ГОСТ 17704-72

Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й    С Т А Н Д А Р Т
                                                    С О Ю З А      ССР


г




                                      ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ.
                                      ПРИЕМНИКИ ЛУЧИСТОЙ ЭНЕРГИИ
                                           ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ
                                         КЛАССИФИКАЦИЯ И СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ


                                                    ГОСТ 17704-72

                                                    Издание официальное
    Цене 3 коп.




                                             ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СТАНДАРТОВ
                                                    СОВЕТА МИНИСТРОВ СССР
                                                          Москве

      испытания зданий и сооружений

У Д К 611.38J.001.3JI08J.74)                                               Групп* 300

Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й            С Т А Н Д А Р Т        С О Ю З А      ССР


           ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ.
           ПРИЕМНИКИ ЛУЧИСТОЙ ЭНЕРГИИ
                ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ
                                                                    ГОСТ
          Классификация и сметам* обозначений
     Semiconductor Devices. Photoelectric receivers
                                                                 i7704— 72
                    of radiant energy.
       Classification and Sistem Designations.


Постановлением Государстааммого комитата стандартов               Совета   Министров
СССР от 11/V 19Г2 г. HS 9 Я срои введения установлен
                                                                      с 1 V II 1973 Г.

                  Несоблюдение стандарта преследуется по >вкоиу

   Настоящий стандарт распространяется на нсохлаждаемые и
охлаждаемые фотоэлектрические полупроводниковые приемники
лучистой энергии и устанавливает классификацию и систему еди­
ного обозначения фоторезисторов, фотомагннтных приемников,
фотоприемников с р-п переходами с внутренним усилением и без
внутреннего усиления.

                               1. К Л А С С И Ф И КА Ц И Я

   1.1.   Классификация фотоэлектрических      полупроводниковых
приемников лучистой энергии должна соответствовать схеме, пред­
ставленной на чертеже.




Иадамме оф ициальное                                         Перепечатка воспрещена
      ★

C ip. 2 ГОСТ 17704—п




Приемники, различающиеся по материалу, используемому для изготовления фоточуиствнтсльного элемента

ГОСТ 17704—71 Стр. 3


                    2. СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ

   2.1. Первый элемент обозначения полупроводниковых фото­
электрических -приемников лучистой энергии определяет группу
приемника:
   фоторезисторы неохлаждаемые — ФР;
   фоторезисторы охлаждаемые — ФРО;
   приемники фотомагнитные неохлаждаемые — ФМ;
   приемники фотомагнитные охлаждаемые--ФМ О;
   фотоприемннкн с р-п переходами с внутренним усилением не­
охлаждаемые — ФУ;
   фотоприемннкн с р-п переходами с внутренним усилением ох­
лаждаемые — ФУО:
   фотоприемннкн с р-п переходами без усиления неохлаждае­
 мые — ФД;
   фотоприемннкн с р-п переходами без усиления охлаждае­
 мые -- Ф ДО.
   2.2. Второй элемент обозначения полупроводниковых фотоэлек­
трических приемников лучистой энергии определяет материал, из
которого изготовлен прибор. Обозначение материала должно со-
ответствовать указанному в таблице.
   Материал фоточувствительного элемента в обозначении прием­
ника записывается либо в буквенном, либо в цифровом варианте
в зависимости от назначения (области применения) приемника.
   При обозначении двухцветных приемников и приемников с ге­
теропереходами необходимо указывать оба материала через раз­
делительное тире. Материал с меньшей шириной запрещенной
зоны должен записываться первым.
   2.3. Третий элемент обозначения полупроводниковых фото­
электрических приемников лучистой энергии определяет порядко­
вый номер разработки приемников в подгр\пие и обозначается от
001 до 999.
   2.4. Четвертый элемент обозначения полупроводниковых фото­
электрических приемников лучистой энергии определяет подгруппу
приемников:
   фоторезисторы многоэлементные — П (одно- и двухэлементные
фоторезнсторы обозначения подгруппы не имеют);
   фотогранзистор униполярный — У;
   фототранзнстор биполярный— Б;
   Фотодиод лавинный — Л;
   фототиристор —•Т;
   фотодиод координатный — К (некоординатные фотодиоды обо­
значения подгруппы не имеют).
   2.5. В технически обоснованных случаях допускается присвое­
ние полупроводниковым приемникам лучистой энергии сокращен­
ных и дополнительных обозначений, что должно быть оговорено в