ГОСТ 22622-77

Группа ЕОО

                             М Е Ж Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й                                           С Т А Н Д А Р Т


                                             МАТЕРИАЛ Ы IЮЛ У11РОВОДН И КОВЫ Е

                                 Термины и определения основных электрофизических параметров                         ГОСТ
                                                       Semiconductor materials.                                    22622-77
                                                       Terms and definitions of

                             МКС 01.040.29
                                  29.045

                             Постановлением Государственного комнгсга стандартов Совета Министров СССР от 18 июля 1977 г. № 1755
                             дата введения установлена
                                                                                                                          01.07.78



                                   Н астоящ ий стандарт устанавливает прим еняем ы е в пауке, технике и производстве терм ины и
                             определения основных понятий полупроводниковых материалов.
                                   Т ерм ины , установленны е настоящ им стандартом, обязательны для прим енения в документации
                             всех видов, учебниках, учебных пособиях, технической и справочной литературе. П риведенны е оп ре­
                             деления м ож но, при необходимости, и зм енять по форм е и злож ен ия, не допуская наруш ения границ
                             понятий.
                                   Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Недопустимые к применению
                             терм ины -синоним ы приведены в стандарте в качестве справочны х и обозначены «Ндп».
                                  Д л я отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочны х крат­
                             кие ф орм ы , которые разреш ается п рим енять в случаях, исклю чаю щ их возмож ность их различного
                             толкования.
                                   В стандарте приведен алф авитны й указатель содержащихся в нем терминов на русском языке.
                                   С тандартизованны е терм ины набраны полуж ирны м ш риф том , их краткая ф о р м а — светлы м , а
                             недопустимые синоним ы — курсивом.
                                   В стандарте приведено прилож ение, содержащее общ ие понятия ф изики твердого тела, прим е­
                             няемы е к полупроводникам.

                                              Термин                                              Определение

                               1. Проводниковый материал                    Материал, предназначенный для использования его полупро­
                                                                         водниковых свойств
                               2. Полупроводник                             По ГОСТ 19880-74»

                                                          ВИДЫ И СОСТОЯНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

                               3. Простой полупроводник                     Полупроводник, основной состав которого образован атома­
                                                                         ми одного химического элемента
                               4. Сложный полупроводник                     Полупроводник, основной состав которого образован атома­
                                                                         ми двух или большего числа химических элементов
                               5. Электронный полупроводник                 Полупроводник, электропроводность которого обусловлена в
                                                                         основном перемещением электронов проводимости


                                  * На территории Российской Федерации действует ГОСТ Р 52002—2003 (здесь и далее).

                             Издание официальное                                                                Перепечатка воспрещена
                                   *
                                                          Издание с Изменением № I. утвержденным в мае 1982г.
                                                                             (ИУС 9 -8 2 ).

                                                                                  180



прочность бетона на сжатие

ГО С Т 2 2 6 2 2 -7 7 С . 2


                Термин                                            Определение

 6. Дырочный полупроводник                 Падупроводин к. электропроводность которого обусловлена в
                                        основном перемещением дырок проводимости
  7. Примесный полупроводник               Полупроводник, электропроводность которого определяется
                                        примесями
  8. Собственный па^унроводннк             Патунроводник. нс содержащий примесей, влияющих на ею
                                        электропроводность
 9. Вырожденный полупроводник              Патунроводник. уровень Ферми в котором расположен в зоне
                                        проводимости или в валентной тоне, или же в запрещенной зоне
                                        на расстоянии от границ указанных зон. мснынсм кТ
 10. Невырожденный полупроводник           Патунроводник. уровень Ферми в кагором расположен в зап­
                                        рещенной зоне на расстоянии от се границ, большем кТ
 11. Частично компенсированный полупро­    Примесный полупроводник, электронная (дырочная) прово­
     водник                             димость которою частично компенсирована дырочной (электрон­
                                        ной) проводимостью примесей
 12. Скомпенсированный полупроводник       Примесный полупроводник, в котором в нормальных усло­
                                        виях концентрации электронов проводимости и дырок проводимо­
                                        сти одинаковы

             ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ


  13. Носитель заряда                         По ГОСТ 19880-74
  14. Дырка проводимости                      Незаполненная валентная связь, которая проявляет себя как
      Дырка                                положительный заряд, численно равный заряду электрона
  15. Основные носители заряла полупровод­    Носители заряда, концентрация которых в данном полупро-
      ника                                 водникс преобладает
      Основные носители
  16. Неосновные носители заряда полупро­     Носители зараза, концентрация которых в данном полупро­
      водника                              воднике меньше, чем концентрация основных носителей заряда
      Неосновные носители
  17. Равновесные носители заряда полупро­    Н(Жители заряда, возникновение которых явилось следствием
      водника                              тепловых колебаний кристаллической решетки потупроводника в
      Равновесные носители                 условиях термодинамического равновесия
      Ндп. Тепловые K o a im e .n i
  18. Неравновесные носители заряда полу­     Носители заряда полупроводника, нс находящиеся в термоди­
      проводника                           намическом равновесии по концентрации и (или) по энергет ичес­
      Неравновесные носители               кому распределению
  19. Горячие носители заряла                 Неравновесные носители заряда полупроводника, средняя энер­
                                           гия которых существенно превышает равновесную энергию, со­
                                           ответствующую температуре кристаллической решетки
 20. Электронная электропроводность по­       Электропроводность полупроводника, обусловленная в основ­
      лупроводника                         ном перемещением электронов проводимости
      Электронная электропроводность
      Ндп. Электронная проводимость
 21. Дырочная электропроводность              Электропроводность полупроводника, обусловленная в основ­
      Ндп. Дырочная проводимость           ном перемещением дырок проводимости
 22. Собственная электропроводность           Электропроводность полупроводника, обусловленная генера­
      Ндп. Собственная проводимость        цией пар электрон проводимости — дырка проводимости при лю­
                                           бом способе возбуждения
 23. Примесная электропроводность полу­       Электропроводность полупроводника, обусловленная иониза­
      проводника                           цией атомов донорной или акцепторной примесей при любом спо­
      Примесная электропроводность         собе возбуждения
 24. Фотопроводимость                         Электропроводность полупроводника, обусловленная фоторс-
                                           зистивным эффектом
 25. Собственная концентрация носителей       Концентрация равновесных носителей заряда в собственном
      заряда полупроводника                полупроводнике
      Собственная концентрация
 26. Равновесная концентрация носителей       Концентрация подвижных носителей заряда в полупроводнике
      заряда полупроводника                в условиях термодинамического равновесия
      Равновесная концентрация
17-1—45                                             181

С . 3 ГОСТ 2 2 6 2 2 -7 7


                   Термин                                           Определение

 27. концентрация неравновесных носите­        Концентрация носителей заряда в полупроводнике, отличная
     лей заряда полупроводника              от равновесной
     Неравновесная концентрация
 28. И >быточная концентрация носителей        Избыток концентрации неравновесных носителей заряда в по­
     заряда полупроводника                  лупроводнике над концентрацией равновесных носителей заряда
     Избыточная концентрация
 29. Кри тическая концентрация электронов      Концензрапия электронов проводимости полупроводника, при
     проводимости полупроводника            которой уровень Ферми совпадает с нижней границей зоны прово­
     Критическая концентрация электро­      димости
     нов
 30. Критическая концентрация дырок про­    Концентрация дырок проводимости полупроводника, при ко­
     водимости полупроводника            торой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной
     Критическая концентрация дырок      зоны
 31. Эффективная масса носителя заряда      Величина, имеющая размерность массы и характеризующая
     полупроводника                      движение носителя зарята в полупроводнике под действием внеш­
     Эффективная масса носителя заряда   него электромагнитного поля
 32. Эффективное сечение захвата носите­    Величина, имеющая размерность плошали и обратная произ­
     ля заряда полупроводника            ведению концентрации носителей заряда данного типа в полупро­
     Эффективное сечение захвата         воднике на средний путь, проходимый носителями от освобожде­
                                         ния до захвата
 33. Диффузионная длина неосновных но­      Расстояние, на кагором в однородном полупроводнике при
     сителей заряда полупроводника       одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного
     Диффузионная длина                  полей избыточная концентрация неосновных носителей заряда
                                         уменьшается вследствие рекомбинации в е раз
 34. Объемное время жизни неравновесных     Среднее время между генерацией и рекомбинацией неравно­
     носителей заряда полупроводника     весных носителей зарядов в объеме полупроводника
     Объемное время жизни
 35. Поверхностное время жнши неравно­      Отношение избыточного количества неравновесных носителей
     весных носителей заряда полупровод­ заряда в объеме полупроводника к платности их потока на поверх­
     ника                                ности
     Поверхностное время жизни
 36. Эффективное время жизни неравно­          Величина, характеризующая скорость убывания концентрации
     весных носителей заряда полупровод­    неравновесных носителей заряда вследствие их рекомбинации как
     ника                                   в объеме, гак и на поверхности полупроводника
    Эффективное время жизни
 37. Длина дрейфа неравновесных носите­        Средняя длина переноса неравновесных носителей заряда в
     лей заряда полупроводника              полупроводнике электрическим полем за время, прошедшее с
     Длина дрейфа                           момента их возбуждения до рекомбинации
 38. Скорость 1м>всрхностнон рекомбинации      Отношение плотности потока носителей заряда, рекомбини­
     носителей заряда полупроводника        ровавших на поверхности полупроводника, к концентрации избы­
     Скорость поверхностной рекомбина­      точных носителей заряда у поверхности
     ции
 39. Энергия активации примесей полупро­       Минимальная энергия возбуждения примесного атома, необ­
     водника                                ходимая для создания примесной электропроводности полупровод­
     Энергия активации                      ника
 40. Концентрация вырождения полупро­          Минимальная концентрация носителей заряда, соответствую­
     водника                                щая вырождению полупроводника при данной температуре
     Концентрации вырождения
 41. Степень компенсации полу проводника       Отношение концентрации неосновных носителей заряда, со­
     Степень компенсации                    зданных возбужденной примесью, и собственных носителей заря­
                                            да полупроводника
 42. Инверсионный слой полупроводника           Приповерхностный слой полупроводника, обладающий элект­
     Инверсионный слой                      ропроводностью, противоположной по закону электропроводности
                                            глубинных слоев

                            ПРОЦЕССЫ И ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

 43. Освобождение носителя заряда полу-         Возникновение электрона проводимости или дырки проводи-
     ировна ника                            мости в результате возбуждения дефекта решетки полупроводника
     Освобождение носителя
                                                     182

ГО С Т 2 2 6 2 2 -7 7 С . 4


                 Термин                                              Определение

 44. Захват носителя заряда полупроводника      Исчезновение электрона проводимости или дырки проводимо­
     Захват носителя                         сти в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки
                                             полупроводника
 45. Инжекция носителей заряда                  Введение носителя заряда в полупроводник
     Инжекция
 46. ')кстракиия носителей заряда               Выведение носителя заряда из полупроводника
     Экстракция
 47. Генерация носителей таряда полупро­     Процесс превращения связанного электрона в свободный, со­
     водника                              провождающийся образованием незавершенной связи с избыточ­
     Генерация                            ным положительным зарядом
 4S. Генерация пары носителей заряда         Возникновение в полупроводнике пары электрон проводимос­
     Генерация пары                       ти — дырка проводимости в результате энергетического воздей­
                                          ствия
 49. Монопо.тярная световая генерация но­    Возникновение в полупроводнике в результате оптического воз­
     сителей заряда полупроводника        буждения неравновесных носителей одного знака
     Моиоиоляриая световая генерация
 50. Биполярная световая генерация носи­     Возникновение в полупроводнике в результате оптического воз­
     телей заряда полупроводника          буждения равного числа носителей зарядов обоих знаков
     Биполярная световая генерация
 51. Рекомбинация носи гелей заряда полу­    Нейтрализация пары электрон проводимости — дырка прово­
     проводника                           димости
     Рекомбинация
 52. Межзонная рекомбинация носителей        Рекомбинация носителей заряда полупроводника, осуществ­
     заряда полупроводника                ляемая путем перехода свободного электрона в валентную зону
     Межзонная рекомбинация
     Ндп. Пряная рекомбинация
 53. Фотонная рекомбинация носителей за­     Межзонная рекомбинации носителей заряда полупроводника,
     ряда полупроводника                  сопровождаемая выделением фотона
     Фотонная рекомбинация
 54. Фотонная рекомбинация носителей за­     Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника,
     ряда полупроводника                  сопровождающаяся передачей акустической энергии кристалличес­
     Фотонная рекомбинация                кой решетке
 55. Поверхностная рекомбинация носите­      Рекомбинация носителей заряда на поверхностных дефектах
     лей заряда полупроводника            полупроводника
     Поверхностная рекомбинация
 56. Диффузионный ток                        Направленное движение зарядов в полупроводнике, возникаю­
                                          щее вследствие градиента концентрации носителей заряда
 57. Дрейфовый ток                           Направленное движение носителей заряда в полупроводнике,
                                          вызванное градиентом потенциала электрического поля
 58. Биполярная диффузия неравновесных       Совместная диффузия неравновесных электронов и дырок при
     носителей заряда полупроводника      натичии электрического поля
     Биполярная диффузия
 59. Прямой переход в полупроводнике         Переход электрона в полупроводнике из валентной зоны в зону
     Прямой переход                       проводимости с сохранением волнового вектора
     Или. Вертикальный переход

                                   ЭФФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

 60. Фоторезистпвный эффект                      Изменение электрического сопротивления полупроводника,
                                             обусловленное исключительно действием оптического излучения
                                             и нс связанное с сю нагреванием
 61. Кристалл-фотоэффскт                         Возникновение электрического паля в однородном неравно­
                                             мерно освещенном полупроводнике
 62. Эффект поля в полупроводнике                Изменение электропроводности приповерхностного слоя по­
 Эффект поли                                 лупроводника иод воздействием электрического поля
 63. Фотомагнитоэ.тсктрическнй эффект            Возникновение в полупроводнике электрического поля, напря­
                                             женность которого перпендикулярна магнитной индукции и пото­
                                             ку дш|>фундирующих частиц под действием электромагнитного из­
                                             лучения

«7-1*                                                 183