ГОСТ 15133-77

- h



                                          Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й          С Т А Н Д А Р Т
                                                         С О Ю З А       С С Р




                                          ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
                                                      ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

                                                           ГОСТ   15133— 77

                                                         1СТ   СЭВ   2767— 85)



                                                         Издание официальное
Цен* 15 коп.




                                               ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ
                                                                Москва



               экспертиза строительства

УДК 001.4 : 611.381: 006.354                                                    Группа Э00

Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й              С Т А Н Д А Р Т         С О Ю З А         ССР



           ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
                                                                        ГОСТ
                 Термины и определения
                                                                    1 5 1 3 3 — 77*

      Semiconductor devices. Terms and definitions
                                                                 |СТ СЭВ 2767—85)
                                                                        Взамен
ОКСТУ 6201                                                           ГОСТ 15633—69


Постановлением Государственного комитете стандартов Совета Министров СССР
от 27 апреля 1977 г. Н» 1061 срок введения установлен
                                                                 с 01.07.78


    Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке,
технике и производстве термины и определения полупроводни­
ковых приборов.
    Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны
для применения в документации всех видов, учебниках, учебных
пособиях, технической н справочной литературе.
    Стандарт соответствует СТ СЭВ 2767—85, за исключением тер­
минов, указанных в справочном приложении.
    Для каждого понятия установлен одни стандартизованный тер­
мин. Применение терминов-синонимов стандартизованного терми­
на запрещается. Недопустимые к применению термины-синонимы
приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп».
    Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте при­
ведены в качестве справочных краткие формы, которые разреша­
ется применять в случаях, когда исключена возможность их раз­
личного толкования.
    В стандарте в качестве справочных приведены иностранные
эквиваленты на немецком (D), английском (Е) и французском (F)
языках.
    В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся
в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивален­
тов.
    Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом,
их краткая форма — светлым, недопустимые синонимы — курси­
 вом.
    (Измененная редакция, Изм. № 2),
Издание официвлш оо                                              Перепвчвткв воспрещена

    ♦ Переиздание (январь 1987 г.) с Изменениями Л5 /, 2. 3. утвержденными
      о июне 1980 г., июне 1982 г.; Пост. Л* 2544 от 28.06.82. октябре 1986 г.
                           (ИУС 9 - 8 0 . 10—82, 1 - 8 7 ) .
                                          © И з д а т е л ь с т в о с т а н д а р т о в , 1987

С тр . 2 ГОСТ 15133—77




                 Тгеиин                               Определение

                 Физические элементы полупроводниковых приборов
 1. Электрический переход                 Переходный слой в полупроводнике
    Переход
                                        материале между двумя областями с
    D. Elcktrischcr C bergang           различными типами электропроводности
    (Sperrschicht)                      или разными значениями удельной здек-
    Н. Junction                         грической проводимости.
    F. Jonction
                                           П р и м е ч а н и е . Одна из областей
                                         может быть металлом
 2. Элекгропио-дырояиый переход          Электрический переход между двумя
    р -n переход                       областями полупроводника, одна из ко­
    D. pn-Gbergang                     торых имеет электропроводность л-ги-
    E. P-N junction                    па. а другая р-типа
    F. Jonction P-N
 3 Электронно-электронный переход        Электрический переход между двумя
   n-n+ переход                        областями полупроводника л-тмпа. об­
   D. nn+ Dhcrgang                     ладающими     различными   значениями
   E. N-N* junction                    удельной   электрической проводимости
   F. Jonction N-N*
 4.     Дырочно-дырочный переход         Электрический переход между двумя
      P-P* переход                     областями полупроводника p -типа, обла­
      D. pp+-Dbcrgang                  дающими различными значениями удель­
      E. P -P * junction               ной электрической проводимости
      F. Jonction P -P *                   П р и м е ч а н и е . В терминах 3 и 4
                                         < (-» условно обозначает область с
                                         более высокой удельной электричес­
                                         кой проводимостью
 5.     Резкий переход                   Электрический переход, в котором тол­
      D. Stciler Dbergang              щина области изменения концентрации
      E. Abrupt junction               примеси значительно меньше толщины
      F. Jonction abrupte              области пространственного заряда.
                                            Примечание.       Под толщиной
                                         области понимают сс размер в направ­
                                         лении градиента концентрации приме­
                                         си
 6. Плавный переход                      Электрический переход, в котором тол­
    D. Stetiger Ubcrgang               щина области изменения концентрации
    F. Graded junction                 примеси сравнима с толщиной области
    F. Jonction graduelle              пространственного заряда
 7. Плоскостной переход                  Электрический переход, у которого ли­
    D. FlachenObergang                 нейные размеры, определяющие его пло­
    E. Surface junction                щадь. значительно больше толщины
    F. Jonction de p ar surface
 8 Точечный переход                      Электрический переход, все размеры
    D. PunktGbergang                   которого меньше характеристичесчой
    E. Point-contact junction          длины, определяющей физические про­
    F. Jonction к pointe               цессы в переходе и з окружающих его
                                       областях.

ГОСТ 151)1—77 Сто. 3



             Тсрммя                              Определение


                                       Примечание.         Характеристиче­
                                     ской длиной может быть толщина об­
                                     ласти пространственного заряда, диф­
                                     фузионная длина и т. д.
9 Диффузионный переход               Электрический переход, полученный в
   D. D iifundierter Obergang      результате диффузии атомов примеси в
    E. Diffused junction           полупроводнике
   F. Jonction a diffusion
10. Планарный переход                Диффузионный переход, образованный
     D. P ianariibcrgang           н результате диффузии примеси сквозь
     E. P lanar junction           отверстие в защитном слое, нанесенном
     F . Jonction planar           на поверхность полупроводника
11. Конверсионный переход             Электрический переход, образованный
     D. Konversionstibergang       в результате конверсии полупроводника,
     E. Conversion junction        вызванной обратной диффузией приме­
     F. Jonction de conversion     си в соседнюю область, или активацией
12. Сплавной переход               атомов примеси
     11дп. Вплавной переход           Элехтричссхий переход, образованный
     1). Legiertcr Obergang        в результате вплавления в полупровод­
     Е Alloyed Junction            ник и последующей рекристаллизации
     F. Jonction allie             металла или сплава, содержащего до­
 13. Микросплавной переход         норные и (или) акцепторные примеси
     Ндп. Микровплавной переход       Сплавной переход, образованный в
     D. M ikrolegiertcr Obergang   результате вплавлениа на малую глуби­
     E. Micro-alloy junction       ну слоя металла или сплава, предвари­
     F. Jonction microalli*        тельно нанесенного на поверхность по­
 14. Выращенный переход            лупроводника
     Ндп. Тянутый переход             Электрический переход, образованный
     D. Gezogener Obergong         при выращивании полупроводника из
     E. Grown junction              расплава
     F. Jonction de croissance
15. Эпитаксиальный переход           Электрический переход, образованный
    D. Epitaxieubergang            эпитаксиальным наращиванием.
    E. Epitaxial junction              Примечание.         Эпитаксиальное
    F. Jonction fcpltaxiale          наращ ивание— создание на монокри-
                                     сталлнческой подложке слоя полупро­
                                     водника. сохраняющего кристалличе­
                                     скую структуру подложки
16. Гетерогенный переход             Электрический переход, образованный
    Гетеропереход                  в результате контакта полупроводников
    D. Heteroubcrgang              с различной шириной запрещенной зоны
    E. Heterogenous junction
    F. Jonction WtSrogcne
17. Гомогенный переход               Электрический переход, образованный
    Гомопереход                    в результате контакта полупроводников
    D. Homogener Obergang          с одинаковой шириной запрещенной зо­
    E. Homogenous junction         ны
    F. Jonction homogene
18. Переход Шотгкн                   Электрический переход, образованный
    D. Scbotlky-Cbergang           в результате контакта между металлом
    E. Schottky junction           и полупроводником
    F. Jonction Schottky