ГОСТ Р 55893-2013

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО

                            ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ



                                         НАЦИОНАЛЬНЫЙ                    ГОСТР
                                            СТАНДАРТ
                                          РОССИЙСКОЙ                     55893  —

                                           ФЕДЕРАЦИИ
                                                                         2013




                           МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ
                                  Основные параметры


                                        Издание официальное




                                                   Москва
                                               Стандартинформ
                                                    2014




обследование конструкций

ГОСТ Р 55893—2013

                                      Предисловие

      1 РАЗРАБОТАН Открытым акционерным обществом «Российский научно-исследовательский
институт «Электронстандарт» (ОАО «РНИИ «Электронстамдарт»)

     2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Изделия электронной техники,
материалы и оборудование»

     3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому
регулированию и метрологии от 09 декабря 2013 г. № 2199-ст

     4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ



        Правила применения настоящего стандарта установлены в ГО С Т Р 1.0— 2012 (раздел 8).
Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на
1 января текущего года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный
т е к с т изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе «Национальные стан­
дарты». В случав пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее
уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске информационного указателя «Националь­
ные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в
информационной системе общего пользования - но официальном сайте Федерального агентства
по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (gost.ru)




                                                                     © Стандартинформ. 2014

     Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и
распространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техни­
ческому регулированию и метрологии

ГОСТ Р 55893— 2013

Н А Ц И О Н А Л Ь Н Ы Й           С Т А Н Д А Р Т            Р О С С И Й С К О Й    Ф Е Д Е Р А Ц И И


                                      М икросхемы интегральные

                                         Основные параметры

                                        In te g ra te d m ic ro c irc u its
                                             B asic pa ram e te rs


                                                                              Дата введения — 2015—01—01



         1 Область применения

     Настоящий стандарт устанавливает основные параметры интегральных микросхем, многокри­
стальных модулей и микросборок (далее - микросхемы).
     Функциональные подгруппы и виды микросхем, для которых установлены основные параметры,
приведены в приложении А.
     Настоящий стандарт применяют для выбора параметров при разработке технических заданий
на НИР и ОКР. а также при разработке технических условий на микросхемы.
         П р и м е ч а н и е - В настоящем стандарте применены термины по ГОСТ 17021. ГОСТ 26975 и ГОСТ
19480.

         2 Нормативные ссы лки

      В настоящем стандарте использованы ссылки на следующие стандарты:
      ГОСТ 17021-88 Микросхемы интегральные. Термины и определения
      ГОСТ 19480-89 Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения
электрических параметров
      ГОСТ 26975-86 Микросборки. Термины и определения

       П р и м е ч а н и е - При пользовании настоящим стандартом целесообразно проверить действие ссылоч­
ных стандартов в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального
агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет или по ежегодному информационному
указателю «Национальные стандарты», который опубликован по состоянию на 1 января текущего года, и по вы­
пускам ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты» за текущий год Если заменен
ссылочный стандарт, на который дана недатированная ссылка, то рекомендуется использовать действующую
версию этого стандарта с учетом всех внесенных в данную версию изменений. Если заменен ссылочный стан­
дарт. на который дана датированная ссылка, то рекомендуется использовать версию этого стандарта с указан­
ным выше годом утверждения (принятия). Если после утверждения настоящего стандарта в ссылочный стан­
дарт. на который дана датированная ссылка, внесено изменение, затрагивающее положение, на которое дана
ссылка, то это положение рекомендуется применять без учета данного изменения. Если ссылочный стандарт
отменен без замены, то положение, в котором дана ссылка на него, рекомендуется применять в части, не затра­
гивающей эту ссылку.

         3 О сновные параметры
         3.1 Схемы циф ровы х устройств
      К основным параметрам схем цифровых устройств в зависимости от вида микросхем и схемо­
технического решения относят:
     - выходное напряжение низкого уровня Uol.
     - выходное напряжение высокого уровня UCH\
     - напряжение срабатывания Un.\
     •напряжение отпускания UIT. ;
     - напряжение гистерезиса Ur ;
     - входной ток низкого уровня /ц.:

Издание официальное
                                                                                                         1

ГОСТ Р 55893—2013

       - входной ток высокого уровня /w;
       - выходной ток низкого уровня /<х.;
       - выходной ток высокого уровня /о*;
       - выходной ток низкого (высокого) уровня в состоянии «Выключено» Iozl ( Iozh);
       - ток потребления /сс:
       - время задержки распространения при включении (выключении) tPHL, tPlM;
       - время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние высо­
кого (низкого) уровня tpzH ( tpzi) ;
       - время задержки распространения при переходе из состояния высокого (низкого) уровня в со­
стояние «Выключено» tpHZ{ tpu)',
       - время нарастания (спада) сигнала tR(tF)
       - частоту следования импульсов тактовых сигналов / с ;
       - частоту выходного сигнала /о ;
       - входную емкость С,;
       - выходную емкость С0 ;
       - емкость входа/выхода Сш
       - емкость нагрузки C l.
      3.2    Схемы обработки информации
       К основным параметрам схем обработки информации, включая классификационные парамет­
ры. в зависимости от вида микросхем и схемотехнического решения относят:
      - выходное напряжение низкого уровня U ol\
      - выходное напряжение высокого уровня U0ч:
      - входное пороговое напряжение низкого (высокого) уровня Un. ( Urn);
      - входной ток низкого уровня In',
      - входной ток высокого уровня /w;
      - выходной ток низкого уровня /<х.;
      - ВЫХОДНОЙ ТОК ВЫСОКОГО уровня 1он]

      - выходной ток низкого (высокого) уровня в состоянии «Выключено». /оа. (102и):
      - ток утечки низкого (высокого) уровня на входе /т (/iAH);
      - ток потребления 1сс<
      - ток потребления динамический locc,
      - ток потребления в режиме хранения Ices',
      - потребляемую мощность Рсс;
      - потребляемую мощность динамическую Росс-,
      - время задержки распространения при включении (выключении)
      (PHi( tpin)',
       - время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние высо­
кого (низкого) уровня tpZn (tpzL)\
       - время задержки распространения при переходе из состояния высокого (низкого) уровня в со­
стояние «Выключено» tmz( tPLz)',
       ■время нарастания (спада) сигнала tp(tFy,
       - частоту следования импульсов тактовых сигналов / с;
       - сопротивление нагрузки RL\
       - входную емкость С/;
       - выходную емкость Со;
       - емкость входа/выхода С
       - емкость нагрузки CL\
       - емкость кэш-памяти команд Ocachemsu;
       - емкость кэш-памяти данных Q cachsd.li:
       емкость кэш-памяти второго уровня Qcachs.l:
       - емкость оперативного запоминающего устройства QRAM;
       - емкость постоянного запоминающего устройства Ояо«;
       - емкость программируемого постоянного запоминающего устройства QPRov (Q eprom, Qeeprcm,)‘ \
       - емкость флэш-памяти Qflash;
       - тип интерфейса;

      ’ Обозначения Qti-нои, QttppOM используют для электрически программируемых и непрограммируемых
ПЗУ соответственно
2