ГОСТ 20003-74

Н   А   Ц   И   О   Н   А   Л   Ь   Н   Ы   Е         С Т А Н Д А Р Т Ы




                                                                                     ЭЛЕКТРО НИ КА

                                                                                 Термины и определения
                                                                                                 Ч а с т ь   2




                                                                                             Падание официальное




                                                                                                     Стандарте нфори
                                                                                                          Ж »
                                               1-1 - 2 0 3




сертификация в области пожарной безопасности

УДК   001.4:621.006.354




                                     ОТ   ИЗДАТЕЛЬСТВА

                        Сборник «Электроника. Термины и определения. Часть 2»
                     содержит стандарты, утвержденные до I мая 2005 г.
                         В стандарты внесены изменения, принятые до указанного
                     срока.
                        Текущая информация о вновь утвержденных и пересмотрен­
                     ных стандартах, а также о принятых к ним изменениях публику­
                     ется в выпускаемом ежемесячно информационном указателе «На­
                     циональные стандарты*.




                                                                            © С тан дарт нформ, 2005

Группа >00

М    Е    Ж   Г   О   С   У   Д   А    Р   С   Т   В   Е       Н   Н   Ы   Й     С   Т    А    Н   Д   А   Р   Т



                      Т Р А Н ЗИ С ТО РЫ Б И П О Л Я Р Н Ы Е

         Термины, определения и буквенные обозначения параметров
                                                                                                ГОСТ
           Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols
                                                                                              20003-74

МКС  01.040.31
     3I.0S0.30
ОКСТУ 6201

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 29 июля 1974 г. № 1799
дата введения установлена
                                                                                            01.07.75


     Настоящий стандарт устанавливает применяемые п науке, технике и производстве термины,
определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
     Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для
применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
     Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документа­
ции на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок.
     Стандарт полностью соответствует С Т СЭ В 2770—80.
     Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов—сино­
нимов стандартизованного термина запрещается.
     Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных
и обозначены «Ндп».
     Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме нхюжения. не
допуская нарушения границ понятия.
     В случае, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквенном значении
термина, определение не приведено, и. соответственно, в графе «Определение» поставлен прочерк.
     В стандарте в качестве справочных для ряда стандартизованных терминов приведены иностранные
эквиваленты на немецком (Д), английском (Е ) и французском (F ) языках.
     В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и
их иностранных эквивалентов.
     Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, недопустимые термины — курси­
вом.
     Когда встречаются одинаковые параметры для биполярного транзистора и другого полупровод­
никового прибора, в буквенное обозначение параметра следует добавлять дополнительный индекс,
уточняющий принадлежность параметра к данному полупроводниковому прибору. Например, время
включения стабилитрона /В1£Л л ; время включения биполярного транзистора /В1СЛ6. в р е м я включения
полевого транзистора




Издание официальное                                                                      Перепечатка воскрешена
      ★
          Издание с Изменениями № I. 2, утвержденными в августе 1982г., июне 1985 г. (ИУС 12—82, 9—85).
иг                                                         3

С . 2 ГО С Т 2 0 0 0 3 - 7 4


                                                 Букиеиное обозначение
                      Термин                                                           Определение
                                                отечествен­  межлуна-
                                                    ное        родное
    1 Обратный ток коллектора                      ^кьо                     Ток через коллекторный переход при
                                                               ^СВО
   D. Kollcktorreststrom (bci offenem                                    заданном обратном напряжении коллек­
      Emitter)                                                           тор — база и разомкнутом выводе эмит­
   E. Collector cut-off current                                          тера
   F. Courant residue! du collecteur
   2. Обратный ток эмиттера                        Льо                      Ток через эмиггерный переход при
   D. Emitterreststrom (bci offenem                                      заданном обратном напряжении эмиттер
       kollcktor)                                                        —база и разомкнутом выводе коллекто­
   E. Emitter cut-off current                                            ра
   F. Courant riSiducI de 1“emetteur
   3. Обратный ток колдектор-эмитгер                                        Ток в цепи коллектор — эмиттер при
   Иди. Начеиышй ток коллектора                   4»                     заданном обратном напряжении коллек­
    Ток коллектора закрытого транзис­                                    тора—эмиттер
   тора
   D. Kollcktor-Emittcr-Rcststrom
   E. Collector-emitter cut-off’ current
   F. Courant residue! du collecteur-emcltcur
   4. Обратный ток базы                                                     Ток в цепи вывода базы при заданных
                                                   (и х        'ВЕХ
   D. Basis-Emitter-Rcststrom                                            обратных напряжениях коллектор—эмит­
   E. Base cut-off current                                               тер и эмиттер — база
   F. Courant residuel dc la base
   5. Критический ток биполярною тран­                                      Значение тока коллектора, при дос­
                                                   'кр
зистора                                                                  тижении которого значение /ф
                                                                         падает на З дБ по отношению к’сго мак­
                                                                         симальному значению при заданном на­
                                                                         пряжении коллектор—эмиттер
   6. 1 раннчнос напряжение биполярною                                      Напряжение между выводами коллек­
                                                              ^<L|CEO
ipaiiiHcropa                                                             тора и эмиттера при токе базы, равном
    Иди. Напряжение м еж ду коллектором и                                нулю, и заданном токе эмиттера
    эмиттерам при нулевом токе базы и за ­
   данном токе эмиттера
    7. Напряжение насыщения коллектор-            ^КЭмк                     Напряженке между выводами коллек­
эмиттер                                                                  тора и эмиттера транзистора н режиме
    D. Kollcktor-Emitter-Sittigungs-spannung                             насыщения при заданных токах базы и
    E. Saturation collector-emitter voltage                              коллектора
    F. Tension dc saturation collcctcur-
        emetteur
    8. Напряжение насыщения база-эмкггер                                    Напряжение между выводами базы и
                                                              ^ВЬы!
    D. Basis-Emitter-S&ltigungsspannung                                  эмиттера транзистора в режиме насыще­
    E. Saturation baseemitter voltage                                    ния при заданных токах базы и коллек­
    F. Tension dc saturation basc-6mcttcur                               тора
   9. Плавающее напряжение эмиттер-база           ^ЭЬпл        ^ЕВП         Напряжение между выводами эмитте­
    E. Floating emitter-base voltage                                     ра и базы при заданном обратном напря­
    F. Tension ffottante emetteur-base                                   жении коллектор—база и при токе эмит­
                                                                         тера. равном нулю
   10. Напряжение смыкания биполярною                                       Обратное напряжение коллектор—
транзистора                                                              база, при котором начинается линейное
   E. Punch-through (penetration) voltage                                возрастание напряжения на разомкнутых
   F. Tension dc penetration (tension dc                                 выводах эмиттера и базы при увеличении
       persage)                                                          напряжения коллектор—база




      1 При разомкнутом ныволс базы /ки>, /ссо; при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы /kJk, /<м;
при заданном сопротивлении в цепи база — эмиттер       /С1К; при заданном обратном напряжении эмиттер —
б *»

                                                          4