ГОСТ 20398.13-80

У Д К 621.lS2.J21.0f9:006.354                                                                     Гр упп а Э29

     Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й                                 С Т А Н Д А Р Т         С О Ю З А          С С Р



                                        ТРАНЗИ СТ О РЫ ПОЛЕВЫ Е

                            М е т о д и зм ерени я сопротивления стом— исток
                                                                                              ГОСТ
                            I'icld effect transistors. Drain source resistance     2 0 3 9 8 .1 3 —8 0 *
                                          measurement tccl-nique
                                                                                       |CT СЭВ 3413—81)
    ОКП 62 2!CW

    П остановлением Госуд арственного ком итета С С С Р п о стандартам о т 12 де к а б р я
    1980 г. Ms 5805 ср ок действия установлен
                                                                                                         с 01.01 82
                                                                                                       д о 01.01 87

                                          Н е соб л ю д ен и е стандарта преследуется п о закону


    Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисто­
 ры и устанавливает метод измерения сопротивления сток — исток
 в открытом состоянии транзистора /?1Н ,тк .
    Общие условия при измерении должны соответствовать ГОСТ
 20398.0—74 и требованиям, изложенным в соответствующих раз­
 делах настоящего стандарта.
    Стандарт полностью соответствует Публикации МЭК 147—2G.
    Стандарт соответствует СТ СЭВ 3413-81 в части метода из­
 мерения сопротивления сгок-исток (см. справочное приложение).
    (Измененная редакция, Изм. .4» 1).

                                               1.   ПРИ НЦИ П И УСЛ О ВИ Я И ЗМ ЕРЕН ИЯ

    1.1. Измерение заключается в определении сопротивления меж­
ду стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при за­
данном напряжении сток—исток, меньшем напряжения насыще­
ния, и заданнох! напряжении на затворе.
    1.2. Электрический режим транзистора (напряжение на стоке,
напряжение на затворе) и условия измерения указывают в стан­
дартах или технических условиях на транзисторы конкретных ти­
пов.

И зд а ни е оф ици альное                                                            П е р еп еч атка в о сп ре щ ена
                                  ★
                              ■   •   П ереиздание март 1984 е. с И зм енением М I, утверж денным
                                                    в июле 1988J. (р17С ( /- * « .

стоимость проектных работ

ГО СТ    20398.13— 80 Стр.    2

                                2.   АППАРАТУРА

   2.1.   Сопротивление сток—исток в открытом состоянии тран­
зистора следует измерять на установке, электрическая структур­
ная схема которой приведена на черт. 1 или 2.




               точкМки востойпиогО напряжения затэора и сго­
               на соотпстстгсвно: РА—ампярнстр постоянного
                                    ток»
                                     Черт. 1




           lit. С ) ^источники постоянного nunpнжеими гагнора а
           сток» соотвегсплнио. Р Г -и а гатя н сопротимсний. R I.
           Р З — резисторы:   Vf—намерксмиД транзистор;   Р—мулк-
           нмдикагор псстаяивого тока; S —|ге?ОК.тК>ч*г*Лк    PVI.
                    PV2—BOakTuoTpei постоянного топа
                                     Черт. 2
                                                                                 57

С тр.   з   ГОСТ 20391.13—во

   2.2. Сопротивление резистора R (черт. 1) должно не   менее
чем в 100 раз превосходить сопротивление сток—исток измеряе­
мого транзистора.
   2.3. Допускаемое отклонение сопротивления резисторов мага­
зина сопротивлении R I (черт. 2) должно находиться в преде­
лах ± I %.
   2.4. Допускаемое отклонение сопротивления резисторов R2 и
R3 (черт. 2) должно находиться в пределах ±1 %.
   2.5. Напряжение источника стока G2 при отключенном тран­
зисторе не должно превышать максимально допустимое, указан­
ное в стандартах или технических условиях на транзисторы кон­
кретных типов.
   Напряжение на стоке включенного транзистора не должно
превышать 1 В.

                  3.   ПО Д ГО Т О В К А И ПРОВЕДЕН ИЕ ИЗМ ЕРЕН ИЯ

   3.1. Измерение сопротивления R силлс в схеме черт. 1 произ­
водят в следующем порядке.
   3.1.1. Измеряемый транзистор включают в схему черт. 1 и за­
дают режим по постоянному току.
   3.1.2. Значение напряжения U определяют по прибору PV2.
значение тока I а по прибору РА.
   3.2. Измерение сопротивления R си..»т« в схеме черт. 2 произ­
водят в следующем порядке..
   3.2.1. Измеряемый транзистор включают d схему н в положе­
нии / переключателя S задают режим по постоянному току.
   3.2.2. Переключатель ставят в положение 2 и подбором резис­
торов R I устанавливают нуль на приборе Р.

                            4.   О Б Р А Б О Т К А РЕЗУЛ ЬТАТО В

   4.1.        Сопротивление R си.от» в схеме черт. I рассчитывают по
формуле



   Если значение 1а фиксировано, то значение Яси.от* пропор­
ционально U и вольтметр PV 2 может быть проградуирован в еди­
ницах сопротивления.
   4.2.   В схеме черт. 2 сопротивление R си.отк определяют из со­
отношения
                                      Я.
                        RcH .ox*-^R\.■°*Г •

58

Г О С Т 20391.1}— 80   С тр .    4


где R }л — значение резистора R I при нулевом положении инди­
            катора Р.

                 S.   П О К А ЗА Т ЕЛ И ТОЧНОСТИ И ЗМ ЕРЕН ИЯ

   5.1. Основная погрешность измерительных установок со стре­
лочными приборами должна быть в пределах ± 5 % для сопротив­
лений R си.отк > 1 0 Ом и ± 1 0 % для сопротивлений Яси.о™ <
< 10 Ом.
   5.2. Основная погрешность измерительных установок с цифро­
вым отсчетом должна быть в пределах ± ( 4 + 0 ,9 —                            для

сопротивлений /?си.Отк>10 Ом и ± ( 8 + 1 ,7            для соп­
ротивлений R си.™ < 1 0 Ом,
где R x— измеряемое сопротивление;
   tfnpei— конечное значение установленного предела измерения.




                                                                ПРИЛОЖЕНИЕ
                                                                Справочное



Информационные данные о соответствии ГОСТ 20398.13—80 СТ СЭВ 3413—81.
    ГОСТ 20398.13—80 полностью соответствует раад. 9 СТ СЭВ 3413—81.
   (Введено дополнительно, Изм. J4 I).




                                                                                89