ГОСТ Р 71058-2023

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО

                           ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ




                                         НАЦИОНАЛЬНЫЙ                    ГОСТР
                                            СТАНДАРТ
                                                                         71058   -
                                          РОССИЙСКОЙ
                                           ФЕДЕРАЦИИ                     2023




                          МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ.
                          ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА
                                 Система параметров


                                        Издание официальное




                                                 Москва
                                    Российский институт стандартизации
                                                   2023




шумоизоляция перекрытия

ГОСТ Р 71058— 2023


                                        Предисловие
      1 РАЗРАБОТАН А кционерны м общ еством «Российский        научно-исследовательский   институт
«Э лектронстандарт» (АО «РНИИ «Э лектронстандарт»)

     2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Э лектронная ком понентная база,
материалы и оборудование»

     3 У ТВЕ РЖ Д ЕН И ВВЕДЕН В Д Е Й С Т В И Е П риказом Ф едерального агентства по техническом у
регулированию и метрологии от 30 октября 2023 г. № 1288-ст

     4 ВВЕДЕН ВП ЕРВ Ы Е




     Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона
от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об из­
менениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего
года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений
и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае
пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет
опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные
стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в ин­
формационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по
техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)




                                            © О ф орм ление. Ф ГБУ «И нститут стандартизации», 2023

     Н астоящ ий стандарт не может бы ть полностью или частично воспроизведен, тираж ирован и рас­
пространен в качестве оф ициального издания без разреш ения Ф едерального агентства по техническо­
му регулированию и метрологии

ГОСТ Р 71058—2023


Н А Ц И О Н А Л Ь Н Ы Й           С Т А Н Д А Р Т          Р О С С И Й С К О Й           Ф Е Д Е Р А Ц И И



                                   МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ.
                                   ЗАПОМИНАЮ ЩИЕ УСТРОЙСТВА

                                          Система параметров

                                Integrated circuits. Storage devices. Parameters
                                                      systems



                                                                                   Дата введения — 2024—03—01




     1 Область применения
      Н астоящ ий стандарт распространяется на вновь разрабаты ваем ы е и м одернизируем ы е инте­
гральны е микросхемы запом инаю щ их устройств (далее — запом инаю щ ие устройства) и устанавливает
состав парам етров и типовы х характеристик, подлеж ащ их вклю чению в технические условия (ТУ) или
стандарты на запом инаю щ ие устройства конкретны х типов при их разработке или пересм отре.
      Н астоящ ий стандарт следует применять для выбора парам етров при разработке технических за ­
даний на научно-исследовательские и опы тно-конструкторские работы, програм м испы таний опы тны х
образцов.
      Н астоящ ий стандарт предназначен для прим енения предприятиям и, организациям и и другим и
субъектами научно-хозяйственной деятельности независим о от ф орм собственности и подчинения, а
такж е ф едеральны м и органами исполнительной власти Российской Ф едерации, участвую щ им и в раз­
работке, производстве, эксплуатации запом инаю щ их устройств в соответствии с действую щ им закон о ­
дательством.


     2 Нормативные ссылки
     В настоящ ем стандарте использованы норм ативны е ссылки на следую щ ие стандарты :
     ГОСТ Р 57435 М икросхемы интегральны е. Термины и определения
     ГОСТ Р 57441 М икросхемы интегральны е. Термины, определения и буквенны е обозначения
электрических параметров
      П р и м е ч а н и е — При пользовании настоящим стандартом целесообразно проверить действие ссылочных
стандартов в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по
техническому регулированию и метрологии в сети Интернет или по ежегодному информационному указателю «На­
циональные стандарты», который опубликован по состоянию на 1 января текущего года, и по выпускам ежемесяч­
ного информационного указателя «Национальные стандарты» за текущий год. Если заменен ссылочный стандарт,
на который дана недатированная ссылка, то рекомендуется использовать действующую версию этого стандарта
с учетом всех внесенных в данную версию изменений. Если заменен ссылочный стандарт, на который дана дати­
рованная ссылка, то рекомендуется использовать версию этого стандарта с указанным выше годом утверждения
(принятия). Если после утверждения настоящего стандарта в ссылочный стандарт, на который дана датированная
ссылка, внесено изменение, затрагивающее положение, на которое дана ссылка, то это положение рекомендуется
применять без учета данного изменения. Если ссылочный стандарт отменен без замены, то положение, в котором
дана ссылка на него, рекомендуется применять в части, не затрагивающей эту ссылку.




Издание официальное
                                                                                                             1

ГОСТ Р 71058— 2023


        3 Термины, определения и сокращения
     3.1 В настоящ ем стандарте применены терм ины по ГОСТ Р 57435, ГОСТ Р 57441, а такж е следу­
ющ ие терм ины с соответствую щ им и определениям и:
     3.1.1 время фронта нарастания сигнала *Нарвх0 1: Интервал времени, в течение которого на­
пряжение на входе интегральной микросхем ы изменяется с первого достиж ения уровня 0,1 до первого
достиж ения уровня 0,9 установивш егося значения.
     3.1.2 время фронта спада сигнала fcn вх 1 0: Интервал времени, в течение которого напряж ение
на входе интегральной микросхемы изменяется с первого достиж ения уровня 0,9 до первого д о сти ж е ­
ния уровня 0,1 установивш егося значения.
     3.2 В настоящ ем стандарте применены следую щ ие сокращ ения:
     И2Л — интегральная инж екционная логика (структура);
     МДП — м еталл-диэлектрик-полупроводник (структура).


        4 Классификация
     И нтегральны е микросхемы запом инаю щ их устройств подразделяю т на кл ассиф икационны е груп­
пы в соответствии с таблицей 1.

Таблица       1

                                                                                                 Обозначение
                                 Наименование группы
                                                                                           классификационной группы

      Оперативные запоминающие устройства (ОЗУ)                                                       1

      Матрицы оперативных запоминающих устройств (матрицы ОЗУ)                                        2

      Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ)                                                        3

      Постоянные запоминающие устройства с возможностью однократного програм-                         4
    мирования (ППЗУ)

      Матрицы постоянных запоминающих устройств (матрицы ПЗУ)                                         5

      Постоянные запоминающие устройства с возможностью многократного электри-                        6
    ческого перепрограммирования (РПЗУ)

       Постоянные запоминающие устройства с ультрафиолетовым стиранием и элек-                        7
    трической записью информации (РПЗУ с УФ-стиранием)

      Ассоциативные запоминающие устройства                                                           8


        5 Система параметров
        5.1 С остав параметров запом инаю щ их устройств и способ задания норм приведены в таблице 2.

Таблица       2

                                    Буквенное обозначе­   Параметры,
                                       ние параметра      подлежащие              Обозначе­
                                                                       Способ
                                                             обяза­              ние класси­
        Наименование параметра                                         задания                      Примечание
                                                            тельному             фикацион­
                                              Междуна­                  нормы
                                    Русское                включению             ной группы
                                               родное
                                                              в ТУ

      1 Параметры запоминающих устройств

      1.1 Выходное напряжение         ^вых       Uо           —         Р, ОП       1— 8                  —

       1.2 Выходное    напряжение    ^вых.н      U OL
                                                              +          ОП         1— 8                  —
    низкого уровня

      1.3 Выходное     напряжение    ^вых.в      и он         +          ОП         1— 8                  —
    высокого уровня

2