ГОСТ 21934-83

Группа >00

                 М    Е   Ж    Г   О   С    У    Д   А   Р   С   Т   В   Е     Н   Н   Ы   Й        С   Т   А    Н   Д   А   Р   Т

                         П Р И Е М Н И К И И ЗЛ У Ч Е Н И Я П О Л У П Р О В О Д Н И К О В Ы Е
                     Ф О Т О Э Л Е К Т Р И Ч Е С К И Е И Ф О Т О П Р И Е М Н Ы Е У СТРО Й С ТВА
                                                                                                                   ГОСТ
                                                Термины и определения
                                                                                                                2 1 9 3 4 -8 3
                                Semiconducting photoelectric detectors and receiving
                                               photoelectric devices.
                                                                                                                   Взамен
                                              Terms, and definitions
                                                                                                            ГОСТ 21934-76,
                 MKC 01.(MO.31                                                                              ГОСТ 22899-78
                     3I.0S0
                 ОКСТУ 6250

                 Постановленном Государственного комитета СССР по стандартам от 25 апреля 1983 г. № 2043 дата введения
                 установлена
                                                                                                              01.07.84


                       Н астоящ ий стандарт устанавливает прим еняем ы е в науке, технике и производстве термины и
                 опр еделения ф отоэлектрически х полупроводниковы х п р и ем н и к ов излучения и ф отоп ри ем н ы х уст­
                 ройств и термины , определения и буквенны е обозн ачени я ф отоэлектрических параметров и характе­
                 ристик.
                       Термины и буквенны е обозн ачени я, установленны е стандартом, обязательны для прим енения в
                 докум ентации всех видов, научно-техни ческ ой, учебной и справочной литературе.
                       Стандарт соответствует С Т С Э В 2767—80 в части фотоэлектрических полупроводниковых прием­
                 ников излучения (см . прилож ени е 2) и С Т С Э В 3787—82 в части раздела 2.
                       Для каждого понятия установлен од и н стандартизованный термин.
                       П рименение терминов—синон им ов стандартизованного термина запрещается.
                       Для отдельных стандартизованны х терм ин ов в стандарте приведены в качестве справочны х крат­
                 кие ф ор м ы , которые разреш ается применять в случаях, исклю чаю щ их возм ож н ость их различного
                 толкования. Установленные определения м ож н о, при н еобходим ости, изменять п о ф орм е ихтож ения,
                 не допуская наруш ения границ понятии.
                       В стандарте в качестве справочны х приведены иностранны е эквиваленты для ряда стандартизо­
                 ванных тер м ин ов на нем ец к ом ( D ). английском (Е ) и ф ран цузском (F ) языках.
                       В стандарте им еется прилож ение 1, содерж ащ ее общ и е понятия, используем ы е в области ф о то -
                 электрических полупроводниковы х прием ников нхзучення и ф отоприем ны х устройств.
                       С тандартизованны е термины набраны полужирным ш риф том , их краткая ф орм а — светлым.

                                                                 Буквенное обозначение
                                   Термин                                    межлуна*                    Определение
                                                                  русское
                                                                               родное
                   1. Фигочувствительный полупроводнико­                                      Полупроводниковый прибор, чув­
                 вый прибор                                                                ствительный к электромагнитному излу­
                      D. Photocmplindlichcs Halblcitcrbaucle-                              чению в видимой, инфракрасной и (или)
                         ment                                                              ультрафиолетовой областях спектра
                      E. Photosensitive semiconductor device
                      F. Dispositif sciniconductcur photosen-
                         siblc
                   2. Фотоэлектрический полупроводнико­                                       Фоточувсгвительный полупроводни­
                 вый приемник излучения                                                    ковый прибор, принцип действия кото­
                      ФЭПП                                                                 рого Основан на внутреннем фото эффек­
                      D. Halbleitcrphotoelcment                                            те в полупроводнике
                      E. Photoelectric semiconductor detector
                      F. Detecteur d scmi-conductcur photo-
                         elect rique

                 Издание официальное                                                               Перепечатка воспрещена
                       *
                                 Издание с Изменением № /, утвержденным в августе I9S4 г. ( И УС 12—84}.
                                                                         134



кружева москва

ГО СТ 2 1 9 3 4 - 8 3 С . 2


                                             Букценное обозначение
                 Тернии                                  междуна*                  Определение
                                              русское
                                                           родное

  3. Фотон рисмнос устройство                                           Фоточувствитсл ьн ый полупроводни­
     ФПУ                                                             ковый прибор, состоящий из фотоэлект­
                                                                     рического полупроводникового приемни­
                                                                     ка излучения и схемы предварительного
                                                                     усиления фотосигнала в гибридном или
                                                                     интегральном исполнении, объединен­
                                                                     ных в единую конструкцию

       ВИДЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИЕМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ

  4. Многоспсктральный фотоэлектричес­                                  Фотоэлектрический полупроводнико­
кий полупроводниковый приемник ииуче-                                вый приемник излучения, содержащий
ния                                                                  два и более фоточувствтсльных элемен­
  Многоспектральный ФЭПП                                             тов с различными диапазонами спект­
     D. Multispcktralphotocmp&nger                                   ральной чувствительности
     E. Multi-band photodetector
     F. Photodctecteur a plusicurs gammes
  5. Одноэлементный фотоэлектрический                                   Фотоэлектрический полупроводнико­
полупроводниковый приемник излучения                                 вый приемник излучения, содержащий
  Одноэлементный ФЭПП                                                один фогочувсгвитсльный элемент
     D. Einclemcntphotoemplangcr
     E. Single-element detector
     F. Dctccteur a clement unique
  6. Мноюэлементный фотоэлектрический                                   Фотоэлекпричсский полупроводнике-
полупроводниковый приемник излучения                                 вый приемник излучения с числом фо­
  Многоэлементный ФЭПП                                               тому вс тигельных элементов больше од ­
     D. Viclclemcntphotocmpflinger                                   ного.
     E. Multi-clement detector                                          П р и м с ч а и и с. Допускается при­
     F. Dctccteur multiple                                              менять термин «двух-, грех-, четы-
                                                                        рехэлементный» фотоэлектрический
                                                                        полупроводниковый приемник излу­
                                                                        чения
  7. Коорлннагиыи фотоэлектрический по­                                 Фотоэлектрический полупроводнико­
лупроводниковый приемник и {лучения                                  вый приемник излучения, но выходу сиг­
  Координатный ФЭПП                                                  нала которого определяют координаты
     D. Ortscmpfindlichcr Photoempfangcr                             светового пятна на <|югочувствитсльной
     E. Position-sensitive detector                                  поверхности
  8. Гетеродинный фотоэлектрический по­                                 Фотоэлектрический полупроводнико­
лупроводниковый приемник и {лучения                                  вый приемник излучения, предназначен­
  Гетеродинный ФЭПП                                                  ный для гетеродинного приема излуче­
     D. L be rtage ш ngspliotoc mpfanger                             ния
     E. Heterodyne detector
     F. Dctccteur heterodyne
  9. И м мерсионны й фотоэлектрический по­                             Фотоэлектрический полупроводнико­
лупроводниковый приемник излучения                                   вый приемник излучения, содержащий
  Иммерсионный ФЭПП                                                  иммерсионный сигнат
     D. Immersioraphotoempfengcr
     E. Immersed detector
     F. Dctccteur a immersion
 10. Фоторсзистор                                                       Фотоэлектрический полупроводнико­
     D. Pholowiderstand                                              вый приемник излучения, принцип дей­
     E. Photoconductivc cell                                         ствия которого основан на эффекте фо­
     F. Cellule photoinductivc                                       топроводимости




                                                    135

С . 3 ГОСТ 2 1 9 3 4 - 8 3


                                           Ьу»:Mel!not обозначение
                     Термин                              междуна­                 Определение
                                            русское
                                                           родное

 11. Фотодиод                                                           Полупроводниковый диод с р—п пе­
     D. Photodiode                                                   реходом между двумя типами полупро­
     E. Photodiode                                                   водника или между полупроводником и
     F. Photodiode                                                   металлом, в котором поглощение излу­
                                                                     чения, происходящее в непосредствен­
                                                                     ной близости перехода, вы зывает фото­
                                                                     гальванический эффект
 12. p—i—n фотодиод                                                     Фотодиод, дырочная и электронная
     D. Pin-Photodiode                                               области которого разделены слоем ма­
     E. Pin-Photodiode                                               териала с проводимостью, близкой к
     F. Pin-Photodiode                                               собственной
 13. Фотодиод с барьером Шоггкн                                         Фотодиод, запирающий стой которо­
     D. Schottky-Photodiode                                          го образован контактом полупроводни­
     E. Schottky- Barrier-Photodiode                                 ка с металлом
 14. Фотодиод с гетеропереходом                                         Ф отодиод, электронно-дырочный
     D. Photodiode mit Hctcraiibcrgang                               переход которого образован двумя по­
     E. Heterojunction photodiode                                    лупроводниковыми материалами с раз­
                                                                     ной шириной запрещенной зоны.
                                                                        П р и м с ч а н и с. Переход может
                                                                        быть образован сложными полупро­
                                                                        водниковыми соединениями с изме­
                                                                        няющейся шириной запрещенной
                                                                        зоны
 15. Лавинный фотодиод                                                  Ф отодиод с внутренним усилием,
     D. Lawinenphotodiodc                                            принцип действия которого основан на
     E. Avalanche photodiode                                         явлении ударной ионизации атомов фо-
     F. Photodiode a avalanche                                       тоносителями в сильном электрическом
                                                                     поле
 16. Инжскцнонный фотодиод                                              Ф отодиод, работающий в режиме
     D. Injektionsphotodiode                                         внутреннего усиления фотосигнала за
     E. Injection photodiode                                         счет инжекции свободных носителей за­
     F. Photodiode d'injcction                                       ряда
 17. Фототранзнстор                           —            —            Транзистор, в котором использует­
     D. Phototransistor                                              ся фотоэлектрический -эффект
     E. Phototransistor
     F. Phototransistor
 IS. Полевой фототранзистор                                             Фототранзистор, фоточувствитсль-
     D. PhotofcldelTekttransistor                                    ный элемент которою содержит струк­
     E. Field effect phototransistor                                 туру полевого транзистора
     F. Phototransistor a effet dc champ
 19. Биполярный фототранзнстор                                          Фототранзнстор, фоточувствитсль-
     D. Bipolarphototransistor                                       ный элемент которого содержит струк­
     E. Bipolar phototransistor                                      туру биполярного транзистора
     F. Phototransistor bipolaire
 20. Охлаждаемый фотоэлектрический по­                                  Фотоэлектрический полупроводни­
лупроводниковый приемник излучения                                   ковый приемник излучения, работаю­
  Охлаждаемый ФЭПП                                                   щий со специальной системой охлажде­
     D. Gckdhlter Photoempfdngcr                                     ния для понижения температуры фото-
     E. Cooled detector                                              чувствитсльного элемента
     F. Photodetcctcur rcfroidi

                                  ВИДЫ ФОТОНРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ

 21. Одноэлементное фогоприемиос устрой­                                Фотоирисмнос устройство, в кото­
ство                                                                 ром используется одноэлементный ф о­
 Одноэлементное ФПУ                                                  тоэлектрический полупроводниковый
                                                                     приемник излучения

                                                   136

ГОСТ 2 1 9 3 4 - 8 3 С . 4


                                                               Буквенное обозначение
                         Термин                                            междуна­                  Определение
                                                                русское
                                                                             родное

 22. Мн»ГОЭЛСМС1ТГНОС ф о т оп р и см н ос у с т ­                                         Фотоприсмнос устройство, имеющее
рой ство с разделенны м и каналами                                                     два и более фоточувствитсльных элемен­
 М ногоэлсмстнос Ф11У с разделенными                                                   та, с независимой обработкой фотосиг­
каналами                                                                               нала, снимаемого с каждого элемента,
                                                                                       и числом выходов, равным числу фото-
                                                                                       чувствигельных элементов
 23. МнОГОЭЛСМС1ТГНОС ф о ю п р и с м н о с у с т ­                                        Фотоприсмнос устройство с числом
рой ство с внутренней комм утацией                                                     фоточувствитсльных элементов лва и
 Многоэлементное ФГ1У                   с внутренней                                   более, в котором происходит коммута­
коммутацией                                                                            ция их сигналов так, что выходов фого-
                                                                                       приемного устройства меньше, чем чис­
                                                                                       ло фоточувствитсльных элементов
  24. Многоспскзралыюс ф о ю п р и с м н о с уст­                                          Фотоприсмнос устройство, содержа­
рой ство                                                                               щее многосиектральный фотоэлектри­
  Многоспсктральное ФПУ                                                                ческий полупроводниковый приемник
                                                                                       излучения
 25. Ф оточувсгвн тельн ы й полупроводнико­                                                Фоточувствительный полупроводни­
вый ск ан истор                                                                        ковый прибор, принцип действия кото­
                                                                                       рого основан на внутреннем непрерыв­
                                                                                       ном сканировании паля изображения при
                                                                                       подаче на управляющие электроды при­
                                                                                       боры пилообразного напряжения раз­
                                                                                       вертки
  26. Охлаждаемое фотолрнемное устройство                                                  Фотоприсмнос устройство, в кото­
  Охлаждаемое ФПУ                                                                      ром для обнаружения и (или) измере­
                                                                                       ния оптического излучения использует­
                                                                                       ся охлаждаемый фотоэлектрический по­
                                                                                       лупроводниковый приемник излучения
  27. М о н о л и т н о е ф о ю п р и с м н о с устрой ств о                               Ф отоприсмнос устройство, выпол­
  Монолитное ФПУ                                                                       ненное единым технологическим циклом
                                                                                       на едином кристалле или подложке
  28. Г и бри дное ф о ю п р и с м н о с устрой ств о                                      Ф отоприсмнос устройство, выпол­
  Гибридное ФПУ                                                                        ненное объединением в единой интег­
                                                                                       ральной схеме частей, полученных пу­
                                                                                       тем различных технологических циклов

            РЕЖИМЫ РАБОТЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИЕМНИКА
                      ИЗЛУЧЕНИЯ И (ИЛИ) ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА

  29. Р еж и м ограничения флуктуациями чис­                                              Условия, при которых обнаружите.-]ь-
л а ф о т о н о в ф о н а ф о т оэл ек тр и ч еск ого п о ­                            ная способность фотоэлектрического
л упроводникового приемника излучения                                                  полупроводникового приемника излуче­
  Режим ОФ                                                                             ния определяется флуктуациями числа
      D. Durch Hintergrundquantcnlluktuation                                           фотонов теплового излучения фона
         begrcnzter Zustand dcs Photoemp-
         fangers
      E. Background limited photodetcctor
      F. Regime photodetecteur in frarouge li-
          mitc par Ic rayonnement ambiant
  30. Р еж и м оп ти ческ ой генерации ф о т о ­                                          Режим работы фотоэлектрического
элек три ческ ого полупроводникового прием ­                                           полупроводникового приемника излуче­
ника излучения                                                                         ния. при котором число свободных но­
  Режим ОГ                                                                             сителей заряда, генерированных излуче­
                                                                                       нием, превышает число термически ге­
                                                                                       нерированных носителей



I4 - 2U 3                                                              137