ГОСТ Р 59607-2021

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО

                   ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ




                             НАЦИОНАЛЬНЫЙ                       ГО СТР
                                  СТАНДАРТ
                               РОССИЙСКОЙ
                                                                59607  —


                                 ФЕДЕРАЦИИ                      2021




                           Оптика и фотоника

                    П Р И ЕМ Н И КИ ИЗЛ УЧ ЕН И Я
                     П О Л УП Р О В О Д Н И КО В Ы Е .
         Ф О ТО Э Л Е К ТР И Ч Е С КИ Е И Ф О ТО П Р И Е М Н Ы Е
                            УС ТР О Й С ТВ А

        Методы измерений фотоэлектрических параметров
                 и определения характеристик



                                Издание официальное




                                        Москва
                           Российский институт стандартизации
                                          2021




окпд2

ГОСТ Р 59607—2021


                                       Предисловие
     1 РАЗРАБОТАН Федеральным государственным унитарным предприятием «Научно-исследова­
тельский институт физической оптики, оптики лазеров и информационных оптических систем Всерос­
сийского научного центра «Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова» (ФГУП «НИИ-
ФООЛИОС ВНЦ «ГОИ им. С.И. Вавилова») и Акционерным обществом «Научно-производственное
объединение «Орион» (АО «НПО «Орион»)

    2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 296 «Оптика и фотоника»

     3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому ре­
гулированию и метрологии от 12 октября 2021 г. № 1133-ст

    4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ




     Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона
от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об из­
менениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего
года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений
и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае
пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет
опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные
стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в ин­
формационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по
техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)




                                                              © Оформление. ФГБУ «РОТ», 2021

     Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и рас­
пространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническо­
му регулированию и метрологии

ГОСТ Р 59607—2021


                                                                      Содержание
1 Область применения............................................................................................................................................ 1
2 Нормативные ссы лки............................................................................................................................................2
3 Термины, определения и сокращ ения..............................................................................................................3
      3.1 Термины и определения .......................................................................................................................3
      3.2 Сокращения ............................................................................................................................................3
4 Методы измерений и определения характеристик........................................................................................ 4
      4.1 Метод измерения темнового, общего тока и фототока фотоэлектрического
          полупроводникового приемника излучения на немодулированном излучении ........................ 4
      4.2 Метод измерения темнового сопротивления фотоэлектрического полупроводникового
          приемника излучения на немодулированном излучении ............................................................... 6
      4.3 Метод измерения дифференциального электрического сопротивления
          фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения на немодулированном
          излучении ................................................................................................................................................ 6
      4.4 Метод измерения статической токовой чувствительности фотоэлектрического
          полупроводникового приемника излучения на немодулированном излучении ........................ 8
      4.5 Метод измерения рабочего напряжения лавинного фотодиода на немодулированном
          излучении ................................................................................................................................................ 8
      4.6 Метод измерения коэффициента умножения темнового тока и фототока лавинного
          фотодиода на немодулированном излучении .................................................................................. 9
      4.7 Метод измерения емкости фотоэлектрического полупроводникового приемника
          излучения на немодулированном излучении.................................................................................. 10
      4.8 Метод измерения напряжения (тока) фотосигнала и напряжения (тока) шума
          фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и фотоприемного
          устройства на модулированном излучении .....................................................................................11
      4.9 Метод определения эффективной фоточувствительной площади фотоэлектрического
          полупроводникового приемника излучения и фотоприемного устройства
          на модулированном излучении.......................................................................................................... 14
      4.10 Метод измерения статической чувствительности, порога чувствительности
           и обнаружительной способности фотоэлектрического полупроводникового приемника
           излучения и фотоприемного устройства намодулированном излучении.................................16
      4.11 Метод измерения импульсной вольтовой (токовой) чувствительности
           фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и фотоприемного
           устройства на импульсном потоке ................................................................................................. 17
      4.12 Метод определения собственной постоянной времени, времени нарастания
           и времени спада фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
           и фотоприемного устройства на импульсном потоке ...................................................................19
      4.13 Метод определения вольт-амперной характеристики фотоэлектрического
           полупроводникового приемника изл учения.................................................................................. 20
      4.14 Метод определения плоского угла зрения фотоэлектрического полупроводникового
           приемника излучения и фотоприемного устройства................................................................... 21
      4.15 Метод определения линейной зоны и дифференциальной крутизны координатной
           характеристики координатного фотодиода и фотоприемного устройства .............................22
      4.16 Метод определения временного дрейфа нулевой точки координатного ф отодиода...........23
      4.17 Метод определения коэффициента фотоэлектрической связи многоэлементных
           фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и фотоприемного
           устройства............................................................................................................................................24
      4.18 Метод определения неравномерности чувствительности фотоэлектрического
           полупроводникового приемника излучения и фотоприемного устройства по элементу . . .25
      4.19 Метод определения энергетических характеристик фототока и напряжения
           фотосигнала фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
           и фотоприемного устройства ..........................................................................................................26
      4.20 Метод определения динамического диапазона фотоэлектрического
           полупроводникового приемника излучения и фотоприемного устройства .............................27

ГОСТ Р 59607—2021

      4.21 Метод определения частотных характеристик фотоэлектрического полупроводникового
           приемника излучения и фотоприемного устройства, включая статическую
           чувствительность, удельный порог чувствительности, удельную обнаружительную
           способность ....................................................................................................................................... 28
      4.22 Метод определения относительной спектральной характеристики чувствительности
           фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и фотоприемного
           устройства............................................................................................................................................29
      4.23 Метод определения фоновых характеристик фотоэлектрического полупроводникового
           приемника излучения и фотоприемного устройства, включая напряжение (тока) шума,
           напряжения (тока) фотосигнала, вольтовой (токовой) чувствительности, удельной
           обнаружительной способности и удельного порога чувствительности................................... 32
      4.24 Метод определения температурных характеристик (температурной зависимости)
           напряжения (тока) шума, статической вольтовой (токовой) чувствительности, удельного
           порога чувствительности и удельной обнаружительной способности фотоэлектрического
           полупроводникового приемника излучения и фотоприемного устройства .............................34
      4.25 Метод определения времени выхода на режим и времени автономной работы
           охлаждаемых фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
           и фотоприемного устройства ..........................................................................................................36
      4.26 Метод определения нестабильности фотоэлектрических параметров фотоэлектрического
           полупроводникового приемника излучения и фотоприемного устройства .............................38
5 Требования безопасности................................................................................................................................. 38
6 Оформление результатов измерений и определения характеристик..................................................... 39
Приложение А (рекомендуемое) Методика измерения температуры полного излучателя
                (излучателя в виде модели абсолютно черного тела) и ее стабильности................... 40
Приложение Б (справочное) Метод расчета потока излучения ................................................................... 42
Приложение В (рекомендуемое) Методика определения эквивалентной шумовой полосы
                пропускания селективного усилительного и/или измерительного устройства..............45
Приложение Г (рекомендуемое) Метод определения динамического диапазона ................................... 47
Приложение Д (справочное) Примеры расчета погрешностей измерения параметров и определения
                характеристик фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
                и фотоприемного устройства................................................................................................. 48
Библиография.........................................................................................................................................................52




IV