ГОСТ 20398.9-80

У Д К 6J1.J8I.333.019 006.354                                           Групп. Э2?

               Г О С У    Д 4 Р С Т В Е Н Н Ы Й        С Т А Н Д А Р Т      С О Ю З А    С С Р



                              ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ

                     Метод измерения крутизны характеристики
                              в импульсном режиме                        ГОСТ
                    Field-elfect transistors Forward Iransconductance 20398 .9-80
                              impulse measurement technique

           ОКП 62 2100

           Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 12 дека­
           бря 1980 г. М» 5805 срок действия установлен
                                                                         с 01.01 12
                                                                                    до 01.01 87

                              Несоблюдение стандарта преследуется по закону


            Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисто­
         ры средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы
         малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанав­
         ливает метод измерения крутизны характеристики 5 п импульс­
         ном режиме.
            Общие условия при измерении должны соответствовать ГОСТ
         20398.0—74 и требованиям, изложенным в соответствующих раз­
         делах настоящего стандарта.
                                   1.   ПРИНЦИП И УСЛОВИЯ ИЗМЕРЕНИЯ

           1.1. Измерение крутизны характеристики S заключается в оп­
       ределении отношения изменения тоха стока к изменению напря­
       жения на затворе при коротком замыкании по переменному току
       на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
          1.2. Электрический режим (ток стока, напряжение на затворе,
       напряжение на стоке) и условия измерения указывают в стандар­
       тах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.
                                               2.   АППАРАТУРА

          2.1.   Крутизну характеристики S в импульсном режиме следует
       измерять на установке, электрическая структурная схема которой
       приведена на черт. 1 или 2.
        Издание официальное                                             Перепечатка воспрещена
                      ★
                                         Переиздание. М а р т 1984 г.

кружевная накидка
                                                                                            41

Стр.   2 ГОСТ      201*1»— М




                 C l,   C t —р^пделительиме Koiucticoto.pu; Щ , я ? —резис­
                  торы; Гр- нипу.тьсаыП 1рдмсформмгор tuna; КГ-им>е-
                 ряечмй транзистор; Р К?—измеритель переменного н а ­
                 пр яж е н и я ; Л 11«|хкл»яатель: /■Л-ямпулмныЯ mvepi*-
                 iv .il. ток»; PV3- -пипульсямЯ аольтм пр; G I —геиерг-
                 io p : P V I- яолътиетр постояввого тока; ЛУ-источнак
                 пистояииого напряжении; <72—истопикх          нипулм-иог»
                                           н ап р яж о н а

                                         Черт. I



   2.2. Длительность импульса источника импульсного напряже­
ния G2 должна находиться а пределах 10~в— 10~2 с. Скважность
импульсов должна быть не менее 10.
   2.3. Мгновенное значение напряжения на затворе (черт. 2) при
воздействии импульса от источника импульсного напряжения G2
должно изменяться от напряжения, обеспечивающего запирание
измеряемого транзистора, до напряжения, соответствующего зна­
чению либо напряжения на затворе, либо тока стока, указанных
в стандартах или технических условиях на транзисторы конкрет­
ных типов.
   2.4. Частота / генератора напряжения периодических колеба­
ний G I должна быть связана с длительностью импульсов т„ ис­
точника импульсного напряжения G2 соотношением



   Амплитуда напряжения генератора G J должна удовлетворять
условиям малого сигнала.
42

ГОСТ     20391.9—М        Стр.   3




        С р га х с л а т м и и Л «ОИДенезтор; Л—резистор; T p l—нмлулмниА трли-
        сфирматор ч ж а . 0 1 —неточней импульсного аахрижеми*: VT—и»ме-
        риемиЯ трантистор: P V t - ишсритс-ль          переменного     напряжении;
        Р У ! ампулмяиП ьольтмртр: РЛ—нш-уаьсиый измеритель                   тока;
        S - П*рвМ*М.1тель:         0 3 —источник плстокхного алпраж еяна; P V 3 —
        Вольт*гтр п с с т о ч ш о т тожи. О/--генератор; Тр2 —т р а т форматор пе-
                                       ременного напряжения
                                        Черт. 2

   2.5. Измеритель переменного напряжения P V 2 должен изме­
рять сигнал только на частоте, соответствующей частоте генера­
тора GI.
   2.6. Импульсный измеритель тока РА должен обеспечивать из­
мерение токз стока измеряемого транзистора.
   2.7. Коэффициент трансформации трансформаторов Тр и T p l
должен быть таким, чтобы сопротивление, вносимое в первичную-
обмотку трансформатора, обеспечивало режим короткого замы­
кания на выходе транзистора. Условие короткого замыкания счи­
тается выполненным, если при уменьшении вносимого сопротив­
ления в два раза изменение значения крутизны характеристики
не выходит за пределы основной погрешности измерительной ус­
тановки.
    Примечание         Допускается вместо трансформатора применять резис­
тор, сЯЗсспечивакниий режим короткого замыкания на выходе транзистора.
   2.8. Сопротивление резисторов R и R I должно не менее чем
в 100 раз превышать выходное сопротивление генератора G1. Ука­
занное сопротивление может быть уменьшено, если эквивалентное-

Стр.   4 ГОСТ   20348.9— 80


сопротивление схемы в обоих положениях переключателя 5 отли­
чается не более чем на 1 %. Сопротивление резисторов R и R I
должно не менее чех! в 100 раз превышать сопротивление, вноси­
мое в первичную обмотку' трансформаторов Тр и TpJ.
    2.9. Сопротивление резистора R 2 должно не менее чем в 100
раз превышать выходное сопротивление генератора G1. Указан­
ное сопротивление может быть уменьшено, если эквивалентное
сопротивление схемы в обоих положениях переключателя S отли­
чается не более чем на I %. Падение напряжения на резисторе
R 2 от протекания постоянной составляющей тока затвора нс дол­
жно превышать амплитуду переменного сигнала генератора GI.
Сопротивление резистора R 2 и входная емкость измеряемого
транзистора С иХ должны быть связаны соотношением

                               *"<■ я к    •
где / — частота генератора.
   2.10. Емкость кондепсаторов С и C l должна удовлетворять
условиям:

                                          2г./с, ^0,1/?,.
   2.11. Емкость конденсатора С2 должна удовлетворять усло­
вию

                               2я/С,
   2.12.    Импульсные вольтметры P V 3 (черт. 1) и P V I (черт. 2)
должны обеспечивать измерение импульсного напряжения стока
и затвора соответственно.

                3.   ПОДГОТОВКА И ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЙ

   3.1. В схему включают транзистор н задают необходимый
электрический режим измерения.
   3.2. Поставив переключатель S в положение 1, устанавливают
фиксированное значение напряжения U\ на измерителе PV2. Пе­
реключатель S ставят в положение 2 н с измерителя P V2 считы­
вают показание U2.

                        4.    ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

     Крутизну характеристики S определяют по формулам:

                                          S = {/,      I
                                                      Rt ■

44