ГОСТ Р 71334-2024

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО

                           ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ




                                         НАЦИОНАЛЬНЫЙ                   ГОСТ Р
                                               СТАНДАРТ
                                            РОССИЙСКОЙ
                                                                        71334   —


                                             ФЕДЕРАЦИИ                  2024




                        СТРУКТУРЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЫ Е

                   Метод измерения толщины эпитаксиальных слоев
                    кремния в структурах типа кремний на сапфире
                       на основе инфракрасной интерференции


                                        Издание официальное




                                               Москва
                                  Российский институт стандартизации
                                                 2024




шум оборудования

ГОСТ Р 71334—2024


                                       Предисловие
     1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом «Российский         научно-исследовательский   институт
«Электронстандарт» (АО «РНИИ «Электронстандарт»)

     2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Электронная компонентная база,
материалы и оборудование»

     3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому ре­
гулированию и метрологии от 17 апреля 2024 г. № 476-ст

    4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ




     Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона
от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об из­
менениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего
года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений
и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае
пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет
опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные
стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в ин­
формационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по
техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)




                                          © Оформление. ФГБУ «Институт стандартизации», 2024

     Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и рас­
пространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническо­
му регулированию и метрологии

ГОСТ Р 71334— 2024


Н А Ц И О Н А Л Ь Н Ы Й                С Т А Н Д А Р Т           Р О С С И Й С К О Й              Ф Е Д Е Р А Ц И И


                                        СТРУКТУРЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ

     Метод измерения толщины эпитаксиальных слоев кремния в структурах типа кремний
                   на сапфире на основе инфракрасной интерференции

Epitaxial structures. Method for measuring the thickness of epitaxial silicon layers in structures of the silicon-on-sapphire
                                             type based on IR interference




                                                                                         Дата введения — 2025— 03— 01




      1 Область применения
     Настоящий стандарт распространяется на эпитаксиальные структуры, применяемые для изготов­
ления изделий электронной компонентной базы, и устанавливает метод интерференции для измерения
толщины эпитаксиальных слоев в структурах кремний на сапфире (КНС).


      2 Нормативные ссылки
     В настоящем стандарте использованы нормативные ссылки на следующие стандарты:
     ГОСТ 12.1.004 Система стандартов безопасности труда. Пожарная безопасность. Общие требо­
вания
     ГОСТ 12.2.007.0 Система стандартов безопасности труда. Изделия электротехнические. Общие
требования безопасности
     ГОСТ 12.2.003 Система стандартов безопасности труда. Оборудование производственное. Об­
щие требования безопасности
     ГОСТ 12.3.019 Система стандартов безопасности труда. Испытания и измерения электрические.
Общие требования безопасности
     ГОСТ 427 Линейки измерительные металлические. Технические условия
     ГОСТ 33075 Напальчники резиновые. Технические требования
     ГОСТ Р 8.568 Государственная система обеспечения единства измерений. Аттестация испыта­
тельного оборудования. Основные положения
     ГОСТ Р ИСО 14644-1 Чистые помещения и связанные с ними контролируемые среды. Часть 1.
Классификация чистоты воздуха по концентрации частиц
      П р и м е ч а н и е — При пользовании настоящим стандартом целесообразно проверить действие ссылоч­
ных стандартов в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агент­
ства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет или по ежегодному информационному указа­
телю «Национальные стандарты», который опубликован по состоянию на 1 января текущего года, и по выпускам
ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты» за текущий год. Если заменен ссылочный
стандарт, на который дана недатированная ссылка, то рекомендуется использовать действующую версию этого
стандарта с учетом всех внесенных в данную версию изменений. Если заменен ссылочный стандарт, на который
дана датированная ссылка, то рекомендуется использовать версию этого стандарта с указанным выше годом ут­
верждения (принятия). Если после утверждения настоящего стандарта в ссылочный стандарт, на который дана
датированная ссылка, внесено изменение, затрагивающее положение, на которое дана ссылка, то это положение
рекомендуется применять без учета данного изменения. Если ссылочный стандарт отменен без замены, то поло­
жение, в котором дана ссылка на него, рекомендуется применять в части, не затрагивающей эту ссылку.



Издание официальное
                                                                                                                            1

ГОСТ Р 71334—2024


     3 Термины и определения
     В настоящем стандарте применены следующие термины с соответствующими определениями:
     3.1 эпитаксия: Технологический процесс ориентированного наращивания монокристаллического
слоя определенной кристаллографической ориентации на монокристаллической подложке.
     3.2 эпитаксиальный слой: Монокристаллический слой определенной кристаллографической
ориентации, выращенный на монокристаллической подложке.
     3.3 эпитаксиальная структура: Структура, полученная ориентированным наращиванием одного
или нескольких монокристаллических слоев полупроводникового материала на подложку из того или
иного материала.


     4 Сущность метода
     Метод основан на явлении интерференции монохроматического излучения в слоистой структуре
и заключается в определении спектрального положения экстремумов интерферограммы, получаемой
при снятии спектральной зависимости коэффициента отражения (или пропускания) от структуры в ви­
димой и ИК-области, с последующим пересчетом в таблицу.


     5 Общие требования к проведению измерений

     5.1 Требования к условиям проведения измерений
     При проведении измерений следует соблюдать следующие условия:
     - температура воздуха 23 ± 5 °С;
     - относительная влажность воздуха не более 65 %;
     - класс чистоты воздушной среды 3 (ГОСТ Р ИСО 14644-1);
     -долж ны отсутствовать внешние источники вибрации, ударов, электрических и магнитных полей.

     5.2 Требования к эпитаксиальным структурам для проведения измерений
      Эпитаксиальные структуры должны удовлетворять следующим требованиям:
      - удельное сопротивление эпитаксиального слоя, Ом-см                    не менее 0,0008

      - толщина эпитаксиального слоя, мкм                                     0,5— 5,0

      - шероховатость поверхности измеряемой структуры со стороны
      эпитаксиального слоя, Rz, мкм                                            не более 0,05

      - шероховатость обратной поверхности (только при измерениях по
      спектру пропускания), Ra, мкм                                            не более 0,5

     5.3 Требования к оборудованию и средствам измерений
     5.3.1 Испытательное оборудование и средства измерений должны соответствовать стандартам,
ТУ и (или) эксплуатационной документации на них. Порядок аттестации измерительного оборудова­
ния — по ГОСТ Р 8.568.
     5.3.2 Применяемая аппаратура должна удовлетворять следующим требованиям:
     - спектральный диапазон по длинам волн, мкм                               0,5— 25
     - отклонение от линейности развертки спектра по волновым числам,
     см-1 , не более                                                           50
     - пропускания приставки отражения в используемом
     спектральном диапазоне, %, не менее                                       50
      П р и м е ч а н и е — Измерения эпитаксиальных слоев с толщиной менее 1 мкм рекомендуется проводить
в спектральном диапазоне 0,5 + 2,5 мкм, используя для этого спектрофотометры, например типа СФ-20, а при из­
мерениях эпитаксиальных слоев с толщиной более 1 мкм спектральный диапазон рекомендуется расширить до
25 мкм. При этом могут быть использованы спектрофотометры других типов, например ИКС-29.
2