Проверяемый статус документов Полнотекстовый поиск Доступ без регистрации

Карточка нормативного документа

ГОСТ Р 71081-2023

Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Система параметров

Просмотреть PDF
Статус не подтверждённа 28.09.2026Перед применением сверяйтесь с официальным источником
Удобное чтениеАбзацы и заголовки без PDF-разрывов

Межгосударственный стандарт

ГОСТ Р 71081-2023

Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Система параметров

Microwave semiconductor diodes. Parameters system

Редакционная карточка ГОСТНОРМ. Полный текст публикуется только при подтверждённом праве использования. Метаданные сверяются по нескольким источникам.

Область применения

Область применения пока не подтверждена.

1

Страница 1

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО

                         ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ




                                      НАЦИОНАЛЬНЫЙ
                                                                      ГО С ТР
                                           СТАНДАРТ
                                         РОССИЙСКОЙ                   71081  —

                                          ФЕДЕРАЦИИ                   2023




                      ДИО ДЫ П О Л УП РО В О Д Н И КО В Ы Е
                        С В ЕРХВ Ы С О КО Ч А С ТО ТН Ы Е
                               Система параметров


                                      Издание официальное




                                              Москва
                                 Российский институт стандартизации
                                                2023




испытательный центр

2

Страница 2

ГОСТ Р 71081— 2023


                                       Предисловие
     1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом «Российский         научно-исследовательский   институт
«Электронстандарт» (АО «РНИИ «Электронстандарт»)

     2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Электронная компонентная база,
материалы и оборудование»

     3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому
регулированию и метрологии от 2 ноября 2023 г. № 1325-ст

    4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ




     Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона
от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об из­
менениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего
года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений
и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае
пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет
опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные
стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в ин­
формационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по
техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)




                                          © Оформление. ФГБУ «Институт стандартизации», 2023

     Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и рас­
пространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническо­
му регулированию и метрологии

3

Страница 3

ГОСТ Р 71081—2023


Н А Ц И О Н А Л Ь Н Ы Й       С Т А Н Д А Р Т        Р О С С И Й С К О Й        Ф Е Д Е Р А Ц И И



               ДИОДЫ П О Л УП РО В О ДН И КО В Ы Е СВЕРХВ Ы С О КО Ч А С ТО ТН Ы Е

                                      Система параметров

                          Microwave semiconductor diodes. Parameters system



                                                                         Дата введения — 2024—03—01



     1 Область применения
     Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые сверх­
высокочастотные полупроводниковые диоды (далее — СВЧ-диоды).
     Настоящий стандарт устанавливает электрические параметры и характеристики, подлежащие
включению в технические условия (ТУ) или стандарты на СВЧ-диоды при их разработке или пере­
смотре.
     Настоящий стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических за­
даний на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, программ испытаний опытных
образцов.
     Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими
субъектами научно-хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а
также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в раз­
работке, производстве, эксплуатации СВЧ-диодов в соответствии с действующим законодательством.


     2 Нормативные ссылки
      В настоящем стандарте использованы нормативные ссылки на следующие стандарты:
      ГОСТ 18986.1 Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока
      ГОСТ 18986.3 Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного прямого напряжения и
постоянного прямого тока
      ГОСТ 18986.5 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени выключения
      ГОСТ 18986.6 Диоды полупроводниковые. Метод измерения заряда восстановления
      ГОСТ 18986.7 Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни не­
равновесных носителей заряда
      ГОСТ 18986.8 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления
      ГОСТ 18986.10 Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности
      ГОСТ 18986.11 Диоды полупроводниковые. Метод измерения последовательного сопротивления
потерь
      ГОСТ 18986.14 Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамиче­
ского сопротивлений
      ГОСТ 18986.24 Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения
      ГОСТ 19656.1 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Метод измерения
коэффициента стоячей волны по напряжению
      ГОСТ 19656.2 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения выпрямленного
тока
      ГОСТ 19656.3 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения выходного со­
противления на промежуточной частоте



Издание официальное
                                                                                                    1

4

Страница 4

ГОСТ Р 71081— 2023


      ГОСТ 19656.4 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преоб­
разования
      ГОСТ 19656.5 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Методы измерения
шумового отношения
      ГОСТ 19656.6 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения нормированно­
го коэффициента шума
      ГОСТ 19656.7 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения чувствительно­
сти по току
      ГОСТ 19656.9 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы из­
мерения постоянной времени и предельной частоты
      ГОСТ 19656.12 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения полного вход­
ного сопротивления
      ГОСТ 19656.13 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной
чувствительности
      ГОСТ 19656.15 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления
переход-корпус и импульсного теплового сопротивления
      ГОСТ 23769 Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквен­
ные обозначения
      ГОСТ 25529 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения пара­
метров
      ГОСТ Р 57436 Приборы полупроводниковые. Термины и определения
      П р и м е ч а н и е — При пользовании настоящим стандартом целесообразно проверить действие ссылоч­
ных стандартов в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агент­
ства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет или по ежегодному информационному указа­
телю «Национальные стандарты», который опубликован по состоянию на 1 января текущего года, и по выпускам
ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты» за текущий год. Если заменен ссылочный
стандарт, на который дана недатированная ссылка, то рекомендуется использовать действующую версию этого
стандарта с учетом всех внесенных в данную версию изменений. Если заменен ссылочный стандарт, на который
дана датированная ссылка, то рекомендуется использовать версию этого стандарта с указанным выше годом ут­
верждения (принятия). Если после утверждения настоящего стандарта в ссылочный стандарт, на который дана
датированная ссылка, внесено изменение, затрагивающее положение, на которое дана ссылка, то это положение
рекомендуется применять без учета данного изменения. Если ссылочный стандарт отменен без замены, то поло­
жение, в котором дана ссылка на него, рекомендуется применять в части, не затрагивающей эту ссылку.


      3 Термины и определения
     В настоящем стандарте применены термины по ГОСТ 23769, ГОСТ 25529, ГОСТ Р 57436, а также
следующие термины с соответствующими определениями:
     3.1 постоянный обратный ток диода /обр: Значение постоянного обратного тока диода при за­
данном значении постоянного обратного напряжения.
     3.2 нормируемое постоянное обратное напряжение (7нрм: Значение постоянного напряжения,
приложенного к диоду в обратном направлении, при котором ток через диод не превышает заданного
значения.
     3.3 постоянное (импульсное) рабочее напряжение лавинно-пролетного диода (7рЛПд
((7И рЛПД); постоянное рабочее напряжение ЛПД: Значение постоянного (импульсного) напряжения,
обусловленное постоянным (импульсным) рабочим током ЛПД.
     3.4 рабочая полоса частот СВЧ-диода Afp: Относительный интервал частот, в котором СВЧ-
диод обеспечивает заданные параметры и характеристики.
      П р и м е ч а н и е — Рабочую полосу частот определяют по формуле:


                                            д/р J f i J l . 1 0 0 %,
                                                                                                      (1 )

где f2 и   — нижнее и верхнее значения полосы частот.

2
Показаны первые 4 из 24

История статуса

Подтверждённых событий пока нет.