ГОСТ Р 70873-2023

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО

                           ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ




                                        НАЦИОНАЛЬНЫЙ
                                                                        ГО С ТР
                                           СТАНДАРТ
                                         РОССИЙСКОЙ                     70873 —
                                          ФЕДЕРАЦИИ                     2023




                  ДИОДЫ И СТОЛБЫ П О Л УП РО В О Д Н И КО В Ы Е
                           В Ы П РЯ М И ТЕЛЬ Н Ы Е
                                 Система параметров


                                        Издание официальное




                                                Москва
                                   Российский институт стандартизации
                                                  2023




центр испытаний

ГОСТ Р 70873— 2023


                                             Предисловие
      1 РАЗРАБОТАН А кционерны м общ еством «Российский              научно-исследовательский      институт
«Э лектронстандарт» (АО «РНИИ «Э лектронстандарт»)

     2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Э лектронная ком понентная база,
материалы и оборудование»

     3 У Т В Е Р Ж Д Е Н И ВВЕДЕН В Д Е Й С Т В И Е П риказом Ф е дерального агентства по техн и ч е ско м у
регулированию и метрологии от 24 августа 2023 г. № 728-ст

     4 ВВЕДЕН ВП ЕРВ Ы Е




     Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона
от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об из­
менениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего
года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений
и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае
пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет
опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные
стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в ин­
формационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по
техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)




                                                © О ф орм ление. Ф ГБУ «И нститут стандартизации», 2023

     Н астоящ ий стандарт не может бы ть полностью или частично воспроизведен, тираж ирован и рас­
пространен в качестве оф ициального издания без разреш ения Ф едерального агентства по техническо­
му регулированию и метрологии

ГОСТ Р 70873—2023


Н А Ц И О Н А Л Ь Н Ы Й          С Т А Н Д А Р Т         Р О С С И Й С К О Й             Ф Е Д Е Р А Ц И И



               ДИОДЫ И СТОЛБЫ П О Л УП РО В О ДН И КО В Ы Е В Ы П РЯМ ИТЕЛ ЬНЫ Е

                                          Система параметров

                         Semiconductor rectifier diodes and poles. Parameters system



                                                                               Дата введения — 2024—03—01



     1 Область применения
      Н астоящ ий стандарт распространяется на вы прям ительны е полупроводниковы е диоды и столбы
(ВПДС ), в том числе входящ ие в состав сборок, и устанавливает состав парам етров и типовы х ха ра кте ­
ристик, подлежащ их вклю чению в технические условия (ТУ) или стандарты на ВПДС конкретны х типов
при их разработке или пересмотре.
      С тандарт следует применять для вы бора парам етров при разработке технических заданий на
научно-исследовательские и опы тно-конструкторские работы, а такж е програм м испы таний опы тны х
образцов.
      Н астоящ ий стандарт предназначен для прим енения предприятиям и, организациям и и другим и
субъектами научной и хозяйственной деятельности независим о от ф орм собственности и подчинения,
а также ф едеральны м и органами исполнительной власти Российской Ф едерации, участвую щ им и в раз­
работке, производстве, эксплуатации ВПДС в соответствии с действую щ им законодательством .


     2 Нормативные ссылки
     В настоящ ем стандарте использованы норм ативны е ссылки на следую щ ие стандарты :
     ГОСТ 25529 Диоды полупроводниковы е. Термины, определения и буквенны е обозначения пара­
метров
     ГОСТ Р 57436 П риборы полупроводниковы е. Термины и определения
      П р и м е ч а н и е — При пользовании настоящим стандартом целесообразно проверить действие ссылоч­
ных стандартов в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агент­
ства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет или по ежегодному информационному указа­
телю «Национальные стандарты», который опубликован по состоянию на 1 января текущего года, и по выпускам
ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты» за текущий год. Если заменен ссылочный
стандарт, на который дана недатированная ссылка, то рекомендуется использовать действующую версию этого
стандарта с учетом всех внесенных в данную версию изменений. Если заменен ссылочный стандарт, на который
дана датированная ссылка, то рекомендуется использовать версию этого стандарта с указанным выше годом ут­
верждения (принятия). Если после утверждения настоящего стандарта в ссылочный стандарт, на который дана
датированная ссылка, внесено изменение, затрагивающее положение, на которое дана ссылка, то это положение
рекомендуется применять без учета данного изменения. Если ссылочный стандарт отменен без замены, то поло­
жение, в котором дана ссылка на него, рекомендуется применять в части, не затрагивающей эту ссылку.


     3 Термины и определения
      В настоящ ем стандарте применены терм ины по ГОСТ 25529 и ГОСТ Р 57436, а такж е следую щ ие
терм ины с соответствую щ им и определениям и:
      3.1      диодная сборка: Констр уктивна я единица, содерж ащ ая в себе не м енее двух в ы пр ям и ­
тельны х диодов, каж ды й из которы х имеет выводы от обоих электродов, при этом один из выводов
свободен от внутренних соединений.


Издание официальное
                                                                                                             1

ГОСТ Р 70873— 2023


      3.2 основные параметры: П арам етры, определяю щ ие основное ф ункциональное назначение
вы прям ительны х полупроводниковы х диодов и столбов.
      3.3 важнейшие параметры: Параметры, контролируем ы е по наиболее ж естким планам контро­
ля, наприм ер в прием о-сдаточны х испытаниях.
      3.4 нормированный коэффициент обратных потерь ВПДС Non : Ком плексны й параметр
ВПДС, учиты ваю щ ий конструктивно-технологическую ф изическую взаим освязь между м аксим ально
допустимы м постоянны м прямым током и уровнем постоянного обратного тока, а такж е ф изическую
зависим ость постоянного обратного тока от тем пературы окруж аю щ ей среды (корпуса) ВПДС.
        Примечания
        1 Нормированный коэффициент обратных потерь ВПДС Л/0 п вычисляют по формуле

                                        ^ о .п =          “     К Т '® м акс + *9^вос.о6р>
                                                     'пр.макс                                                   ( 1)


    где /обр —      постоянный обратный ток ВПДС, значение которого указано в ТУ или стандартах на ВПДС кон­
                    кретных типов для повышенной температуры окружающей среды (корпуса) ВПДС Омакс, А;
    /пр макс —      максимально допустимый постоянный прямой ток ВПДС, значение которого указано в ТУ или
                    стандартах на ВПДС конкретных типов, А;
         Кт —       температурный коэффициент обратного тока, °С (для кремния Кт= 0,03 °С);
     ®макс   —      максимальная температура окружающей среды (корпуса) ВПДС;
    ^вособр —       время обратного восстановления ВПДС, нс.
     2 Для определения значения N0 п рекомендуется использовать значения постоянного обратного тока для
наибольшей из повышенных температур, указанной в ТУ или стандартах на ВПДС конкретных типов.
        3 Если значения /обр макс и tB0Cобр получены из зарубежного справочника или каталога, то значение /обр при­
нимают равным 2/обр макс, а значение fB0C06P увеличивают на 10 %. Если параметры указаны в ТУ или стандартах
на ВПДС конкретных типов в качестве параметров-критериев годности, то используют соответствующие значения
этих параметров, установленные в ТУ или стандартах на ВПДС конкретных типов.

    3.5 скорость обратного восстановления ВПДС S f: К о м п л е кс н ы й па р а м е тр В П Д С , у ч и т ы ­
вающий ф изическую взаимосвязь между м аксимально допустимы м постоянным обратным напряжением
ВПДС и временем обратного восстановления.
       Примечания
       1 Скорость обратного восстановления ВПДС S, вычисляют по формулам:
       - для диодов
                                                                U обр.макс
                                                                                                                (2)
                                                                вос.обр.макс
        - для столбов
                                                            ^обр.макс' “ о
                                                   sf = t              .//                                      (3 )
                                                        1вос.обр.макс ‘-'пр.макс


 ГД© Цэбр.макс          максимально допустимое постоянное обратное напряжение ВПДС, В;

    ^вос.обр.макс       максимально допустимое время обратного восстановления ВПДС, нс;

              ц> -      константа, равная для ВПДС на кремнии 1 В;
       L/np макс —      максимально допустимое постоянное прямое напряжение столба, В.
      2 Если значения tBOCобр макс и/или 1/пр макс получены из зарубежного справочника или каталога, то значения,
подставляемые в формулы, следует увеличить на 10 %. Если параметры указаны в ТУ или стандартах на ВПДС
конкретных типов в качестве параметров-критериев годности, то используют соответствующие значения этих па­
раметров, установленные в ТУ или стандартах на ВПДС конкретных типов.

     3.6 нормированный коэффициент прямых потерь диода Nn п: Комплексны й парам етр диода,
учиты ваю щ ий ф изическую взаим освязь между временем обратного восстановления и постоянны м пря­
мым напряж ением диода.
        Примечание         — Нормированный коэффициент прямых потерь диода Л/п п вычисляют по формуле

                                             ^п.п - ^вос.обр.макс^Цпр.макс —^l)>                                W
2