Межгосударственный стандарт
ГОСТ Р 70999-2023
Диоды полупроводниковые импульсные. Система параметров
Semiconductor diodes. Parameters system
Редакционная карточка ГОСТНОРМ. Полный текст публикуется только при подтверждённом праве использования. Метаданные сверяются по нескольким источникам.
Область применения
Область применения пока не подтверждена.
1
Страница 1
ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО
ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ
НАЦИОНАЛЬНЫЙ
ГОСТ Р
СТАНДАРТ
РОССИЙСКОЙ 70999 —
ФЕДЕРАЦИИ 2023
ДИО ДЫ П О Л УП РО В О Д Н И КО В Ы Е
ИМ ПУЛЬСНЫ Е
Система параметров
Издание официальное
Москва
Российский институт стандартизации
2023
обязательная сертификация услуг2
Страница 2
ГОСТ Р 70999— 2023
Предисловие
1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом «Российский научно-исследовательский институт
«Электронстандарт» (АО «РНИИ «Электронстандарт»)
2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Электронная компонентная база,
материалы и оборудование»
3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому
регулированию и метрологии от 11 октября 2023 г. № 1109-ст
4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона
от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об из
менениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего
года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений
и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае
пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет
опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные
стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в ин
формационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по
техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)
© Оформление. ФГБУ «Институт стандартизации», 2023
Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и рас
пространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническо
му регулированию и метрологии3
Страница 3
ГОСТ Р 70999—2023
Н А Ц И О Н А Л Ь Н Ы Й С Т А Н Д А Р Т Р О С С И Й С К О Й Ф Е Д Е Р А Ц И И
ДИОДЫ ПО Л УПРО В О ДН И КО В Ы Е ИМ ПУЛЬСНЫ Е
Система параметров
Semiconductor diodes. Parameters system
Дата введения — 2024—03—01
1 Область применения
Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые импульс
ные полупроводниковые диоды (далее — диоды) и устанавливает состав параметров и типовых харак
теристик, подлежащих включению в общие технические условия (ОТУ) и технические условия (ТУ) при
их разработке или пересмотре.
Стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий на
научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, программ испытаний опытных образцов.
Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими
субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения,
а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в раз
работке, производстве, эксплуатации диодов в соответствии с действующим законодательством.
2 Нормативные ссылки
В настоящем стандарте использованы нормативные ссылки на следующие стандарты:
ГОСТ 25529 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения пара
метров
ГОСТ Р 57436 Приборы полупроводниковые. Термины и определения
П р и м е ч а н и е — При пользовании настоящим стандартом целесообразно проверить действие ссылоч
ных стандартов в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агент
ства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет или по ежегодному информационному указа
телю «Национальные стандарты», который опубликован по состоянию на 1 января текущего года, и по выпускам
ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты» за текущий год. Если заменен ссылочный
стандарт, на который дана недатированная ссылка, то рекомендуется использовать действующую версию этого
стандарта с учетом всех внесенных в данную версию изменений. Если заменен ссылочный стандарт, на который
дана датированная ссылка, то рекомендуется использовать версию этого стандарта с указанным выше годом ут
верждения (принятия). Если после утверждения настоящего стандарта в ссылочный стандарт, на который дана
датированная ссылка, внесено изменение, затрагивающее положение, на которое дана ссылка, то это положение
рекомендуется применять без учета данного изменения. Если ссылочный стандарт отменен без замены, то поло
жение, в котором дана ссылка на него, рекомендуется применять в части, не затрагивающей эту ссылку.
3 Термины и определения
В настоящем стандарте применены термины по ГОСТ Р 57436 и ГОСТ 25529, а также следующий
термин с соответствующим определением:
3.1 нестабильность обратного тока импульсного диода А /обр: Относительное изменение
обратного тока за время, заданное в ТУ на диоды конкретных типов.
Издание официальное
14
Страница 4
ГОСТ Р 70999— 2023
4 Классификация
Диоды подразделяют на классификационные группы в соответствии с таблицей 1.
Таблица 1
Н а и м е н о в а н и е группы О б о зн а ч е н и е
Диоды с эффективным временем жизни неравновесных носителей заряда до 1 нс 1
включительно [или зарядом восстановления до 10 пКл включительно (диоды Шоттки)]
Диоды с временем обратного восстановления связи от 1 до 5 нс включительно 2
(или зарядом восстановления связи от 10 до 150 пКл включительно)
Диоды с временем обратного восстановления связи от 5 до 30 нс включительно 3
(или зарядом восстановления связи от 150 до 1000 пКл включительно)
Диоды с временем обратного восстановления связи от 30 до 150 нс включительно 4
(или зарядом восстановления связи от 1000 до 10000 пКл включительно)
Диоды с временем обратного восстановления связи от 150 до 500 нс включительно 5
(или зарядом восстановления связи свыше 10 000 пКл)
Диоды с временем обратного восстановления связи 500 нс 6
Диоды с накоплением заряда 7
П р и м е ч а н и е — Классификацию диодов на группы подразделяют по одному из указанных параметров,
т. е. при классификации по времени обратного восстановления значения заряда восстановления не устанавливают.
5 Система параметров
5.1 Состав параметров диодов и способы задания норм на них приведены в таблице 2.
Таблица 2
Параметры,
Буквенное Способ Обозначение Пункт
подлежащие
Наименование параметра обозначение задания классификационной примечания
обязательному
параметра нормы группы таблицы
включению в ТУ
1 Параметры диодов
1.1 Постоянный обратный ток ^обр
+ ОП 1—6 —
диода
1.2 Постоянное прямое напря 4ip + ОП, Р 1—7 —
жение диода
1.3 Импульсное прямое напря ^пр.и
+ ОП 2—6 —
жение диода
1.4 Пробивное напряжение ^проб
+ ОП 7 —
Диода
1.5 Время обратного восста ^вос.обр
+ ОП 2—6 1
новления диода
1.6 Заряд восстановления ди ®вос
+ ОП 1—5, 7 1, 2
ода
1.7 Эффективное время жизни тэфф
+ ОП 1, 7 2
неравновесных носителей за
ряда диода
1.8 Время выключения диода ^выкп
+ ОП 7 —
1.9 Общая емкость диода + ОП 1—7
сд
2Показаны первые 4 из 12
История статуса
Подтверждённых событий пока нет.