Межгосударственный стандарт
ГОСТ 25529-82
Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
Semiconductor diodes. Terms, definitions and letter symbols
Редакционная карточка ГОСТНОРМ. Полный текст публикуется только при подтверждённом праве использования. Метаданные сверяются по нескольким источникам.
Область применения
Область применения пока не подтверждена.
1
Страница 1
Группа ЭОО
М Е Ж Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й С Т А Н Д А Р Т
ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГОСТ
25529-82
Термины, определения и буквенные обозначения параметров Взамен ГОСТ 18216-72,
ГОСТ 18994-73,
Sem iconductor diodes.
Terms, definitions and letter symbols ГОСТ 20004-74,
ГОСТ 20005-74,
MKC 01.040.31 ГОСТ 20331-74,
31.080.10 ГОСТ 21154-75
ОКСТУ 6201
Постановлением Государственного комитета С ССР но стандартам от 29 ноября 1982 г. № 4482 дата введения
установлена
01.01.84
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины,
определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов.
Термины и русские буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны
для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документа
ции на полупроводниковые диоды, предназначенные для экспортных поставок.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-сино
нимов стандартизованного термина запрещается. Недопустимые к применению термины-синонимы
приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп*.
Установленные определения можно. при необходимости, изменять по форме изложения, не
допуская нарушения границ понятий.
В случаях, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквальном значе
нии термина, определение не приведено, и соответственно в графе «Определение» поставлен прочерк.
В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты для ряда стандартизо
ванных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.
В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и
их иностранных эквивалентов.
В стандарте имеется 2 приложения. I !риложение 1 содержит термины и определения общих поня
тии полупроводниковых приборов. Приложение 2 содержит водьт-амперные характеристики, диаграм
мы и кривые токов и напряжений.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, а недопустимые синонимы — кур
сивом.
(Измененная редакция. Изм. № 1).
Издание официальное Перепечатка воспрещена
*
Издание с Изменением Л$> /. утвержденный в октябре 1986 г. (И УС 1—87).
9 —25ft 93
болеро купить2
Страница 2
С. 2 ГОСТ 25529-82
Б у кв ен н о е о б о зн а ч е н и е
Терм ин О пределение
р усское м еж д у н а р о д н о е
О Б Щ И Е ПО НЯТИЯ
I. Постоянное прямое* на и. П остоянное значение прям ою на
"яр
пряжение диода пряж ения при заданном прямом токе
D. Durchlassgleichspan- полупроводникового диода
nung der Diode
E. Forward continuous
voltage
F. Tension dircctc
continue
2 Импульсное прямое на ^F M
Наибольш ее мгновенное значение
пряжение .диода прям ого напряж ения, обусловленное
D. Spitzcndurchlassspan- импульсным прямым током диода за
nung der Diode данного значения
E. Peak forward voltage
F. Tension dircctc dc cretc
3. Постоянное обратное на "к
пряжение .диода
D. Sperrglcichspan-
nung der Diode
E. Reverse continuous
voltage
F. Tension inverse
continue
4. Импульсное обратное на Наибольш ее мгновенное значение
«ли
пряжение .диода обратного напряжении диода
D. Spitzcnspcrrspan-
nung der Diode
E. Peak reverse voltage
F. Tension inverse dc ercte
5. Среднее прямое напряже ^п р.ер «Р (AV) Среднее за период значение прямо
ние диода го нап ряж ен и я ди ода при заданном
D. Mittlcrc Durchlassspan- Среднем прямом токе
nung der Diode
E. Average forward voltage
F. Tension dircctc moycn-
ne
6 l Пробивное напряженке Значение обратн ого нап ряж ен и я,
"прй ^(B R )
.диода вызывающ ее пробой перехода диода,
D. Durchbruchspannung при котором обратный ток достигает
d er Diode заданного значения
E. Breakdown voltage
F. Tension dc claquagc
7. Постоянный прямой ток 'п р А
.диода
D. Durchlassglcichstrom
d er Diode
E. Forward continuous
current
F. Courant direct continu
* В каждом конкретном случае использования термина следует в его наименовании слова «диод* или
«СВЧ диод» заменить понятием, определяющим группу диода, например «постоянный обратный ток диода»
следует писать «постоянный обратный ток стабилитрона».
943
Страница 3
ГОСТ 25529-82 С. 3
Буквенное обозначение
Термин Определение
русское международное
& Импульсный прямой ГОК *np. и 4м Н аибольш ее мгновенное значение
диода прямого тока диода, исключая повто
D. Spitzendurchlassstrom ряющиеся и неповгориюшисся переход
d cr Diode ные Г О К И
E. Peak forward current
F. Courant direct de erSte
9. Средний прямой ток 4p.«* 4 <AV) Среднее за период значение прямо
диода го тока диода
D. M ittlercr Durchlass-
strom d cr Diode
E. Average forward current
F. Courant durcct moycn
10. Постоянный обратный ток Ayip и
диода
D. Spcrrglcichstrom dcr
Diode
0. Reverse continuous
current
F. Courant inverse
continu
11. Импульсный обратный W и 4м Н аибольш ее мгновенное значение
ток диода обратного тока диода, обусловленного
D. Spitzensperrstrora dcr импульсным обратным напряжением
Diode
E. Peak reverse current
F. Courant inverse dc crete
12. Прямая рассеиваемая P"P Ру Значение мощности, рассеиваемой
мошноегь днода диодом при протекании прямого тока
D. Durchlassvcrtustlci-
stung der Diode
E. Forward power dissi
pation
F. Dissipation de puis
sance cn direct
13. Обратная рассеиваемая Л)0р Pr Значение мощности, рассеиваемой
мощность диода диодом при протекании обратного тока
E. Reverse power
dissipation
F. Dissipation dc puis
sance cn inverse
14. Средняя рассеиваемая 'cp Р Среднее за период значение мощ но
мощность диода сти. рассеиваемой диодом при проте
D. Mittlcrc Vcrlustlcistung кании прямого и обратного токов
d cr Diode
E. Average power dissi
pation
15. Импульсная рассеиваемая p. РМ Наибольшее мгновенное значение
мощность диода мощности, рассеиваемой диодом
D. Spitzcnverlustlcistung
d cr Diode
L Peak power dissipation
16. Общая емкость диода Ca Значение емкости между выводами
D. G csam tkapa/itat dcr диода при заданном режиме
Diode
E. Terminal capacitance
F. Capasite aux hom es
V 954
Страница 4
С. 4 ГОСТ 25529-82
Б у кв ен н о е о б о зн а ч е н и е
Терм ин О п р ед ел е н и е
р усское м еж д у н а р о д н о е
17. Емкость перехода диода с'-пер с, Общая емкость диода бел емкости
D. Spcm chichtkapazitiit корпуса.
d cr Diode П р и м с ч а н и е. В случае, когда
Е Junction capacitance диод имеет p -i-n структуру, допускает
F. Capacity dc jonction ся использовать термин «емкость струк
туры» и буквенное обозначение «Сс1р»
IS. Емкость корпуса диода ^Чор Значение емкости между вы ш лам и
D. G chuusekapa/iiit der корпуса диода при отсутствии кристал
Diode ла
E Case capacitance
19. Дифференциальное со Гдиф г Отнош ение малого прираш ения на
противление дио.та пряжения диода к малому прирашению
D. Diflcrentiellcr Widcr- тока в нем при заданном режиме
stand dcr Diode
E Diftercntial resistance
F. Resistance dilTeirnticllc
20. Последовательное сопро гп Л Суммарное эквивалентное активное
тивление потерь диода сопротивление кристалла, контактных
D. Serienw iderstand dcr соединений и выводов диода
Diode
E Total series equivalent
resistance
F. Resistance sin e totale
eq u iv alen t
21. Тепловое сопротивление я» К Отнош ение разности эффективной
диода температуры перехода и температуры в
D. W Srmcwiderstand к о н тр о л ьн о й точк е к р ассеи ваем ой
E Thermal resistance мощности диода в установившемся ре
F. Resistance thermique жиме
22. Импульсное тепловое со ^и Отнош ение разности эффективной
противление диода температуры перехода и температуры в
контрольной точке к импульсной мощ
ности диода
23. Тепловое сопротивление ^Воер-окр Тепловое сопротиатснис диода в слу
переход — окружающая чае, когда температурой в контрольной
среда дно да точке является температура окружаю
щей или охлаждающей среды
24. Тепловое сопротивление ^ В и р -ю р ^ h )t Тепловое сопротиатснис диода в слу
переход — корпус диода чае. когда температурой в контрольной
Е Thermal resistance точке является тем пература корпуса
junction to ease диода.
П р и м е ч а н и е . Если полупровод
никовы й кристалл имеет м ногослой
ную структуру, может быть использо
ван термин «тепловое сопротивление
структура — окружающ ая среда» или
термин «тепловое сопротиатснис струк
тура — корпус»
25. Тепловая емкость диода се Отнош ение тепловой энергии, на
Е Thermal capacitance копленной в диоде, к разности эф ф ек
тивной температуры перехода и темпе
ратуры в контрольной точке
96Показаны первые 4 из 28
История статуса
Подтверждённых событий пока нет.