ГОСТ 29283-92

Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й         С ТАНДАР Т
                                               С О ЮЗ А ССР




                                 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ.
                                    ДИСКРЕТНЫЕ ПРИБОРЫ И
                                     ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
                                    Часть   5. ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ

                                              ГОСТ 29283-92
                                             (МЭК 7 4 7 - 5 - 8 4 )
                  БЗ С—«1/804




                                              Издание официальное




                                   КОМИТЕТ СТАНДАРТИЗАЦИИ И МЕТРОЛОГИИ СССР
                                                    Москва




оценка квартиры

УДК 681.782.473 006.354                                                  Группа Э2»
 Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й               с т а н д а р т     с о ю з а     ССР

         ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
    д и скретн ы е п ри бо ры и и н тегра льн ы е
                             СХЕМЫ                                    гост
              Часть 5. Оптоэлектронные приборы                     29283—92
                      Semiconductor devices.
             Discrete devices and integrated circuits.
                  Part 5. Optoelectronic devices                (МЭК 7 4 7 - 5 )
 ОКП 621 000

                                                               Дата введения 01,01.93

                           Г л а в а I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ

     1. Вводное примечание
    Настоящий стандарт следует применять, вместе с МЭК 747— 1*,
 в котором приведены:
    терминология;
    буквенные обозначения;
    основные предельно допустимые значения параметров н харак­
 теристики;
    методы измерения;
    приемка и надежность.
   2. Область применения
   Настоящий стандарт устанавливает требования к следующим
классам или подклассам приборов:
   полупроводниковые излучатели, включая:
   оптоэлектронные полупроводниковые приборы отображения ин­
формации (на рассмотрении),
   светоизлучающие диоды (СИ Д),
   инфракрасные излучающие диоды (ИК-диоды).
   полупроводниковые лазеры (на рассмотрении);
   полупроводниковые фоточувствнтсльные приборы, включая:
    • До прямого применения стандарта .МЭК о качестве  государственного
стандарта рассылку данного стандарта МЭК на русском языке осуществляет
ВНИИ «Элоктронстандзрг».

Издание официальное
                                             @ Издательство стандартов, 1992
  Настоящий стандарт ие может быть полностью или частично воспроизведен.
      тиражирован и распространен без разрешения Госстандарта СССР.
2 Зак. 533

С. 2     ГОСТ   20283— 82

   фотодиоды,
   фототранэисторы
   фототиристоры (на рассмотрении);
   фотопары, оптопары.
   Порядок следования различных     глав соответствует                   МЭК
747— 1.

         Г л а в а II. ТЕРМИНОЛОГИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ

    П р и м е ч а н и е . Ряд дополнительных терминов, касающихся оптоэлехгрои-
мых приборов, нбпрнмер, для радиометрических, фотсметрячосхнх и еяектрофо-
тометрнческих величин. приведен в гл. 45 Международного элечетротехнячеежого
сло®*ря (МЭС).

    1.    Типы полупроводниковых оптоэлектронных приборов
   1.1. Оптоэлектронный полупроводниковый прибор
   Полупроводниковый прибор, который испускает, модулирует
или реагирует на когерентное или некогерентиое электромагнит­
ное излучение в видимой, инфракрасной и/или ультрафиолетовой
областях спектра, или использует электромагнитное излучение для
внутреннего взаимодействия его элементов.
    1.2. Полупроводниковый излучатель
   Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, который преоб­
разует электрическую энергию в энергию излучения.
   1.3. Оптоэлектронный полупроводниковый прибор отображения
информации
   Полупроводниковый излучатель, предназначенный для отобра­
жения визуальной информации.
   1.4. Светоизлучающий диод (СИД)
   Диод, который испускает энергию излучения з видимой об ­
ласти спектра за счет рекомбинации электронов и дырок.
   1.5. Инфракрасный излучающий д и о д (И К -Д И О д )
   Диод, который испускает энергию излучения в инфракрасной
области спектра за счет рекомбинации электронов и дырок.
   1.6. Полупроводниковый лазер
   Полупроводниковый оптоэлсктронный прибор, который испус­
кает энергию когерентного излучения с помощью индуцированной
эмиссии за счет рекомбинации электронов и дырок.
   1.7. Полупроводниковый фоточувствнтельный прибор
   Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнит­
ному излучению в видимой, инфракрасной н/нли ультрафиолето­
вой областях спектра.
   1.8. Фотоэлектрический приемник излучения
   Физический приемник, действие которого основано на внеш­
нем или внутреннем фотоэффекте.
   1.9. Фоторезистор

ГОСТ   29283—92 С.   3

   Фотоэлектрический полупроводниковый приемцнк. в котором
поглощение излучения повышает проводимость за счет внутренне­
го фотоэффекта.
   1.10. Фотогальванический приемник
   Фотоэлектрический приемник, в котором поглощение излуче­
ния вблизи р — п перехода между двумя полупроводниками или
вблизи контакта между полупроводником и металлом вызывает
электродвижущую силу.
    1.11. Фотодиод
   Полупроводниковый диод с р —п переходом между полупровод­
никами двух различных типов или между полупроводником и ме­
таллом. в котором поглощение излучения вблизи перехода вызы­
вает:
   внутренний фотоэффект, при смещении диода в обратном на­
правлении;
   фотогальванический эффект, при смещении диода в прямом на­
правлении.
    1.12. Фототранзистор
   Транзистор, в котором используется фотоэффект.
    1.13. Фототиристор
   Тирнетор, приводимый в действие энергией излучения.
    1.14. Фотопара, оптопара
   Оптоэлектронный полупроводниковый прибор с электрической
изоляцией между входом и выходом, предназначенный для пере­
дачи электрических сигналов с помощью энергии излучения.
   2.   Термины, относящиеся к предельно допустимым значениям
параметров и характеристикам
    2.1. Длина волны максимального излучения (Х„)
    Длина волны, при которой сила спектрального излучения име­
ет максимальное значение.
    2.2. Длина волны излучения при максимальной чувствительно­
сти
    Длина волны излучения, при которой спектральная чувстви­
тельность имеет максимальное значение.
    2.3. Ширина спектра излучения (ДХ)
    Интервал длин волн, в котором спектральная плотность силы
излучения больше или равна половине ее максимального значе­
ния.
    2.4. Диаграмма направленности излучения
    Диаграмма, характеризующая (реалвпое или предполагаемое)
пространственное распределение излучения от оптоэлектронного
прибора.
    2.5. Диаграмма чувствительности
    Диаграмма, представленная в полярных или прямоугольных ко-
2'