' 1553
Страница 3
С. 3 ГОСТ 27299-87
Продолжение таб.1. I
Буквенное обозначение
Термин Определение
отечественное м еж дун ар одн ое
14. Импульсный прямой Aip.и •ш Наибольшее мгновенное значение
ток полупроводникового по прямого тока, протекающего через по
лучателя лупроводниковый излучатель, при за
Импульсный прямой ток данной скважности и длительности им
Peak forward current пульса
15. Средний прямой ток по Aipcp A<AV| Среднее за период значение прямо
лупроводникового получателя го тока, протекающего через полупро
Средним прямой ток водниковый излучатель
Average forward current
16. Постоянный обратный Алр /к Значение постоянного тока, проте
ток полупроводникового из кающего через полупроводниковый из
лучателя лучатель в обратном направлении при
П остоянны й обратный заданном обратном напряжении
ток
Reverse continuous current
17. Посгоянное прямое на и. Значение постоянного напряжения
пряжение полупроводниково па полупроводниковом излучателе при
го излучателя заданном постоянном прямом токе
Постоянное прямое на
пряжение
Continuous (direct) for
ward voltage
18. Импульсное прямое на t'npu Наибольшее мгновенное значение
пряжение полупроводниково прямого напряжения на полупроводни
го излучателя ковом излучателе при заданном импуль
Импульсное прямое на сном прямом токе
пряжение
Maximum peak forward
voltage
19. Постоянное обратное "к Значение постоянною напряжения,
напряжение полупроводнико приложенного к полупроводниковому
вою излучателя излучателю в о б р а т о м направлении
П о ст о я н н о е о б р а т н о е
напряжение
Reverse continuous voltage
20. Импульсное обратное ^оОр.и Наибольшее мгновенное значение
напряжение полупроводнико обратною напряжения на полупровод
вого излучателя никовом излучателе
И м пульсн ое обр ат н ое
напряжение
Peak reverse voltage
21.11анряжснис пробои по *W > Значение обратного напряжения,
лупроводникового излучателя вызывающего пробой перехода, при
Напряжение пробоя котором обратный ток через полупро
Breakdown voltage водниковый излучатель превышает -за
данное значение
22. Общая емкость полу С С,о, Значение емкости между выводами
проводникового излучателя полупроводниковою излучателя при за
Общая емкость данных напряжении смешения и часто
Total capacitance те
23. Емкость перехода полу Значение емкости между выводами
Сщ р С)
проводникового излучателя полупроводникового излучателя без
Емкость перехода емкости корпуса при заданных напря
жении смещения и частоте
1564
Страница 4
ГОСТ 27299-87 С. 4
Продолжение табл. I
Буквенное обозн ач ен и е
Т ерм ин О п р едел ен и е
отеч ествен ное м еж дунар одное
24. Динамическое сопро D Значение сопротивления, определя
'b u ll
тивление полупроводниково емое по наклону прямой, аппроксими
го излучателя рующей волы-амперную характеристи
Динамическое сопротив ку полупроводникового излучателя при
ление заданном прямом токе
Dynamic resistance
25. Средняя рассеиваемая p pic.cp Среднее за период значение мощно
' av
мощность полупроводниково сти. рассеиваемой полупроводниковым
го излучателя излучателем при протекании тока в пря
С редняя рассеиваемая мом и обратном направлениях
мощность
Average power dissipation
26. Импульсная рассеивае p
я рас.и Наибольшее мгновенное значение
мая мощность полупроводни мощности, рассеиваемой полупровод
кового излучателя никовым излучателем при подаче им
Импульсная рассеивае пульсов с заданной длительностью и
мая МОЩНОСТЬ скважностью
Maximum peak power
27. Время нарастания им Aip.Bt f, Интервал времени, в течение кото
пульса излучения полупровод рого сила излучения полупроводнико
никового излучателя вого излучателя изменяется от 10 до
Время нарастания им ‘>0 % своего максимального значения
пульса
Rise time
28. Время спада импульса Vn.m 'r Интервал времени, в течение кото
и «лучения полупроволи иково- рого сила излучения полупроводнико
го излучателя вого излучатели изменяется от 90 до
Время спада импульса 10 % своего максимального значения
Fall time
29. Время задержки при TUT •л Интервал времени между 10 % зна
включении импульса излуче чения импульса тока и 10 % значения
ния полупроводникового из импульса силы излучения полупровод
лучателя никового излучателя, измеренный по
Время задерж к и при фронту импульсов
включении
Е. Tum-on delay time
30. Световой поток Ф. 4>v По ГОСТ 7601
Luminous flux
31. Тепловое сопрогиатснис ^nCp-KOJ> -ю Отношение разности эффективной
полупроводникового излуча температуры перехода и температуры
теля контрольной точки на корпусе полупро
Тепловое сопротивление водникового излучателя к рассеиваемой
Total thermal resistance мощности излучателя в установившем
ся режиме
32. Температурный козффи- «6, Отношение относительного измене
ииснт прямого напряжения <4p ния прямого напряжения полупровод
полупроводникового излуча никового излучателя к вызвавшему его
теля абсолютному изменению температуры
Температурный коэффи окружающей среды
циент прямого напряжения
Forward voltage tem p e
rature coefficient
157Показаны первые 4 из 17
История статуса
Подтверждённых событий пока нет.