ГОСТ 25196-82

4&/J6



                      Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й       С Т А Н Д А Р Т
                                    С О Ю З А       ССР




                       ОБОРУДОВАНИЕ ВАКУУМНОЕ.
                        УСТАНОВКИ ДЛЯ ИОННОЙ
                            ИМПЛАНТАЦИИ
                              ОБЩИЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ТРЕБОВАНИЯ


                                    ГОСТ 2 5 1 9 6 -8 2
                                  (СТ СЭВ 2 7 6 0 -8 0 )

                                     Издание официальное
    3 кол.




    2
    ё
                          ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ
                                           Москва




/
    воротник стойка

У ДК (21.52 : 621.38.002.5 : 006.354                                  Групп* Э71

Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й          С Т А Н Д А Р Т      СО Ю З А        ССР



           ОБОРУДОВАНИЕ ВАКУУМНОЕ.
      УСТАНОВКИ ДЛЯ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ                         ГОСТ
             Общие технические требования
Vacuum equipement. Apparatus for ion implantation.
                                                           2 5 1 9 6 -8 2
           General technical requirement                   (CT СЭВ 2760—80f

ОКП 62 7335

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 31 марта
1982 г. Н? 1383 срок действия установлен
                                                                  С 01.07 1983 г.
                                                                 д о 01.07 1988 г.


                 Несоблюдение стандарта преследуется по аакону

    1. Настоящий стандарт распространяется на установки для
ионной км плантации (далее— установки), предназначенные для
внедрения ионов твердых, газообразных н ж идких веществ массой
от 1.660 57-10-27 до 217,534 6 7 -10"27 к г (от I до 131 а. е. м.), в том
числе элементарных н многозарядных ионов бора, фосфора, цин­
ка, мышьяка, селена и сурьмы с эквивалентной энергией ионов
от 1,6-10~15 до ) .6-10—13 Д ж (от 10 до 1200 кэВ) при изготовлении
полупроводниковых приборов, интегральных схем и других изде­
лий .микроэлектроники.
   Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2760—80.
   2. Технические требования к установкам — по ГОСТ 21686—81.
   3. Установки должны обеспечивать один из режимов обра­
ботки изделий:
   поштучный;
   групповой;
   комбинированный.
   4. Число пластин, обрабатываемых за один цикл па установке,
должно быть кратным 25.




Издание официальное                                      Перепечатка воспрещена

         ★
                                        © Издательство стандартов, 1982

Стр. 2 ГОСТ 25196—12


    5. Предельное остаточное давление в установке должно быть
не более 1,3-I0 "4 Па.
    6. Минимальный ионный ток следует выбирать из ряда: 0.01;
0.1; I; 10: 100; 500; 1000 мкА.
    7. Максимальный ионный ток следует выбирать из ряда: 0.03;
0.1; 0.5; 1; 2; 5; 10 мЛ.
    8. Неравномерность дозы имплантации следует выбирать из ря­
да: 0,5; 1; 2; 4%.
    9. Показатели надежности установок следует определять нара­
боткой на отказ, средним временем восстановления и средним
ресурсом в соответствии с ГОСТ 24786— 81.
    Наработку на отказ следует выбирать из ряда: 100, 125, 160,
200, 250. 400, 500, 630, 800, 1000 ч.
    Среднее время восстановления должно быть не более 4 ч.
    Средний pecvpc следует выбирать из ряда: 5000, 5600, 6300,
7100, 8000. 9000', 10000 ч.




                             Редактор Е. И. Глазкоаа
                       Технический редактор В. И. Малъкова
                             Корректор Г. М. Фролова
 ГОСТ 25196-82


Сдано в ил ',. 13.01.83 Подп. к геч. О Ш Ю ОМ п. л. 0.И уч.-ю *. л . Тир. 10003   3 коп.
Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов. 123357. М осква. Ноаопресмевеки» пер.. 3
             Тип. «Московский печвткик». Москва. Лядин пер . в. Зак. М7