ГОСТ 27694-88

ГОСТ 27694-88

                                 М Е Ж Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й                    С Т А Н Д А Р Т




                                                      МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ


                                                     УСИЛИТЕЛИ низкой,
                                                 ПРОМЕЖУТОЧНОЙ и высокой
                                                          ЧАСТОТЫ
                                              МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ



                                                               Издание официальное
                                БЗ 1 2 -9 8




                                                          ИПК ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ
                                                                    Москва




испытания электрооборудования

УДК 621.049.77.001.4:006.354                                                                      Группа Э29


М Е Ж Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й                                               С Т А Н Д А Р Т

                          .Микросхемы интегральные

             УСИЛИТЕЛИ НИ ЗКО Й , ПРОМ ЕЖ УТОЧНОЙ
                    И ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ                                                      ГОСТ
               Методы измерения электрических параметров                                 27694-88

      Integrated circuits. Low-, intermediate- and high-frequency am;iplifiers.
                     Methods of measuring electric parameters

 ОКП 62 3100

                                                                                       Дата введения 01.01.90


      Настоящий стандарт распространяется на усилители низкой, промежуточной и высокой частоты
(далее — микросхемы) и устанавливает требования для методов измерения электрических параметров.
     Термины и определения — по ГОСТ 19480.
     Соответствие настоящего стандарта СТ СЭВ 1622—79 и СТ СЭВ 3411—81 приведено в приложе­
нии I.

                                          1. О БЩ И Е ТРЕБОВАНИЯ

      1.1. У с л о в и я и р е ж и м и з м е р е н и я
      1.1.1. Электрические параметры следует измерять в нормалы 1ых климатических условиях по ГОСТ
20.57.406 или в условиях, установленных в стандартах или технических условиях (далее — ТУ) на
микросхемы конкретных типов.
      1.1.2. Режимы измерений электрических параметров микросхем должны соответствовать установ­
ленным в стандартах или ТУ на микросхемы конкретных типов.
      1.1.3. Погрешность установления и поддержания параметров режима питания микросхем при
измерении должна находиться в пределах ± 5 %. Нестабильность источников питания, вызванная
изменением напряжения сети и температурой окружающей среды, должна быть в пределах ±1 % для
источников постоянного тока и ± 2 % — для источников переменного и импульсного токов.
      1.1.4. Электрические параметры микросхем измеряют в установившемся статическом, динамичес­
ком и тепловом режимах работы. Время между отдельными измерениями должно быть минимальным.
      1.1.5. Во время проведения измерений предельное отклонение установленной температуры окру­
жающей среды должно быть в пределах ± 2 'С.
      1.1.6. Границы интервала погрешности методов измерения должны находиться в пределах:
      ± 10 % — для измерения в статическом      режиме;
      ±20 %       *      *     * динамическом       *
      1.2. А п п а р а т у р а
      1.2.1.        Средства измерения должны соответствовать требованиям ГОСТ 22261, а также требовани­
ям. установленным в настоящем стандарте.
      (Измененная редакция, Изм. № 2).




Издание официальное                                                                   Перепечатка воспрещена
      *
                                                                            © Издательство стандартов, 1988
                                                                       © И ПК Издательство стандартов, 1999
                                                                               Переиздание с Изменениями

С. 2 ГОСТ 2769 4 -8 8

       1.2.2. Частотный диапазон приборов должен соответствовать частотному диапазону измеряемых
микросхем или быть шире. При необходимости требования к частотному диапазону приборов должны
быть указаны в методах измерения конкретных параметров микросхем.
       1.2.3. В измерительных установках места подключения измерительных приборов для контроля
параметров режима могут отличаться от указанных на структурных схемах. При этом погрешность
установления и поддержания режимов не должна выходить за установленные пределы.
       1.2.4. В измерительных установках приборы для измерения параметров режима могут отсутство­
вать. если обеспечена требуемая точность установления и поддержания режима. Допускается применять
в измерительных установках дополнительные измерительные приборы и сигнальные устройства. При
этом погрешность измерения параметров микросхем не должна выходить за установленные пределы.
       1.2.5. Полное входное сопротивление измерительных приборов должно превышать полное сопро­
тивление микросхем между точками их подключения не менее чем в 100 раз или должно быть учтено
при определении значения нагрузки или погрешности измерения.
       1.2.6. Резисторы, значение сопротивления которых влияет на результат измерений, должны иметь
допуск не более I %. Конденсаторы, значение емкости которых влияет на результат измерений,
должны иметь допуск не более 5 %.
       1.2.7. Ятя зашиты микросхем от перегрузок, возникающих под действием переходных процессов,
статического электричества и паразитного самовозбуждения, измерительные установки должны быть
снабжены устройствами зашиты, исключающими возможность превышения предельно допустимых
электрических режимов, установленных в ТУ на микросхемы конкретных типов.
      Применение защитных устройств не должно приводить к увеличению погрешности измерений.
       1.2.8. Характер и значение нагрузки, схема подключения нагрузки должны соответствовать уста­
новленным в ТУ на микросхемы конкретных типов. Допустимое отклонение сопротивления нагрузки
не должно превышать 1 %.
       1.2.9. Характер и значение элементов измерительной схемы (схемы включения микросхемы)
должны соответствовать установленным в ТУ на микросхемы конкретных типов.
       1.2.10. Контактирующие устройства измерительных установок должны обеспечивать надежное
электрическое подключение микросхем, исключающее механическое повреждение выводов.
       1.2.11. При измерениях электрических параметров микросхем на высокой частоте влияние реак­
тивных составляющих элементов (резисторов, конденсаторов, монтажных проводов, кабелей, контак­
тирующих устройств, переключателей и т. п.) должно быть таким, чтобы оно практически не сказыва­
лось на погрешности измерения параметров микросхем или должно быть учтено при расчете показате­
лей точности измерений.
       1.3. Т р е б о в а н и я б е з о п а с н о с т и
       1.3.1. Измерение электрических параметров микросхем относится к работам по управлению элек­
троустановками с напряжением д о КИЮ В.
       1.3.2. Измерительные установки при эксплуатации должны соответствовать требованиям
ГОСТ 22261, ГОСТ 12.1.019, ГОСТ 12.1.030, ГОСТ 12.2.003 и ГОСТ 12.3.019.
       1.3.3. Силовые трансформаторы измерительных установок должны соответствовать требованиям
ГОСТ 12.2.007.2.
       1.3.4. К измерениям электрических параметров микросхем допускаются операторы, прошедшие
специальную подготовку и имеющие допуск к указанным работам.
       1.3.5. В целях обеспечения безопасности труда при выполнении измерений электрических пара­
метров микросхем необходимо предусмотреть:
      - защиту изоляции наружной электропроводки измерительных установок от механических, хи­
мических и термических повреждений;
      - наличие и надежность заземления элементов схемы установок;
      - защиту контактируюущих приспособлений для подключения микросхем, исключающую воз­
можность прикасания оператора к токоведущим частям установок.

ГОСТ 2 7 6 9 4 -8 8 С. 3

                2. МЕТОДЫ ИЗМ ЕРЕН ИЯ ДИАПАЗОНА АВТОМАТИЧЕСКОЙ
                            РЕГУЛИРОВКИ УСИЛЕНИЯ

      2.1. Для микросхем без схемы управления измерение диапазона автоматической регулировки
усиления по напряжению (далее — АРУ) проводят по методу I. для микросхем со схемой управления
— по методу 2.
      2.2. М е т о д 1
      2.2.1. Аппаратура
      2.2.1.1. Измерения проводят на установке, электрическая структурная схема которой приведена
на черт. I.




                                             Черт. 1


     (Измененная редакция, Изм. № 2).
     2.2.1.2. Генератор сигналов должен обеспечивать установление и поддержание напряжения на
входе микросхемы с погрешностью в пределах ±3%. Погрешность установления частоты должна быть в
пределах ± I %. Коэффициент гармоник должен быть в пределах ± 5 %.
     2.2.1.3. Погрешность измерителей переменного напряжения должна быть в пределах ± 5 %.
     2.2.2. Подготовка и проведение измерении
     2.2.2.1. Устанавливают напряжение питания микросхемы, значение которого установлено в ТУ на
микросхемы конкретных типов.
     2.2.2.2. На вход микросхемы подают сигналы Ult и Uu , соответствующие минимальному и мак­
симальному значению напряжения. Значение напряжения, частота (количество контролируемых то­
чек) и условия выбора сигналов £/,,, Ul2 установлены в ТУ на микросхемы конкретных типов.
     2.2.2.3. Измеряют выходные напряжения UM и 6'12 микросхемы.
     2.2.3. Обработка /зезу.зынатов
     Диапазон АРУ (ЛО'С) вычисляют по формуле



                                               /,Umm                                         ( 1)


где Av тм — максимальный коэффициент усиления напряжения микросхемы, определяемый по ф ор­
             муле


                                        А                                                    ( 2)