ГОСТ 4.64-80

Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й   С Т А Н Д А Р Т
                                 С О Ю З А    ССР




                    СИСТЕМА ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА ПРОДУКЦИИ

                  ОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
                            НОМЕНКЛАТУРА ПОКАЗАТЕЛЕЙ

                                  ГОСТ 4.64-80

                                 Издание о ф и ц и а л ь н о е




                      ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ
                                          Москва




предметы декора

УДК 621.J1S.J92:M8.562:006.3J4                                    Групп* TS1

Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й        С Т А Н Д А Р Т     С О Ю З А     ССР



       Система показателей качества продукции
         ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
                                                             ГОСТ
              Номенклатура показателей
             Product-quality index system.               4 . 6 4 - 80 *
               Semiconductor materials.
                Nomenclature ol indices



Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 12 мае
1980 г. Нв 20J9 срок действие установлен
                                                              с 01.07.51


   Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных
показателей качества объемных монокристаллов полупроводнико­
вых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению (пер­
спектив развития этой группы продукции, государственные стан­
дарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру
показателей качества, включаемых п разрабатываемые п перспек­
тивные стандарты на продукцию. ТЗ на ОКР, технические усло­
вия. карты технического уровня и качества (Продукции.
   Коды ОКП приведены в справочном приложении 1.
 1. НОМЕНКЛАТУРА ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА ОбЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ
                 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

   Номенклатура показателей качества, единицы измерения, ус­
ловные обозначения, а также характеризуемые свойства, приведе­
ны в табл. 1.
   Алфавитный перечень показателей качества полупроводнико­
вых материалов приведен в справочном приложении 2.




Издание официальное                                    Перепечатка воспрещена
         ★
        * Переиздание f февраль 1985 *■) с Изменением М I. утвержденным
              с марте № 5 г. Пост. М 545 от 13.03.85 (ИУС 6 -8 5 ).
                                        © Издательство стандартов, 1985
 С MS

Стр. 2 ГОСТ 4 64—SO


                                                                        Таблица I

                                            Условное обоз-
   Показатель хдясетм я ехиничэ тчереняя   язчеяяе показа      Характеризуемое caeflcrno
                                            теля качества

       !. Удельное электрическое сопро­                        Электрофизическое
   тивление. Ом-см                                           свойство
       1.1. Номинальное значение удель­            Р,.
   ного электрического сопротивления.
   Ох-см
       1.2. Интервал номинальных значе­      Рн—Р».
   ний удельного электрического сопро­
  тивления. Ом-см
      1-3. Интервал значений удельного        Р>-Р»
  электрического сопротивления. Ом-см
      2. Относительное отклонение удель­       l ?t            Электрофизическое
  ного электрического сопротивления                          свойство
  от среднего значения по длине моно,
  христаллнчсского считка, %
      3. Радиальное относительное от­          6pff            Эл скгрофизи ческое
  клонение удельного электрического                          свойство
  сопротивления от среднего значения
  по торцу монокристаллического слит­
  ка. %
     4. Относительное отклонение сред-         *Рп             Электрофизическое
  них значений удельного электричес­                         СВОЙСТВО
  кого сопротивления торцов от коми,
  нального значения удельного элек­
  трического сопротивления, %
     5. Ориентация     продольной оси        \hki[             Кристаллографическое
  моиохристаллического слитка                                свойств:)
     6. Огклонекке плоскости торцово­              а           Кристаллографическое
 го среза от плоскости ориентации, °                         свойство
     7. Концентрация атомов оптичес­           *Рн             Химический состав
 ки. активных примесей, см~*
    7.1. Концентрация атомов оптнчес-         N 0,
 кн активного кислорода, см-3
    7;2. Концентрация атомов оптичес­         Лгс
 ки активного углерода, см-3
    8. Геометрическая характеристика
поперечного сечения монокрветалли-
чоского слитка
    8.1. Диаметр монокрнстзллического          d
слитка, мм
    8.2. Интервал номинальных значе­       <fn,—da,
ний диаметров, мм
   8.3. Площадь поперечного сечения            s
моиокристаллического слитка, мм*
   9. Отклонение диаметра монокрис-           Mi                        -
талличсского слитка от номинально­
го значения, ми
    10. Длина      моиокристаллического        i
слитка, мм

ГОСТ 444—М Стр. 3


                                                               Продо.гжение табл. I

                                            Условное обоз-
 Показатель i.«чести» и «линии» к»мсреви»   качение показа­    Х арактериауеяое еволстоэ
                                            тели жочестпй


  11. Плотность дислокаций, см~*                No              Структурное совершен­
                                                              ство
  12. Время жнзпи неравновесных                   X             Электрофизическое
носителей заряда, мне, или диффузи-               А           свойство
оиная длина, мн
  13. Суммарная длина малоугловых              МУ Г             Структурное совершен-
гранки, мм или доли диаметра                                  сгво
  14. Концентрация основных носите-               •V            Электрофизическое
лен заряда, см~*                                              свойство
  15. Относительное отклонение от                ьм             Электрофизическое
номинального значения концентра­                              свойство
ции основных носителей заряда. %
   16. Подвижность основных носите-               в             Электрофизическое
лей заряда. см*/(В.с)                                         свойство
  17. Внешние дефекты (трещины.                                         —
раковины, сколы!
  18. Внутренние дефекты                                        Структурное совершен­
                                                              ство
  18.1. Раковины, грешияы
  18.2. Наличие второй фазы
  163 Наличие двойниковых граями
  18.4. Наличие свирл-дсфектов




    Примечания:
    1. Допускается использование друга* показателей качества, связанных с
особенностями отдельных полупроводниковых материалов, по согласованию с
потребителями.
    2 В качестве удельного электрического сопротивления используется один из
показателей 1.1—1.3.
    В качестве геометрической характеристики поперечного сечения монокрис-
тзллнчеекого слитка используется один и з показателей 8 1—ЯЛ.
    Внутренние дефекты характеризуются показателем 18 иди комплексом по­
казателей 18.1—>18.4
    3. Для германия вместо показателя 4 используется показатель: «Относи­
тельное отклонение значений удельного электрического сопротивления торнов от
номинального значения удельного электрического сопротивления, %».
      (Измененная редакция, Изм. № I).

                  2. ПРИМЕНЯЕМОСТЬ ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА


   Применяемость показателей качества полупроводниковых ма­
териалов приведена в табл. 2—S.
 2’