ГОСТ Р 70744-2023

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО

                                            ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ




                                                        Н А Ц И О Н А Л Ь Н Ы Й             ГОСТ Р
                     (      (   Р    Г Ь    )                  С Т А Н Д А Р Т              70744—
                     V VI              У J
                                    V___                     Р О С С И Й С К О М
                         Nsv ^ s-------- Ф Е Д Е Р А Ц И И                                  2023




                                      ДИОДЫ П О Л УП РО В О Д Н И КО В Ы Е
                                             ТУН Н Е Л Ь Н Ы Е
                                                     Система параметров


                                                               Издание официальное




                                                                    Москва
                                                       Российский институт стандартизации
                                                                      2023




испытания арматуры

ГОСТ Р 70744—2023


                                       Предисловие
     1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом «Российский         научно-исследовательский   институт
«Электронстандарт» (АО «РНИИ «Электронстандарт»)

     2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Электронная компонентная база,
материалы и оборудование»

     3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому ре­
гулированию и метрологии от 11 мая 2023 г. № 301-ст

    4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ




     Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона
от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об из­
менениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего
года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений
и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае
пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет
опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные
стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в ин­
формационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по
техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)




                                          © Оформление. ФГБУ «Институт стандартизации», 2023

     Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и рас­
пространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническо­
му регулированию и метрологии

ГОСТ Р 70744—2023


Н А Ц И О Н А Л Ь Н Ы Й          С Т А Н Д А Р Т        Р О С С И Й С К О Й           Ф Е Д Е Р А Ц И И


                         ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТУННЕЛЬНЫЕ

                                         Система параметров

                               Semiconductor tunnel diodes. Parameter system


                                                                               Дата введения — 2024— 03— 01




     1 Область применения
     Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые туннель­
ные полупроводниковые диоды (далее — диоды) и устанавливает состав параметров и типовых харак­
теристик, подлежащих включению в технические условия или стандарты на диоды конкретных типов
при их разработке или пересмотре.
     Стандарт не распространяется на обращенные туннельные сверхвысокочастотные диоды, при­
меняемые в качестве смесительных и детекторных диодов.
     Стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий на
научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, программ испытаний опытных образцов.
     Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими
субъектами научно-хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а
также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в раз­
работке, производстве, эксплуатации диодов в соответствии с действующим законодательством.


     2 Нормативные ссылки
     В настоящем стандарте использованы ссылки на следующие стандарты:
     ГОСТ 25529 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения пара­
метров
     ГОСТ Р 57436 Приборы полупроводниковые. Термины и определения
      П р и м е ч а н и е — При пользовании настоящим стандартом целесообразно проверить действие ссылоч­
ных стандартов в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агент­
ства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет или по ежегодному информационному указа­
телю «Национальные стандарты», который опубликован по состоянию на 1 января текущего года, и по выпускам
ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты» за текущий год. Если заменен ссылочный
стандарт, на который дана недатированная ссылка, то рекомендуется использовать действующую версию этого
стандарта с учетом всех внесенных в данную версию изменений. Если заменен ссылочный стандарт, на который
дана датированная ссылка, то рекомендуется использовать версию этого стандарта с указанным выше годом ут­
верждения (принятия). Если после утверждения настоящего стандарта в ссылочный стандарт, на который дана
датированная ссылка, внесено изменение, затрагивающее положение, на которое дана ссылка, то это положение
рекомендуется применять без учета данного изменения. Если ссылочный стандарт отменен без замены, то поло­
жение, в котором дана ссылка на него, рекомендуется применять в части, не затрагивающей эту ссылку.


     3 Термины и определения
     В настоящем стандарте применены термины по ГОСТ 25529 и ГОСТ Р 57436.




Издание официальное
                                                                                                          1

ГОСТ Р 70744—2023


        4 Классификация
        Туннельные диоды подразделяют на классификационные группы в соответствии с таблицей 1.

Таблица       1

                                                                              Обозначение классификационной
                                 Наименование группы
                                                                                          группы

    Усилительные туннельные полупроводниковые диоды                                          1

    Переключающие туннельные полупроводниковые диоды                                         2

    Генераторные туннельные полупроводниковые диоды                                          3

    Обращенные туннельные полупроводниковые диоды                                            4


        5 Система параметров
     5.1 Состав параметров диодов и способы задания норм установлены в таблице 2. В технически
обоснованных случаях состав параметров диодов допускается расширять или сокращать.

Таблица 2

                                                    Буквенное       Способ       Обозначение
            Наименование параметра                 обозначение      задания   классификационной   Примечание
                                                    параметра        нормы          группы


      1 Параметры диода
      1.1 Пиковый ток                                      'п         HP            1—3               —

                                                                      ОП             4

      1.2 Отношение токов                                'Л           on            1—3               —
      1.3 Напряжение пика                                 ип          on            1—3               —
      1.4 Напряжение впадины                              ив
                                                                      H             1—3               —
      1.5 Напряжение раствора                             4>р
                                                                      on              2              —
      1.6 Постоянное прямое напряжение                    "п р        on              4              —
      1.7 Постоянное обратное напряжение                 Цэбр         HP              4              —
      1.8 Общая емкость                                   сд
                                                                       P            1, з             —

                                                                      on            2, 4
                                                        о




      1.9 Емкость корпуса                                             P              1, з            —
                                                            О
                                                            Q-
                                                          ъс.




      1.10 Индуктивность                                  '-п         P              1, з            —
   1.11 Последовательное сопротивление                     Гп         on           1, 3, 4           —
потерь

      1.12 Отрицательная проводимость                    QViep        HP             1, з             1

      1.13 Предельная резистивная частота                 fR          on              1               1
      1.14 Шумовая постоянная                                         on              1               1

      1.15 Резонансная частота                                        on             1, з             1

     2 Параметры режима эксплуатации диода

  2.1 Максимально допустимый импульс-                  'пр.и.макс     H               2              —
ный прямой ток

2