ГОСТ 18986.9-73

ГОСТ 18986.9—73

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ИМПУЛЬСНОГО ПРЯМОГО
НАПРЯЖЕНИЯ И ВРЕМЕНИ ПРЯМОГО
ВОССТАНОВЛЕНИЯ

Издание официальное

53 12001

ИПК ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ
Москва

УДК 621.382.2.019:006.354 Групиз 929

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГОСТ
Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени 18986.9—73
прямого восстановления
Взамен
Semiconductor diodes. Method for measuring pulse direct voltage ГОСТ 10965—64
and forword recovery time

MKC 31.080.10

Утвержден Постановленнем Государственного комитета стандартов Совета Министров CCCP от 13 июля 1973 г.
№ 1723 дата введения установлена
01.01.75

Ограничение срока действия снято по протоколу № 5—94 Межгосударственного совета по стандартизации,
метрологии и сертификации (ИУС 11-12—94)

Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод
измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 3198—81 в части метода измерения импульсного прямого
напряжения.

(Изменениая редакция, Изм. № 3).

1. УСЛОВИЯ ИЗМЕРЕНИЯ

1. Общие требования при измерении и требования безопасности — по ГОСТ 18986.0—74.
1.2. Импульсное прямое напряжение и время прямого восстановления определяют по импуль-
су напряжения на диоде при заданных значениях параметров входного импульса в соответствии с
черт. 1.

Unp

Ing | Unp, уст
1 m
тру

и
Ung, уст 7 ~
aly ary >:
Тир t t вос, пр, t
Входной импулье Импульс напряжения на диоде
Черт. 1
'Излание официальное "Перепечатка воспрешена

*
Издание (май 2004 г.) с Изменениями № 1, 2, 3. утвержденными в феврале 1979 2., шюне 1982 2.,
октябре 1989 2. (НУС 4—79, 9—52, I-90).

© Издательство стандартов, 1973
© ИПК Издательство стандартов, 2004

С. 2 ГОСТ 18986.9—73

1.3. Время прямого восстановления (f,,. ис} отечитывают по импульсу прямого напряжения на
диоде между уровнями 10 и 110 % установявшегося значения прямого напряжения.

2. АППАРАТУРА

2.1. Измерения следует проводить на установке, электрическая структурная схема которой
приведена на черт. 2.

RI RZ

G— reneparop импульсов: RI — токозядякиций резистор: R2
зокоограничиающий резистор: Р— измерительное устройство;
Дн Х2 — контакты подключения; УД — проверяемый диод

Черт. 2

2.2. Если необходим согласованный тракт, то при выполнении условия

Yrs yor < 02R,,

a
me Иру. — установившееся значение прямого напряжения на диоде, В;
1» — значение прямого тока через диод при установившемся значении напряжения на
диоде, А;
В. — волновое сопротивление тракта, Ом,
измерения проводят на установке. электрическая структурная схема которой приведена на
черт. 3.

веко rT, “р

x2

G - генератор импульсов: {— развзывающий кибель, Р— измерительное устройст-
во; XJ и Х2 — контакты подключении: УД — проверяемый днод

Черт. 3

2.3. Генератор импульсов С должен обеспечивать на проверяемом диоде после окончания
переходного процесса импульс тока заданной амплитуды. Значение амплитуды входного импульса
должно быть установлено в технических условиях на диоды конкретных типов. Амплитуда импульса
должна быть задана с погрешностью в пределах +10 %.

ГОСТ 18986.9—73 С. 3

2.4. Время нарастания входного импульса f,, должно удовлетворять условию

uP
Е

где fyoe.oon — время обратного восстановления диода, типовое значение которого указывают в тех-
нических условиях на диоды конкретных типов, с.
Конкретное значение времени нарастания входного импульса может быть указано в техничес-
ких условиях на диоды конкретных типов.

Примечание. Допускается пользоваться соотношением

fay < инь:

2.5. Длительность входного импульса прямоугольной формы г, должна удовлетворять условию

о обр

20.

he

где Q,,. — заряд восстановления диода, типовое значение которого указывают в технических усло-
виях на диоды конкретных типов, К;

jy — значение прямого тока через диод, при котором измеряют заряд восстановления, А.

2.6. Неравномерность вершины прямоугольного импульса на указанной длительности должна
быть в пределах +5 % при токах до 0,2 А и +10 % — при токах более 0,2 А.

Выброс на вершине импульса должен быть в пределах +7 %.

2.7. Параметры входного импульса, указанные в пп. 2.3—2.5, определяют осциллографическим
методом на резисторе Ry, включенном межлу контактами XJ и Х2 вместо измеряемого диода.
Значение сопротивления резистора А, должно быть равным 50 Ом или определено из условия

0,7Uiyy.y А < ЗИ,

при при

Типовое значение импульсного прямого напряжения указывают в технических условиях на
диоды конкретных типов.

2.8. Полное выходное сопротивление генератора С должно быть таким, чтобы при изменении
напряжения на диоде от значения (/„„ до установившегося значения (/,„., изменение амплитуды
входного импульса не выходило за пределы +10 %.

При низком выходном сопротивлении генератора С в измерительную установку допускается
включение последовательного резистора, значение сопротивления которого должно быть таким,
чтобы выполнялось условие

1 >10.

2.9. Длина развязывающего кабеля должна быть такой, чтобы время задержки отраженной
неоднородности f,,, было бы больше времени прямого восстановления

far 2 бар"

2.10. Входное сопротивление измерительного устройства Р вместе с сопротивлением резистора
R2 должно быть не менее чем в 100 раз больше значения прямого сопротивления диода.

2.11. Время нарастания переходной характеристики измерительного устройства Р совместно с
резистором К2 должно быть не более одной трети значения времени нарастания входного импуль-
CA Lyne

2.12. Индуктивность между контактами Х/и Х2должна быть сведена к минимуму. Конкретное
максимально допустимое значение индуктивности указывают в технических условиях на диоды
конкретных типов.

2.13. Частота импульсов должна быть такой, чтобы снижение частоты не привело к изменению
характеристик прямого напряжения.