ГОСТ 24459-80

Цене 3 коп.

214/59-дО

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ
ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
И ЭЛЕМЕНТОВ
ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ

ГОСТ 24459—80

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ
Москва

УДК 621,3.049.77 : 006.354 Группа 202
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
EE

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИХ ГОСТ
УСТРОЙСТВ И ЭЛЕМЕНТОВ ЗАПОМИНАЮЩИХ 24459—80
рекой Е
©.

Я i {в части запоминающих
Integrated mfcrocircuits for устройств м элементов

storages and its elements, запоминающих уст-.
азс parameters ройста] и ГОСТ 17447 —72

{в части пп. Зм 4]

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 11 декабря
4980 г, № 5776 срок введения установлен
< 01.04 4982 г.

Несоблюдение стамдарта преследуется по закону

1. Настоящий стандарт распространяется на интегральные
микросхемы запомннающих устройств и элемептов запоминающих
устройств: оперативные запомннающие устройства; ассоциативные
запоминающие устройства; запоминающие устройства ма прибо-
рах с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменах;
постоянные запоминающие устройства, программируемые маской;
постоянные запоминающие устройства с однократным электриче-
ким программированием; постоянные запоминающие устройства
< многократным электрическим программированием; усилители
воспроизведения; формирователи разрядного и адресного токов.

Стандарт устанавливает допускаемые сочетания значений ос-
новных параметров:

для запоминающих устройств — число информационных слов,
‘число разрядов в информационном слове, время выборки, удель-
ную потребляемую мощность;

для запоминающих устройств на приборах с зарядовой связью
и цилиндрических магнитных доменах — частоту сдвигающих
импульсов (тактовую частоту);

для ‘уснлителей воспроизведения — максимальное среднее
‘время задержки распространения и минимальное входное напря-
жение срабатывания усилителя;

для формирователей разрядного и здресного токов — макси-
мальное среднее время задержки распространеиня и максималь-
ный выходной импульсный ток.

Издание официвльное Перепечатка воспрещена
*

© Издательство стандартов, 1961

Стр. 2 ГОСТ 24459—80

2. Допускаемые сочетания значений“ числа информационных
слов и числа разрялов в информационном слове оперативных за-
поминающих устройств, ассоциативных запоминающих устройств,
а также внешних запоминающих устройств, выполненных на 0с-
нове приборов с зарядовой связью и цилиндрических магнитных
доменов, должны соответствовать указанным в табл. |.

Таблица 1
Число информационных слов
Pa
wfelelels/sls/sis|¥]a] 3H] 8/ 8] £8
1 +|+|+|х1х| |х|х|х|х|х ххх] x
2 + хх Xx) xT x
4 т al bi bod ххх]
i НОВ

Примечание. В табл. 1 и2 Ка 1024,

3. Допускаемые сочетания значений числа информационных
слов и числа разрядов в информационном слове постоянных за.
помннающих устройств, постоянных запоминающих устройств
с однократным электрическим программированием и постоянных
запоминающих устройств с многократным электрическим програм-
мированием должны соответствовать указанным в табл.

Таблица 2

'Чесло информациениых слой

32 | 256 | 52 ve | ae | a | || sa [вах mac
+] |+ x
x] + хх xX] x] x] xx] x] x] x
+|х|х| ххх ххх хх
ххх] xX) x
xx] |

4. Допускаемые сочетания значений времени выборки опера-
тивных запоминающих устройств и времени пояска информации
ассоциативных запоминающих устройств в зависимости от схемно-
С исполнения должны соответствовать указанным
в табл. 3.

* В табл. |7 отмечены знаком «+», для вновь разрабатываемых михро-
схем знаком «Х»,

ГОСТ 24459—80 Стр. 3

Таблица 3

вре. ВРеМЯ выборжи, ме
`Схемно-те ремя поиска ииформвиин, не

логическое
исаолнение интегральных =
М 25 10 | 16 | 25 | 40 | 63] 300) 153 29] 405) као

Ha основе эмиттерно-
связанной логики х|х|х|х|х|ж|х
На основе траизнс-
торно-траизиеторной ло
тики. основе инте-
гральной инжекционной’
логики KL PK) KEK XP) el ele
На основе п-каналь-
ных структур «металя—
дизлектрик —~ полупро-
BOANHK> x | х | ххх ххх! + +1 +
На основе комплемен-.
тарных структур «ме
твлл — днэлехтрик — No
лупроводинх» х | х [хх ххх хх! +| +

5. Допускаемые сочетания значений времени выборки постоян-
ных запоминающих устройств я постоянных запоминающих уст-
ройств с однократным электрическим программированием в зави-
CHMOCTH от схемно-технологического исполнения должны соответст-
вовать указанным в табл. 4.

Таблица 4

Bpenn выборки, не

их Posten, аз [а |6 | ю| 26 | 25) 40) 68 пы о

На основе эмиттерно.
связаниой логики хх|х|х|х|х|+
На основе транзистор:
но-транзисторной логи.
ки. На основе инте:
тральной инжекционной
‘логики х|х|х|х|+|+1+
На освозе л-каналь-
вых структур «металл —
диэлектрик — полупро-
Водник» ххх хх Px Epp +
На основе комплемеи“
тарных структур «me й
yaaa — дизлектрик —
полупроводних» хх REX EXT LL +