Проверяемый статус документов Полнотекстовый поиск Доступ без регистрации

Карточка нормативного документа

ГОСТ Р 71056-2023

Транзисторы полевые. Система параметров

Просмотреть PDF
Статус не подтверждённа 28.09.2026Перед применением сверяйтесь с официальным источником
Удобное чтениеАбзацы и заголовки без PDF-разрывов

Межгосударственный стандарт

ГОСТ Р 71056-2023

Транзисторы полевые. Система параметров

Field effect transistor. Parameters system

Редакционная карточка ГОСТНОРМ. Полный текст публикуется только при подтверждённом праве использования. Метаданные сверяются по нескольким источникам.

Область применения

Область применения пока не подтверждена.

1

Страница 1

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО

                             ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ




                                            НАЦИОНАЛЬНЫЙ                  ГО С ТР
                                               СТАНДАРТ
                                                                          71056—
                                             РОССИЙСКОЙ
                                              ФЕДЕРАЦИИ                   2023




                             ТРАНЗИСТО РЫ ПОЛЕВЫ Е

                                   Система параметров


                                          Издание официальное




                                                 Москва
                                    Российский институт стандартизации
                                                   2023




измерение прочности бетона

2

Страница 2

ГОСТ Р 71056—2023


                                       Предисловие
     1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом «Российский         научно-исследовательский   институт
«Электронстандарт» (АО «РНИИ «Электронстандарт»)

     2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Электронная компонентная база,
материалы и оборудование»

     3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому ре­
гулированию и метрологии от 30 октября 2023 г. № 1286-ст

    4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ




     Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона
от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об из­
менениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего
года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений
и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае
пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет
опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные
стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в ин­
формационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по
техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)




                                          © Оформление. ФГБУ «Институт стандартизации», 2023

     Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и рас­
пространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническо­
му регулированию и метрологии

3

Страница 3

ГОСТ Р 71056—2023


Н А Ц И О Н А Л Ь Н Ы Й          С Т А Н Д А Р Т          Р О С С И Й С К О Й           Ф Е Д Е Р А Ц И И


                                     ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ

                                         Система параметров

                                  Field effect transistor. Parameters system



                                                                               Дата введения — 2024— 0 3 — 01




     1 Область применения
      Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полевые
транзисторы (далее — транзисторы).
      Стандарт устанавливает состав параметров и типовых характеристик транзисторов, подлежащих
включению в общие технические условия и технические условия (ТУ) при их разработке или пере­
смотре.
      Стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий (ТЗ) на
научно-исследовательские (НИР) и опытно-конструкторские работы (ОКР), программ испытаний опыт­
ных образцов.
      Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими
субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения,
а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в раз­
работке, производстве, эксплуатации транзисторов в соответствии с действующим законодательством.


     2 Нормативные ссылки
     В настоящем стандарте использована нормативная ссылка на следующий стандарт:
     ГОСТ 19095 Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
      П р и м е ч а н и е — При пользовании настоящим стандартом целесообразно проверить действие ссылоч­
ных стандартов в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агент­
ства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет или по ежегодному информационному указа­
телю «Национальные стандарты», который опубликован по состоянию на 1 января текущего года, и по выпускам
ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты» за текущий год. Если заменен ссылочный
стандарт, на который дана недатированная ссылка, то рекомендуется использовать действующую версию этого
стандарта с учетом всех внесенных в данную версию изменений. Если заменен ссылочный стандарт, на который
дана датированная ссылка, то рекомендуется использовать версию этого стандарта с указанным выше годом ут­
верждения (принятия). Если после утверждения настоящего стандарта в ссылочный стандарт, на который дана
датированная ссылка, внесено изменение, затрагивающее положение, на которое дана ссылка, то это положение
рекомендуется применять без учета данного изменения. Если ссылочный стандарт отменен без замены, то поло­
жение, в котором дана ссылка на него, рекомендуется применять в части, не затрагивающей эту ссылку.


     3 Термины и определения
     В настоящем стандарте применены термины по ГОСТ 19095, а также следующие термины с соот­
ветствующими определениями:




Издание официальное
                                                                                                            1

4

Страница 4

ГОСТ Р 71056—2023

      3.1 минимальный коэффициент шума К ш мин: Значение коэффициента усиления по мощности
транзистора в условиях настройки входного и выходного СВЧ трактов, соответствующих минимальному
коэффициенту шума.
      3.2 оптимальный коэффициент усиления по мощности К уРопт: Значение коэффициента
шума транзистора в условиях настройки входного и выходного СВЧ трактов, соответствующих области
наименьших значений коэффициента шума.
      3.3 максимальный коэффициент усиления по мощности К уРмакс• Значение коэффициента
усиления по мощности транзистора в условиях настройки входного и выходного СВЧ трактов, соответ­
ствующих области наибольших значений коэффициента усиления по мощности.
      3.4 оптимальный коэффициент шума К ш опт: Значение коэффициента шума транзистора в ус­
ловиях настройки входного и выходного СВЧ трактов, соответствующих максимальному коэффициенту
усиления по мощности.
      3.5 коэффициент усиления по мощности в линейной области амплитудной характеристики
Кур. лин: Значение коэффициента усиления по мощности транзистора в линейной области его ампли­
тудной характеристики (область линейной зависимости выходной мощности от входной мощности).
      3.6 максимально допустимое напряжение сток — исток в динамическом режиме (Уси                              макс:
Максимальное значение допустимого напряжения между электродами стока и истока транзистора в
динамическом режиме.
     3.7 порог перегрузки транзистора РВЬ|Х макс: Уровень выходной мощности транзистора, при до­
стижении которого значение коэффициента усиления по мощности падает на 1 дБ по отношению к его
значению на малом сигнале.
     3.8 максимально допустимое напряжение питания стока ^спитмакс- Максимально допусти­
мая постоянная составляющая напряжения между стоком и истоком транзистора.
     3.9 крутизна характеристики по второму затвору S32: Отношение изменения тока стока к из­
менению напряжения на втором затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе тран­
зистора в схеме с общим истоком.
     3.10 напряжение отсечки по второму затвору (У32отс: Напряжение между вторым затвором и
истоком, при котором ток стока транзистора достигает заданного низкого значения.
      3.11 коэффициент отражения входной цепи транзистора в схеме с общим истоком S11M:
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора в
схеме с общим истоком при согласованной нагрузке.
      3.12 коэффициент обратной передачи напряжения транзистора в схеме с общим истоком
S i 2 H: Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзи­
стора в схеме с общим истоком при согласованной нагрузке.
      3.13 коэффициент прямой передачи напряжения транзистора в схеме с общим истоком
S2i и : Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзи­
стора в схеме с общим истоком при согласованной нагрузке.
      3.14 коэффициент отражения выходной цепи транзистора в схеме с общим истоком S22l1:
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора
в схеме с общим истоком при согласованной нагрузке.
     3.15 коэффициент полезного действия стока iic : Отношение выходной мощности транзистора
к мощности, потребляемой от источника питания стока.
     3.16 выходная мощность полевого транзистора Рвых: Мощность, которую отдает транзистор в
типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте.
     3.17 максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме
Рср макс' Максимально допустимое усредненное на период значение мощности в транзисторе.


      4 Классификация
      Транзисторы подразделяют на классификационные группы в соответствии с таблицей 1.

Таблица     1

                                                                                  О б о зн а ч е н и е
                               Н аим енование
                                                                       кл а с с и ф и ка ц и о н н о й гр уппы

    Транзисторы полевые СВЧ на основе арсенида галлия:                                    1

2
Показаны первые 4 из 12

История статуса

Подтверждённых событий пока нет.