Проверяемый статус документов Полнотекстовый поиск Доступ без регистрации

Карточка нормативного документа

ГОСТ 20398.5-74

Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей

Просмотреть PDF
Статус не подтверждённа 11.09.2026Перед применением сверяйтесь с официальным источником
Удобное чтениеАбзацы и заголовки без PDF-разрывов

Межгосударственный стандарт

ГОСТ 20398.5-74

Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей

Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique

Редакционная карточка ГОСТНОРМ. Полный текст публикуется только при подтверждённом праве использования. Метаданные сверяются по нескольким источникам.

Область применения

Область применения пока не подтверждена.

1

Страница 1

УДИ 621.382.3.083:006.334                                                                        Группа Э29

       Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й                                       С Т А Н Д А Р Т     С О Ю З А      С С Р



                                               ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ

                                      Метод измерения входной, проходной                        ГОСТ
                                             и выходной емкостей

                                                 Field-effect transistors.
                                                                                           2 0 3 9 8 . 5 - 74 *
                                          Input transfer and output capacitance
                                                 measurement technique                       JCT СЭВ 3413— 81)



       Постановлением Государственного комитета     стандартов   Совета                                 Министров
       СССР от 31 декабря 1974 г. Н9 2852 срок введения установлен
                                                                                                           е 61.07.76
      Проверен в 1979 г. Срок действия продлен
                                                                                                        до 01.07J6

                                                 Несоблюдение стандарта преследуется по закону


        Настоящий стандарт распространяется на маломощные поле­
     вые транзисторы и устанавливает методы измерения входной
      Си и , проходной С»п и выходной       емкостен на малом сиг­
     нале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его ампли­
     туды в два раза изменение параметра не выходит за пределы по­
     грешности измерения).
        Общие условия при измерении входной, проходной и выходной
     емкостей должны соответствовать требованиям ГОСТ 20398.0— 74.
        Стандарт соответствует СТ СЭВ 3413- 81 в части метода из­
     мерения входной, проходной и выходной емкостей (см. справоч­
     ное приложение 1).
        (Измененная редакция, Изм. № 1).

                                                                  1. А П П А Р А Т У Р А

       1.1.    Измерительные установки, предназначенные длч измере­
    ния входной С t , проходной С |>     к выходной С j2 m емкостей,
    должны обеспечивать основную погрешность измерения в преде­
    лах ± 1 0 % от конечного значения рабочей части шкалы. Для из­
    мерительных установок с цифровым отсчетом основная погрет-

     Издание официальное                                                                   Перепечатка воспрещена

                                      ★
                                            Переиздание март 1984 г. с Изменением № I. утвержденным
                                                         в июле 1983 г. (ИУС Л —83).
независимая строительная экспертиза
                                                                                                                  27

2

Страница 2

Стр.    2 ГОСТ     20398.5— 74



ность измерения должна быть в пределах     *  ■0.7—p l j «ь.
где Сх — значение измеряемой емкости. С^рс1 — конечное зна­
чение установленного предела измерения.
                           2.   ПОДГОТОВКА К ИЗМЕРЕНИЮ

   2.1.   Принципиальная электрическая схема измерения входной
емкости С пн должна соответствовать указанной на черт. 1. схе­
ма измерения проходной емкости С |2п должна соответствовать
указанной на черт. 2 и схема измерения выходной емкости С Пи
должна соответствовать указанной на черт. 3.
   Примечание.      В лабораторных условиях допускается измерять вход­
ную, проходную и выходную емкости мостовым методом (см. справочное при­
ложение 2).




         Г —генератор: P I . К1— режстори:     С/. С    C e   С f —конденсаторы: I t ,
       I-!—Д|)»сс«.1 и; V I, V t. И П —аэиергтелк nanp*3Ktens; А - -шиерктмь т«ц»;
                                     8 псрехлючисль
                                          Черт. I
                                                                  U




28

3

Страница 3

ГОСТ     20398.5— 74 Стр.    3




           Г—генератор. 81. 8 t - р ем п ор ы ; CI. Ск . Сг -коил«яс(горы; 1 /-д р о с -
         с*Я1.. Vl, Vt. ИП—шнервтелк папряжеяи»; Л—итиерител» тока; В п«-
                                            реклк«>тсль.
                                             Черт. 3

   (Измененная редакция. Изм. № 1).
   2.2.     Основные элементы, входящие в схемы черт. I, 2 и 3, дол
жны удовлетворять следующим требованиям, указанным ниже:
   Г — генератор синусоидального напряжения с фиксированной
частотой, не превышающей 15 МГц. Выходное сопротивление re-
                                          о.I
нератора не должно превышать значение —тг- и также не дол-
                          о I
жно превышать значение          и 0,1 wL*     для схемы черт. I,
  0.1
          для схемы черт. 2,
“Х-'ии
  0.1
         •для схемы черт. 3;
   RI — резистор, сопротивление которого должно удовлетворять
соотношениям:
                                   0,1
                         R \<         — для схемы черт. 1.
                                   'Ни
                         R \< ^ 0,1----- для схемы черт. 2,
                                    -i»i
                                    0.I
                                             для схемы черт. 3;
   R2 — резистор, значение которого должно удовлетворять                                   со­
отношению
                          Я,>100Я,;
   С / — конденсатор, емкостное сопротивление которого должно
удовлетворять соотношению

                                           "юсГ<0*,к"
                                                                                            29

4

Страница 4

Стр.   4   ГОСТ   20398-5— 74


    Для схемы черт. 3 значение С, должно также удовлетворять
 соотношениям:
                                 С|>100С|ВН.
                                 Ct > 100С1|И;
     Сн — конденсатор, точность определения емкости С к должна
          обеспечивать установленную погрешность измерения;
     Сг — конденсатор, значение емкости которого должно удов­
          летворять условиям:
                            С,> ЮОСцн,
                            Ст> 100С|14,
                            СГ>100С„И,
                                 Сг> 100СК;
     L1 — дроссель, индуктивное сопротивление которого должно
          не менее чем в 100 раз превышать выходное сопротив­
          ление генератора;
     С0 — конденсатор, емкость которого должна удовлетворять
          условию
                            Ce>100C ltH;
     L2— дроссель, индуктивность которого должна удовлетворять
          условию


    Допускается использование настроенного контура вместо дрос­
селей L1 и L2; при этом должна обеспечиваться заданная по­
грешность измерения;
    Я Д — измеритель напряжения с регулируемой      чувствитель­
          ностью. Допускается применение ИП с нерегулируемой
          чувствительностью, в этом случае должна       регулиро­
          ваться амплитуда выходного напряжения генератора.
          Шкала ИП может быть отградуирована непосредствен­
          но в единицах емкости.
   В схеме черт. 2 корпус измеряемого транзистора должен быть
заземлен по постоянному или переменному току.
   Резистор R I может отсутствовать, если входное сопротивле­
ние прибора ИП удовлетворяет требованиям к R1.
   2.3.     Падение напряжения от протекания постоянной состав­
ляющей тока на дросселях LI. L2 и измерителе тока в схеме
черт. 1, на дросселе L1 и измерителе тока в схеме черт. 2, а так­
же на дросселе LI, резисторе R1 и измерителе тока в схеме
черт. 3 не должно превышать 1,5% от напряжения на стоке из­
меряемого транзистора.
ЭО
Показаны первые 4 из 8

История статуса

Подтверждённых событий пока нет.