ГОСТ Р 71649-2024

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО

                                ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ




                                            НАЦИОНАЛЬНЫЙ                     ГОСТ Р
                                               СТАНДАРТ
                                             РОССИЙСКОЙ
                                                                             71649 —
                                              ФЕДЕРАЦИИ                      2024




                       РЕЗИСТЫ ДЛЯ И Н ТЕГРА Л Ь Н Ы Х М ИКРО СХЕМ ,
                           П О Л УП РО В О Д Н И КО В Ы Х ПРИБО РО В
                                     И Ф О ТО Ш А БЛО Н О В
                                Общие технические требования


                                             Издание официальное




                                                    Москва
                                       Российский институт стандартизации
                                                      2024




сертификат на посуду

ГОСТ Р 71649—2024


                                       Предисловие
     1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом «Российский         научно-исследовательский   институт
«Электронстандарт» (АО «РНИИ «Электронстандарт»)

     2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Электронная компонентная база,
материалы и оборудование»

     3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому ре­
гулированию и метрологии от 1 октября 2024 г. № 1343-ст

    4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ




     Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона
от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об из­
менениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего
года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений
и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае
пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет
опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные
стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в ин­
формационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по
техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)




                                          © Оформление. ФГБУ «Институт стандартизации», 2024

     Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и рас­
пространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническо­
му регулированию и метрологии

ГОСТ Р 71649—2024


Н А Ц И О Н А Л Ь Н Ы Й             С Т А Н Д А Р Т         Р О С С И Й С К О Й            Ф Е Д Е Р А Ц И И


     РЕЗИСТЫ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
                             И ФОТОШАБЛОНОВ

                                     Общие технические требования

       Resists for integrated circuits, semiconductor devices and photomasks. General technical requirements



                                                                                  Дата введения — 2025— 03— 01




     1 Область применения
      Настоящий стандарт устанавливает общие технические требования на резисты, предназначен­
ные для производства интегральных микросхем (ИМС), полупроводниковых приборов (ППП) и фото­
шаблонов.
      Настоящий стандарт следует применять при разработке технических заданий (ТЗ) на научно-ис­
следовательские и опытно-конструкторские работы и программ испытаний опытных образцов, а также
на стадиях разработки и утверждения технических условий (ТУ) на резисты.
      Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими
субъектами научной и производственной деятельности независимо от форм собственности и подчине­
ния, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими
в разработке, производстве, эксплуатации резистов, предназначенных для производства ИМС, ППП и
фотошаблонов, в соответствии с действующим законодательством.


     2 Нормативные ссылки
      В настоящем стандарте использованы нормативные ссылки на следующие стандарты:
      ГОСТ 33 Нефть и нефтепродукты. Прозрачные и непрозрачные жидкости. Определение кинема­
тической и динамической вязкости
      ГОСТ 3885 Реактивы и особо чистые вещества. Правила приемки, отбор проб, фасовка, упаков­
ка, маркировка, транспортирование и хранение
      ГОСТ 10028 Вискозиметры капиллярные стеклянные. Технические условия
      ГОСТ 20216 Латексы. Метод определения поверхностного натяжения
      ГОСТ 22001 Реактивы и особо чистые вещества. Метод атомно-абсорбционной спектрометрии
определения примесей химических элементов
      ГОСТ 27025 Реактивы. Общие указания по проведению испытаний
      ГОСТ Р ИСО 14644-1 Чистые помещения и связанные с ними контролируемые среды. Часть 1.
Классификация чистоты воздуха по концентрации частиц
      П р и м е ч а н и е — При пользовании настоящим стандартом целесообразно проверить действие ссылоч­
ных стандартов в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агент­
ства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет или по ежегодному информационному указа­
телю «Национальные стандарты», который опубликован по состоянию на 1 января текущего года, и по выпускам
ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты» за текущий год. Если заменен ссылочный
стандарт, на который дана недатированная ссылка, то рекомендуется использовать действующую версию этого
стандарта с учетом всех внесенных в данную версию изменений. Если заменен ссылочный стандарт, на который
дана датированная ссылка, то рекомендуется использовать версию этого стандарта с указанным выше годом ут­
верждения (принятия). Если после утверждения настоящего стандарта в ссылочный стандарт, на который дана



Издание официальное
                                                                                                               1

ГОСТ Р 71649—2024

датированная ссылка, внесено изменение, затрагивающее положение, на которое дана ссылка, то это положение
рекомендуется применять без учета данного изменения. Если ссылочный стандарт отменен без замены, то поло­
жение, в котором дана ссылка на него, рекомендуется применять в части, не затрагивающей эту ссылку.


      3 Термины, определения и сокращения
      3.1 В настоящем стандарте применены следующие термины с соответствующими определения­
ми:
     3.1.1 резист: Материал, изменяющий свои физико-химические свойства под воздействием опре­
деленного излучения и предназначенный для формирования рельефного изображения в процессе ли­
тографии.
     3.1.2 литография: Совокупность физико-химических процессов формирования в слое резиста
под воздействием излучений микроизображения элементов схемы полупроводникового прибора и его
переноса на подложку.
     3.1.3 позитивный резист: Резист, у которого под воздействием актиничного излучения раство­
римость в проявителе увеличивается.
     3.1.4 негативный резист: Резист, у которого под воздействием актиничного излучения раство­
римость в проявителе уменьшается.
     3.1.5 чувствительность к излучению: Свойство резиста, характеризующее его способность к
изменению физико-химических свойств под воздействием излучений.
     3.1.6 актиничное излучение: Световой поток, вызывающий фотохимические реакции в резисте
и изменение растворимости облученных областей.
     3.1.7 разрешающая способность: Параметр резиста, позволяющий формировать изображение
массивов из элементов резиста минимального размера, разделенных промежутками такой же ширины.
     3.1.8 стойкость к проявителю: Параметр резиста, характеризующий его способность противо­
стоять воздействию проявителя в течение определенного времени, с сохранением соответствующих
характеристик.
     3.1.9 _____________________________________________________________________________________
      коэффициент контрастности: Градиент прямолинейного участка характеристической кривой.
      [ГОСТ 2653— 80, статья 60]

      П р и м е ч а н и е — Также применяют термин «гамма-контраст».
     3.1.10 адгезия пленки резиста: Свойство резиста, характеризующее способность слоя резиста
препятствовать отслоению резиста от подложки при воздействии жидких реагентов, используемых в
процессах литографии.
     3.2 В настоящем стандарте использованы следующие сокращения:
     ИМС — интегральная микросхема;
     ППП — полупроводниковый прибор;
     ТЗ — техническое задание;
     ТУ — технические условия;
     О-НХД — орто-наф тохинондиазидные группы.


      4 Технические требования

      4.1 Общие требования
     4.1.1 Резисты следует разрабатывать исходя из необходимости получения требуемых размеров
элементов ИМС и ППП, при этом резисты должны удовлетворять требованиям литографических про­
цессов и обеспечивать создание защитного рельефа требуемой конфигурации с необходимой разре­
шающей способностью, чувствительностью, стойкостью к воздействию агрессивных сред, адгезией к
полупроводниковой подложке.
     4.1.2 Выполнение требований, изложенных в 4.1.1, обеспечивают выбором соответствующих кон­
тролируемых физико-химических параметров резиста. При отсутствии корреляционной связи между
контролируемыми параметрами и требованиями 4.1.1 выполнение этих требований допускается под­
тверждать косвенными параметрами, характеризующими процессы литографии.
2