Проверяемый статус документов Полнотекстовый поиск Доступ без регистрации

Карточка нормативного документа

ГОСТ 28111-89

Микросборки на цилиндрических магнитных доменах. Термины и определения

Просмотреть PDF
Статус не подтверждённа 12.09.2026Перед применением сверяйтесь с официальным источником
Удобное чтениеАбзацы и заголовки без PDF-разрывов

Межгосударственный стандарт

ГОСТ 28111-89

Микросборки на цилиндрических магнитных доменах. Термины и определения

Bubble memory device. Terms and definitions

Редакционная карточка ГОСТНОРМ. Полный текст публикуется только при подтверждённом праве использования. Метаданные сверяются по нескольким источникам.

Область применения

Область применения пока не подтверждена.

1

Страница 1

Группа ЭОО


                               М    Е    Ж     Г    О   С   У   Д   А   Р   С   Т   В   Е     Н   Н   Ы   Й   С   Т    А   Н   Д   А   Р   Т


                                           М И К РО С Б О РК И НА Ц И Л И Н Д РИ Ч Е С К И Х
                                                    М А ГН И Т Н Ы Х ДО М ЕН АХ

                                                        Термины и определения                                              ГОСТ
                                                                                                                       28111-89
                                               Bubble memory device. Terms and definitions

                               M KC     01.040.31
                                        31.200
                               О К С Т У 6301


                                                                                                                       Дата введения 01.07.90



                                    Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области микросборок на
                               цилиндрических магнитных доменах.
                                    Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах
                               документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих
                               результаты этой деятельности.
                                    Настоящий стандарт должен применяться совместно с Г О С Т 19693.
                                     1. Стандарт зова иные термины с определениями приведены в табл. 1.
                                    2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-сино­
                               нимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы
                               приведены в табл. 1 в качестве справочных и обозначены пометой «Ндп».
                                    2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл. 1 приведены в качестве справочных крат­
                               кие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного
                               толкования.
                                    2.2. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные
                               признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем
                               определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в
                               настоящем стандарте.
                                    2.3. В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия,
                               определение не приведено и в графе «Определение» поставлен прочерк.
                                    2.4. В табл. 1 приведены в качестве справочных буквенные обозначения к ряду терминов.
                                    2.5. В табл. I в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизован­
                               ных терминов на английском языке.
                                    3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском и английском языках
                               приведены в табл. 2—3.
                                    4. Термины и определения общих понятий, необходимые для понимания текста стандарта, приве­
                               дены в приложении.
                                    5. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, а
                               недопустимые синонимы — курсивом.




                               Издание официальное                                                                    Перепечатка воспрещена
                                     ★

                                                                                        138




государственная сертификация

2

Страница 2

ГО С Т 28111 -8 9 С. 2


                                                                                             Т аб ли ц а 1

                  Термин                                              Определеиие


                                            ОЫЦИК ПОНЯТИЯ

1. Магнито электронное надел не на цилин­      М агнитоэлектроннос изделие, в котором для хранения и обра­
   дрических магнитных доменах              ботки информации используются цилиндрические магнитные д о ­
   .Магнитоэлсктроннос иадслие на Ц М Д     мены
2. Цилиндрический магнитный домен              Д ом ен цилиндрической формы , намагниченность которого
   ЦМД                                      параллельна и противоположна направлению намагниченности
   Magnetic bubble                          окружающего магнитного материала
3. Жесткий цилиндрический магнитный            Цилиндрический магнитный домен, имеющий слож ную струк­
   домен                                    туру доменной Гранины и больш ую поверхностную плотность энер­
   Жесткий Ц М Д                            гии границы, более высокое ноле коллапса и меньшую подвиж­
   Hard bubble                              ность
4. Нссквшной цилиндрический магнитный          Цилиндрический магнитный дом ен, доменная граница кото­
   домен                                    рого выходит только на одну на поверхностей магнитного слоя
   Иссквотной Ц М Д                         или нс выходит ни на одну из поверхностей
5. Информационный цилиндрический маг­          Цилиндрический магнитный домен, используемый как носи­
   нитный домен                             тель информации
   Информационный Ц М Д
6. Пеинформаинонный цилиндрический             Цилиндрический магнитный домен, не используемый как но­
   магнитный домен                          ситель информации
   Нсннформаиионный Ц М Д
7. Запоминающее устройство на цилинд­          П о Г О С Т 25492
   рических магнитных доменах
   ЗУ на Ц М Д
   Bubble memory
8. Микроеборка на цилиндрических маг­          Конструктивно законченные и перемонтируемые магнитоэлек­
   нитных доменах                           тронные изделия на Ц М Д или его составная часть, определяющая
   М икросборка Ц М Д                       назначение и принципы функционирования изделия
   Ндп. Микроеборка ЗУ Ц М Д
   Bubble memory device
9. Ц М Д -н акон игсль                         Микроеборка Ц М Д или совокупность микросборок Ц М Д и элек­
                                            тронное обрамление, обеспечивающие шн]юрмаиионную емкость
                                            запоминающего устройства на нилинлркческих магнитных дом е­
                                            нах
10. Ц М Д -сигнад                              Двоичный сигнал, представленный наличием или отсутствием
    Bubble signal                           цилиндрического магнитного домена
11. ЦМД-материал                                М агнитоодноосный материал, в котором существуют нилшгд-
    Bubble material                         ричсские магнитные домены
12. Ц М Д -пласгнна                             Пластина из ЦМД-матсриала или пластина, состоящая из не­
                                            магнитной подложки с выращенным на ней ЦМД-матсриалом
13. Монокристалличсская пленка феррига-         Ц М Д-матсриал в виде слоя монокристалличсского феррита со
    гранага                                 структурой граната
   МПФГ
    Ндп. Даменжодержащан /иенка
14. Дефект М П Ф Г                             Дефект поверхности или магнитный дефект монокристалли-
                                            чсской пленки феррита-граната
15. Дефект поверхности М П Ф Г                 Н еоднородность поверхности монокристалличсской пленки
                                            феррита-граната, видимая в оптический микроскоп при заданных
                                            увеличении и апертуре объектива, кроме ч а с т и на поверхности
16. Магнитный дефект М П Ф Г                   Область локального изменения свойств монокристалличсской
                                            пленки феррита-граната, вызванного неоднородностью се струк­
                                            туры. характеризующаяся локальным увеличением коэрцитивной
                                            силы или несанкционированными зарождением, уничтожением или
                                            изменением скорости движения Ц М Д
17. Подложка М П Ф Г                           Немагнитная пластина, на которой выращивается монокрис­
                                            талличсская пленка феррита-граната
18. Решетка Ц М Д                              Упорядоченная совокупность Ц М Д в виде правильной плоской
                                            решетки

                                                      139

3

Страница 3

С. 3 ГО С Т 28111-89


                                                                                           Продвижение ma&i. I

                  Термин                                                     Определение


19. Напряженность магнитного поля iaрож­        Напряженность магнитного поля смешения, соответствующая
    денияцмд                                 зарождению цилиндрического магнитного домена
    Напряженность поля зарождения
20. Наиряжснносгь магнитною ноля к ол­          Напряженность магнитного поля смешения, соответствую­
    лапса Ц М Д                              щая исчезновению цилиндрического магнитного домена
    Напряженность поля коллапса
    Bubble collaps field intensity
21. Напряженность магннгного ноля эллип­        Напряженность магнитного поля смешения, соответствующая
    тической неустойчивости Ц М Д            переходу цилиндрического магнитного домена в полосовой домен
    Наиряжснносгь поля Неустойчивости

                                      П А Р А М Е Т Р Ы Ц М Д -М А Т Е Р И А Л А

22. Характеристическая длина Ц М Д -м атс-      Отношение поверхностной плотности энергии доменной гра­
    рнада                                    ницы к объемной        плотности   магнитостатической энергии
                                             ЦМД-материала
23. Ф актор качества Ц.МД-чатсриала             Отношение напряженности поля одноосной магнитной ани­
    Фактор качества                          зотропии ЦМД-матсриала к намагниченности технического на­
                                             сыщения
24. Динамическая коэрцитивная сила               Параметр, равный критическому значению Нс напряженно­
                                             сти внеш нею переменного магнитного поля //. при превышении
                                             которого амплитуда смещения доменной границы описывается
                                             зависимостью X я 8 (H —H J, где 5 — константа, нс зависящая o r И
25. Скорость насыщения доменной грани­           Скорость доменной границы, существенно не изменяющаяся
    цы                                       при увеличении напряженности продвигающего доменную грани­
                                             цу поля
26. О бласть устойчивости Ц М Д                  Параметр, равный разности напряженностей магнитного поля
    Bubble margin                            коллапса Ц М Д и магнитного поля эллиптической неустойчивости
                                             ЦМД
27. Равновесная ширина полосового доме­         Средняя ширина полосового домена, соответствующая абсо­
    на                                       лю тном у минимуму энергии размагниченной монокристалл ичес-
    Strip domain width                       кой пленки феррита-граната
28. У гол отклонение оси легкого намаг­          У го л между осью легкого намагничивания и нормалью к по­
    ничивания м п ф г                        верхности монокристаллической пленки феррига-граната
29. Номинальный диаметр Ц М Д                   Диаметр цилиндрического магнитного домена в середине о б ­
                                             ласти устойчивости Ц М Д
30. Толщина М П Ф Г

                        КО Н СТРУКТИ ВН Ы Е ЭЛЕМ ЕН ТЫ М И КРО СБО РКИ ЦМ Д


31. Ц М Д -кристалл                             Часть ЦМ Д -пластины с нанесенной на нее схемой управления
    Кристалл                                 цилиндрическими магнитными доменами
    Нди. Чип
    Bubble chip
    Chip
32. П лата микросборкн Ц М Д                    Часть конструкции микросборки Ц М Д , предназначенная для
    П лата                                   закрепления одного или нескольких Ц М Д -крисгаллов и соедине­
                                             ния их с выводами микросборкн Ц М Д
33. Корпус микросборкн Ц М Д                    Часть конструкции микросборкн Ц М Д , предназначенная для
    Корпус                                   зашиты от внешнего воздействия, экранирования от внешних маг­
                                             нитных полей и замыкания магнитного поля смешения микро­
                                             сборки Ц М Д
34. Система постоянных магнитов микро­          Часть конструкции микросборкн Ц М Д . я&тяющаяся источни­
    сборки Ц М Д                             ком ноля смешения
    Система постоянных магнитов
35. Растскатсдь микросборкн Ц М Д               Часть системы постоянных магнитов микросборкн Ц М Д , вы­
    Расте кател ь                            полненная из магнитом я г кого материала, предназначенная для
                                             повышения однородности поля смешения

                                                         I4U

4

Страница 4

Г О С Т 2 8 1 11 - 8 9 С . 4


                                                                                           Продолжение math. I

                  Тсрим и                                               Определение


  36. Катушки вращающегося магнитного           Система катушек микросборкн Ц М Д , при пропускании через
      поля микросборкн Н М Д                 которые токов заданной формы осуществляется продвижение ци­
      Катушки вращающегося поля              линдрических магнитных доменов
      Нли. Катушки упрощения
      X 'Y coils
  37. Вывол микросборкн Ц М Д                   Элемент конструкции микросборкн Ц.МД. предназначенный
                                             для ее электрического соединения с внешними электрическими
                                             цепями и механического крепления
  38. Контактная площадка Ц М Д -кри сгал-      Металлизированный участок на ЦМ Д-кристалле, служащий для
      ла                                     присоединения выводов ЦМ Д -кристалла, а также для контроля
      Контактная площадка                    исправности его электрических испей
  39. Вывод ЦМ Д -кристалла                     Элемент конструкции микросборкн Ц М Д . соединенный с кон­
                                             тактной площадкой ЦМ Д -кристалла и предназначенный для элек­
                                             трическою соединения ЦМД-кристалла и штаты микросборкн Ц М Д
  40. Ферромагнитная аппликация                 Пленочная аппликация из ферромагнитного материала, нане­
                                             сенная на поверхность ЦМД-матсриала, предназначенная для со­
                                             здания магнитостатической ловушки.
                                                Г1 р и м с ч а н и с. Одним из видов используемою ферромагнит­
                                             ного материала является пермаллой
  41. Токовая аппликация                        Пленочная проволниковая аппликация, нанесенная на повер­
                                             хность ЦМД-матсриала, предназначенная для создания магнито­
                                             статической ловушки

                   Ф УН КЦ И О Н АЛЬН Ы Е УЗЛЫ И ЭЛЕМ ЕН ТЫ М ИКРОСБОРКН ЦМ Д

  42. Схема управления Ц М Д                    Совокупность аппликаций или локальных изменений структу­
      Схема управления                       ры ЦМД-матсриала или их комбинированная совокупность, с л у ­
                                             жащие для осуществления функциональных операций с цилинд­
                                             рическими магнитными доменами при воздействии полей и токов
  43. Функциональный узел Ц М Д -крнстал-       Часть схемы управления Ц М Д . предназначенная .тля реализа­
      ла                                     ции определенной функции
      Ф ункциональный узел
      Иди. Функциональный узел чипа
  44. Схема продвижения Ц М Д                   Чаегь схемы управления Ц М Д . определяющая траекторию про­
      Схема продвижения                      движения цилиндрического магнитного домена
      Ндп. Kauai продвижения
      Bubble propagation path
  45. Элемент продвижения Ц М Д                 Токовая аппликация или локальное изменение структуры Ц М Д -
      Элемент продвижения                    магериата. предназначенные для перемещения цилиндрических
      Propagation element                    магнитных доменов но схеме продвижения
  46. Элемент сопряжения схемы продвиже­        Аппликация или локальное изменение структуры Ц М Д -м атс­
      ния Ц М Д                              риала. предназначенные атя соединения прямолинейных участ­
      Элем ент сопряжения                    ков схемы продвижения цилиндрических магнитных доменов при
                                             изменении их направлении продвижения
  47. Машнгосгатнчсская ловушка                 Локализованная зона Ц М Д -кристалла с меньшим значением
        мел                                  напряженности магнитного поля смещения, вызванная существо­
                                             ванием магнитных полей, параллельных и противоположно на­
                                             правленных палю смешения, и служащая атя удержания цилинд­
                                             рических магнитных доменов
  48. Генератор Ц М Д                           Ф уи к п и о н а 1ьный узел ЦМ Д -кристалла. предназначенный атя
      Bubble generator                       зарождения цилиндрических магнитных доменов
  49. Узел считывания микросборкн Ц М Д         Ф ункциональный узел Ц М Д-кристалла, осуществляющий под­
      Узел считывания                        готовку Ц М Д -сигната к регистрации и преобразование его в элек­
                                             трический выходной сигнал микросборкн Ц М Д
  50. Детектор Ц М Д                            Часть узла считывания микросборки Ц М Д . предназначенная
      Bubble detector                        атя <|юрмироианпя выходного сигнала микросборкн Ц М Д
  51. Рабочий детектор Ц М Д                    Часть детектора Ц М Д . предназначенная атя выделения Ц М Д -
                                             сигната и преобразования его в электрический с ш пат

I5 -3 S 6                                              141
Показаны первые 4 из 16

История статуса

Подтверждённых событий пока нет.