ГОСТ Р 71068-2023

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО

                                           ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ




                                                     НАЦИОНАЛЬНЫЙ                       ГОСТ Р
                                                        СТАНДАРТ
                                                      РОССИЙСКОЙ
                                                                                        71068 —
                                                       ФЕДЕРАЦИИ                        2023




                                          МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ
                                             МИКРОПРОЦЕССОРНЫЕ
                                                 Система параметров



                                                        Издание официальное




                                                                Москва
                                                   Российский институт стандартизации
                                                                  2023




расчет индекса изоляции воздушного шума

ГОСТ Р 71068— 2023


                                       Предисловие
     1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом «Российский         научно-исследовательский   институт
«Электронстандарт» (АО «РНИИ «Электронстандарт»)

     2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Электронная компонентная база,
материалы и оборудование»

     3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому
регулированию и метрологии от 30 октября 2023 г. № 1302-ст

    4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ




     Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона
от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об из­
менениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего
года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений
и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае
пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет
опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные
стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в ин­
формационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по
техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)




                                          © Оформление. ФГБУ «Институт стандартизации», 2023

     Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и рас­
пространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техниче­
скому регулированию и метрологии

ГОСТ Р 71068—2023


Н А Ц И О Н А Л Ь Н Ы Й          С Т А Н Д А Р Т          Р О С С И Й С К О Й     Ф Е Д Е Р А Ц И И



                     МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОПРОЦЕССОРНЫЕ

                                         Система параметров

                                      Integrated microprocessor circuit.
                                             Parameters system



                                                                           Дата введения — 2024— 03— 01




     1 Область применения
      Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые инте­
гральные микропроцессорные микросхемы и устанавливает состав параметров и типовых характери­
стик интегральных микропроцессорных микросхем (далее — микросхемы), подлежащих включению в
технические условия (ТУ) или стандарты на микросхемы конкретных типов при их разработке или пере­
смотре.
      Настоящий стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических за­
даний на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, программ испытаний опытных
образцов.
      Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими
субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения,
а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в раз­
работке, производстве, эксплуатации микросхем в соответствии с действующим законодательством.


     2 Нормативные ссылки
     В настоящем стандарте использована нормативная ссылка на следующий стандарт:
     ГОСТ Р 57441 Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения элек­
трических параметров
      П р и м е ч а н и е — При пользовании настоящим стандартом целесообразно проверить действие ссылоч­
ных стандартов в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агент­
ства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет или по ежегодному информационному указа­
телю «Национальные стандарты», который опубликован по состоянию на 1 января текущего года, и по выпускам
ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты» за текущий год. Если заменен ссылочный
стандарт, на который дана недатированная ссылка, то рекомендуется использовать действующую версию этого
стандарта с учетом всех внесенных в данную версию изменений. Если заменен ссылочный стандарт, на который
дана датированная ссылка, то рекомендуется использовать версию этого стандарта с указанным выше годом ут­
верждения (принятия). Если после утверждения настоящего стандарта в ссылочный стандарт, на который дана
датированная ссылка, внесено изменение, затрагивающее положение, на которое дана ссылка, то это положение
рекомендуется применять без учета данного изменения. Если ссылочный стандарт отменен без замены, то поло­
жение, в котором дана ссылка на него, рекомендуется применять в части, не затрагивающей эту ссылку.




Издание официальное
                                                                                                        1

ГОСТ Р 71068— 2023


        3 Термины, определения и сокращения
     3.1 В настоящем стандарте применены термины по ГОСТ Р 57441, а также следующие термины
с соответствующими определениями:
     3.1.1 ток нагрузки /н (lLD)m
                                . Значение тока, протекающего в цепи нагрузки интегральной микро­
схемы.
     3.1.2 время умножения fyM (tMPL): Интервал времени между входными импульсами и результа­
том умножения на выходе микросхемы, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напря­
жения.
     3.2 В настоящем стандарте применены следующие сокращения:
        АЛУ — арифметико-логическое устройство;
        И2Л — интегрально-инжекционная логика (структура);
        МДП — металл-диэлектрик-полупроводник (структура);
        ОЗУ — оперативное запоминающее устройство;
        ПЗУ — постоянное запоминающее устройство;
        ЭОЛ — эмиттерно-связанная логика (структура).


        4 Система параметров
        4.1 Состав параметров микросхем и способ задания норм приведены в таблице 1.

Таблица       1

                                              Буквенное обозначение   Парамет­
                                                    параметра          ры, под-
                                                                      лежащие     Способ
             Наименование параметра                                     обяза­    задания   Примечание
                                                            между­    тельному     нормы
                                              русское
                                                           народное    включе­
                                                                      нию в ТУ

    1 Параметры микросхем

    1.1 Выходное напряжение                    ^вых           Ц>         —        ОП, Р         —
    1.2 Выходное напряжение низкого уровня    ^вых.н          U0L        +          ОП          —
    1.3 Выходное напряжение высокого                                     +
                                                              ион                   ОП          —
    уровня                                    ^ В Ы Х .В


    1.4 Выходное пороговое напряжение                                    +                  Для ЭСЛ-
                                             ^пор.вых.н      U0TL                 ОП, Р
    низкого уровня                                                                          микросхем
    1.5 Выходное пороговое напряжение                                    +
                                             ^пор.вых.в      и отн                ОП, Р       То же
    высокого уровня
    1.6 Напряжение инжектора                                             +                  Для И2Л-
                                               ^инж           uG                  ОП, Р
                                                                                            микросхем

    1.7 Прямое падение напряжения на
                                                "пр          U CDI       —          ОП          —
    антизвонном диоде
    1.8 Помехоустойчивость при низком
                                              Цюм.н           ML         —          ОП          —
    уровне
    1.9 Помехоустойчивость при высоком
                                              Цюм.в           Мн         —          ОП          —
    уровне

    1.10 Отрицательное напряжение на
    выходе при заданном токе                 Чзых.отр        U CDO       —          ОП          —

    1.11 Ток потребления                        VlOT          1С С
                                                                         +          ОП          —
    1.12 Ток потребления динамический                                    —          ОП          —
                                              ^пот.дин       tcco

2