ГОСТ Р 57435-2017

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО

                                                             ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ




                                             ------- С   ч               Н А Ц И О Н А Л Ь Н Ы Й
                                                                                                          ГОСТР
                             (        /   П      /   п       А               С Т А Н Д А Р Т
                                 V vT                            У         р о с с и й с к о й
                                                                                                          57435—
                                 \   у \ ^                                  ф е д е р а ц и и             2017




                                                         МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ
                                                                     Термины и определения


                                                                          Издание официальное




                                                                                    Москва
                                                                                Стамдартинформ
                                                                                     2017




разработка технических условий

ГОСТ Р 57435— 2017

                                       П р е д и сл о в и е

     1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом «Российский научно-исследовательский институт
«Электронстандарт» (АО «РНИИ «Электронстандарт»), Акционерным обществом «Центральное
конструкторское бюро «Дейтон» (АО «ЦКБ «Дейтон»), Акционерным обществом «Научно-исследова­
тельский институт микроэлектронной аппаратуры «Прогресс» (АО «НИИМА «Прогресс»)

     2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Электронная компонентная база,
материалы и оборудование»

     3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому
регулированию и метрологии от 4 апреля 2017 г. Np 248-ст

    4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ



     Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона
от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об измене­
ниях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года)
информационном указателе «Национальные стандарты». а официальный текст изменений и попра­
вок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случав пере­
смотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет
опубликовано в ближайшем выпуске информационного указателя «Национальные стандарты».
Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной
системе общего пользователя — на официальном сайте Федерального агентства по техническо­
му регулированию и метрологии в сети Интернет (www.gost.ru)




                                                                       ©Стандартинформ, 2017

     Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и рас­
пространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническо­
му регулированию и метрологии

Г О С Т Р 57435— 2017


                                          Введение

      Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке,
отражающем систему понятий в области интегральных микросхем.
      Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Заключенная в круглые скобки
часть термина может быть опущена при ого использовании. Часть термина вне круглых скобок образует
его краткую форму. Краткая форма может быть также представлена аббревиатурой.
      Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы — светлым.
      Наличие квадратных скобок в терминологической статье означает, что в нее включены два (три,
четыре и т. п.) термина, имеющие общие терминоэлементы.
      В алфавитном указателе данные термины размещены отдельно с указанием номера статьи.
      В стандарте приведены эквиваленты стандартизованных терминов на английском языке.




                                                                                                in

ГО С Т Р 57435— 2017


Н А Ц И О Н А Л Ь Н Ы Й            С Т А Н Д А Р Т           Р О С С И Й С К О Й         Ф Е Д Е Р А Ц И И



                                    МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

                                        Термины и определения

                                    Integrated circuits. Terms and definitions




                                                                                 Дата введения — 2017—08—01



     1 О бласть применения

     Настоящий стандарт устанавливает термины и определения основных понятий интегральных
микросхем.
     Термины, установленные настоящим стандартом, применяют во всех видах документации и лите­
ратуры. входящих в сферу действия работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих
работ.
     Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими
субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а
также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разра­
ботке. производстве и применении микросхем в соответствии с действующим законодательством.


     2 Т е р м и н ы и о п р ед е л ен и я

1 (интегральная) микросхема: Микроэлектронное изделие, состоящее из сово-                  integrated circuit
купности элементов (компонентов), электрически соединенных или не соединен­
ных между собой в объеме и (или) на поверхности подложки (кристалла), и
предназначенное для выполнения заданной функции.
2 элемент (микросхемы ): Часть микросхемы, реализующая функцию какого-                     circuit element
либо изделия электронной техники, которая выполнена нераздельно от кристалла
и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требова­
ний к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.
П р и м е ч а н и е — К изделиям электронной техники относят полупроводниковые прибо­
ры, резисторы, конденсаторы, микроустройства и др.

3 компонент (микросхемы): Часть гибридной микросхемы, реализующая задан-                   circuit component
ную функцию какого-либо изделия электронной техники, которая может быть выде­
лена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям.
приемке, поставке и эксплуатации.
П р и м е ч а н и е — Компоненты могут содержать совокупность элементов или (и) микро­
схем в бескорпусном исполнении и ар.

4 кристалл (полупроводниковой микросхемы): Часть полупроводниковой                         die;
пластины, в объеме и (или) на поверхности которой сформированы элементы                    chip
полупроводниковой микросхемы, межэлементные соединения и контактные
площадки.


Издание официальное
                                                                                                                1