ГОСТ Р 57902-2017

Ф Е Д Е Р А Л Ь Н О Е А ГЕ Н Т С Т В О

                                    П О Т Е Х Н И Ч Е С К О М У Р Е ГУ Л И Р О В А Н И Ю И М Е ТР О Л О ГИ И




                                            НАЦИОНАЛЬНЫЙ                                   ГО СТ Р
                                               СТАНДАРТ
                                             РОССИЙСКОЙ
                                                                                           5 7902—
                                              ФЕДЕРАЦИИ                                    2017
                                                                                           (IEC/TS 62804-1:2015)



                                М О Д УЛИ Ф О Т О Э Л Е К Т Р И Ч Е С К И Е

                       Испытания на деградацию, вызванную высоким
                                       напряжением
                                                               Ч а с т ь        1


                               Фотоэлектрические модули на основе
                                    кристаллического кремния


                                                 (IEC/TS 62804-1:2015,
                     Photovoltaic (PV) modules — Test methods for the detection of potential induced
                                        degradation — Part 1: Crystalline silicon,
                                                         MOD)




                                                         И зд ан ие о ф и ц и ал ь н о е




                                                                        Москва
                                                                    Стандартинформ
                                                                         2017




георадарная съемка

ГО СТ Р 57 9 02 — 2017


                                               Предисловие
      1 П О ДГО ТО ВЛЕН Обществом с ограниченной ответственностью «ВИ ЭСХ -В О ЗО Б Н О В ЛЯЕ М Ы Е
И С ТО Ч Н И КИ Э Н Е Р ГИ И » (О О О « В И Э С Х -В И Э ») на основе собственного перевода на русский язык ан­
глоязычной версии международного документа, указанного в пункте 4

      2 В Н Е С ЕН Техническим комитетом по стандартизации Т К 0 1 6 «Электроэнергетика»

     3 У Т В Е Р Ж Д Е Н И ВВЕДЕН В Д Е Й С ТВ И Е Приказом Федерального агентства по техническому ре­
гулированию и метрологии от 3 ноября 2 0 1 7 г. №> 1645-ст

        4 Настоящий стандарт является модифицированным по отношению к международному документу
1ЕСЯБ 62 8 04 -1 :2 0 1 5 «Модули фотоэлектрические. Методы испытания на деградацию, вызванную элек­
трическим потенциалом. Часть 1. Фотоэлектрические модули на основе кристаллического кремния»
(IE C /T S 62 8 04 -1 :2 0 1 5 «Photovoltaic (P V ) modules — Test methods for the detection of potential induced
degradation — Part 1: Crystalline silicon». M O D ) путем изменения отдельных ф раз. слов, ссылок, которые
выделены в тексте курсивом.
        Внесение указанных технических отклонений направлено на учет потребностей национальной
экономики Российской Федерации и особенностей объекта стандартизации, характерных для Россий­
ской Федерации.
        Наименование настоящего стандарта изменено относительно наименования указанного между­
народного документа для приведения в соответствие с ГО СТ Р 1.5— 2 0 1 2 (пункт 3.5).
        Сведения о соответствии ссылочных национальных и межгосударственных стандартов м еждуна­
родным стандартам, использованным в качестве ссылочных в примененном международном докумен­
те. приведено в дополнительном приложении ДА

      5 ВВЕДЕН ВПЕРВЫ Е




     Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона
от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об из­
менениях к настоящему стандарту публикуется в ожегод1Юм (по состоянию на 1 января текущего
года) информациоююм указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений
и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае
пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет
опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные
стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в ин­
формационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по
техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.gost.ru)




                                                                                    © Стандартинформ. 2017

     Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и рас­
пространен в качестве официального издания без разреш ения Федерального агентства по техническо­
му регулированию и метрологии
II

ГО СТ Р 57 9 02 — 2017


                                                                                  Содержание
1 Область п р и м е н е н и я ................................................................................................................................................................ 1
2 Нормативные ссы л ки................................................................................................................................................................2
3 Выбор о б р а з ц о в ........................................................................................................................................................................3
4 Порядок проведения испытаний.......................................................................................................................................... 4
5 Предварительная о б р аб отка.................................................................................................................................................6
6 Начальные испытания......................................                                                                                                                                       6
7 В ы д ер ж ка...................................................................................                                                                                                7
   7.1 Испытательное оборудование и м атериалы .......................................................................................................... 7
   7 .2 Метод А ..................................................................................................................................................................................8
   7 .3 Метод В ..............................................................                                                                                                                  11
8 Восстановление........................................................................................................................................................................ 15
9 Заключительные испы тания................................................................................................................................................ 15
10 Протокол испытаний.............................................................................................................................................................15
Приложение Д А (справочное) Сведения о соответствии ссылочных межгосударственных
                        и национальных стандартов международным стандартам, использованным
                        в качестве ссылочных в примененном международном д окум енте................................... 18
Б иблиограф ия..............................................................................................................................................................................19

ГОСТ Р 57902—2017
                                                                                         (IEC/TS 62804-1:2015)

Н А Ц И О Н А Л Ь Н Ы Й              С Т А Н Д А Р Т            Р О С С И Й С К О Й            Ф Е Д Е Р А Ц И И




                                       М О ДУЛ И Ф О Т О Э Л Е К Т Р И Ч Е С К И Е

                   И сп ы тан и я на д е гр ад а ц и ю , вы зван ную в ы со ким нап р яж ен ием

                                                      Часть 1

                  Ф о тоэл ектри ч ески е м од ул и на о сн о в е кр и с та л л и че с ко го крем ния

      Photovoltaic modules. Potential induced degradation tests. Part 1. Crystalline silicon photovoltaic modules



                                                                                     Дата введения — 2018— 07—01


     1 Область применения
      Настоящий стандарт распространяется на наземные фотоэлектрические модули на основе кри­
сталлического кремния. Стандарт устанавливает методы испытаний на стойкость к кратковременному
воздействию высокого напряжения, приводящему к деградации фотоэлектрических модулей в процес­
се эксплуатации.
      Стандарт распространяется на фотоэлектрические модули, которые содержат:
      - фотоэлектрические элементы из кристаллического кремния с пассивирующим/просветляющим
диэлектрическим покрытием, механизмы деградации которых могут быть обусловлены подвижностью
ионов, влияющих на электрическое поле вблизи поверхности фотоэлектрических элементов или элек­
трически взаимодействующих с ними;
      - стеклянное покрытие на рабочей поверхности.
      Настоящий стандарт не распространяется на фотоэлектрические модули с концентраторами сол­
нечного излучения, а также модули, выполненные из тандемных фотоэлектрических элементов.
      П р и м е ч а н и е — Настоящий стандарт может быть применен к фотоэлектрическим модулям, состоя­
щим из многопереходных (многослойных и матричных) фотоэлектрических элементов на основе кристаллического
кремния, если механизмы и процессы их деградации в условиях испытаний, установленных в разделе 7, аналогич­
ны механизмам и процессам деградации указанных фотоэлектрических модулей из элементов с одним р-п пере­
ходом. В этом случае при начальных и завершающих испытаниях должны учитываться особенности измерения
вольт-амперных характеристик (ВАХ) таких модулей*.

      В условиях эксплуатации периодически возникают ситуации, когда на один фотоэлектрический мо­
дуль поступает все напряжение постоянного тока фотоэлектрической системы, предельное значение кото­
рого определяется при создании системы исходя из характеристик фотоэлектрических модулей или уста­
новленного значения, и может быть равно максимально допустимому напряжению модуля. Относительно
кратковременные воздействия такого высокого напряжения на фотоэлектрические модули в процессе
эксплуатации вызывают различные механизмы в деталях конструкции модуля, приводящие к возникно­
вению разницы потенциалов между цепями фотоэлектрических элементов и заземленными поверхностя­
ми модуля и. как следствие, к деградации. В фотоэлектрических модулях на основе кристаллического
кремния указанная деградация, прежде всего, связана с ионным переносом в герметиках и покрытиях
рабочей и тыльной поверхностей; разогревом носителей заряда в фотоэлектрических элементах; пере­
распределением зарядов, которое ухудшает характеристики слоев и поверхности фотоэлектрических эле­
ментов; разрушением клеевых соединений: коррозией компонентов. В некоторых конструкциях под д ей­
ствием высокого напряжения происходит разрушение р-п переходов и изменение характеристик пробоя.

     ‘ См. [1].


Издание официальное
                                                                                                                    1