Проверяемый статус документов Полнотекстовый поиск Доступ без регистрации

Карточка нормативного документа

ГОСТ 18986.8-73

Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления

Просмотреть PDF
Статус не подтверждённа 16.09.2026Перед применением сверяйтесь с официальным источником
Удобное чтениеАбзацы и заголовки без PDF-разрывов

Межгосударственный стандарт

ГОСТ 18986.8-73

Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления

Semiconductor diodes. Method for measuring reverse recovery time

Редакционная карточка ГОСТНОРМ. Полный текст публикуется только при подтверждённом праве использования. Метаданные сверяются по нескольким источникам.

Область применения

Область применения пока не подтверждена.

1

Страница 1

ГОСТ 18986.8-73


                           М Е Ж Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й               С Т А Н Д А Р Т




                                        ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
                                           МЕТОД ИЗМ ЕРЕНИЯ ВРЕМЕНИ
                                           О Б PATI10 ГО ВОССТАЛО ВЛ ЕИ ИЯ




                                                    Издание официальное
                           ЬЗ I —2001




                                               ИПК ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ
                                                         Москва




цели оценки недвижимости

2

Страница 2

УДК 621.382.2.019:006.354                                                                                     Группа Э29

М    Е   Ж Г      О    С   У   Д    А   Р   С   Т    В   Е   Н    Н   Ы    Й              С Т А Н Д А Р Т



                  ДИ О ДЫ П ОЛУПРО ВОДН ИКО ВЫ Е

                      М етод намерения времени обратного
                                                                                                      ГОСТ
                                                                                                  18986.8-73
                                восстановления

                  Semiconductor diodes. Method for measuring
                            reverce recovery time

МКС 31.080.10

                                                                                                  Дата введения 01.01.75


     Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые импульсные и выпрямитель­
ные диоды и устанавливает метод измерения времени обратного восстановления.
     Общие требования при измерении и требования безопасности — по ГОСТ 18986.0.
     Требования разд. 4 настоящего стандарта являются обязательными, другие требования
настоящего стандарта являются рекомендуемыми.
     (Измененная редакция. Изм. № 1. 2).

                                    1. УСЛОВИЯ И РЕЖ ИМ И ЗМ ЕРЕН И Й

     1.1. Температура окружающей среды при измерении должна быть в пределах (25±5) *С.
     1.2. Прямой гок. обратное напряжение или обратный ток. при которых измеряют время
обратного восстановления диода, должны соответствовать установленным в стандартах или тех­
нических условиях на диоды конкретных типов.
     1.1, 1.2. (Измененная редакция, Изм. № 1).
     1.3. 1.4. (Исключены. Изм. № I).

                                                    2. АППАРАТУРА

      2.1. Принципиальная электрическая схема измерения                        времени обратного восстановления
должна соответствовать указанной на черт. 1.
      2.2.      От генератора 01 через измеряемый диод
VD и входное сопротивление            измерительного
устройства Р подают постоянный или импульсный
прямой ток в течение времени, достаточного для
установления в измеряемом диоде        неравновесных
носителей заряда, соответствующего протекающему
току.
                                                      С ! — ген ер ат о р п р я м о ю т о к а с вы х о дн ы м
      Затем от генератора G2 подают импульс обратного с о п р о т и в л е н и е м Я1И<| ; <72 - ген ер ат о р и м п у л ь ­
напряжения, запирающий измеряемый диод (при им­       са о б р атн о ю н ап р яж ен и я с вы годны м соврати в
                                                      .тем ней Я шхг , .VI . Х 2 - в ы в о д ы : VD - и з м е р я ­
пульсном прямом токе допускается подача постоянно­    ем ы й        а н о д : Р — и .(м ер и тел ьн о е у ст р о й ст во с
го обратного напряжения).                             вх о д н ы м с о п р о т и в л е н и е м Лв ; В - т о ч к а земли



Издание официальное                                                                            Перепечатка воспрещена
      ★
                                                                                   £> Издательство стандартов. 1973
                                                                          & И ПК Издательство стандартов. 2004

3

Страница 3

С. 2 ГОСТ 1 8 9 8 6 .8 -7 3

времени от момента прохождения через нуль тока диода д о момента, в который уменьшающийся
обратный ток диода становится равным заданному отсчетному значению обратного тока ок .
     Эпюра изображения временных параметров импульсов прямого и обратного напряжений, опре­
деляемых при короткозамкнутых выводах .VI и Х2 (черт. 1), показана на черт. 2.
     Эпюра тока, протекающего в цепи диода, показана на черт. 3.
     Эпюра установления обратного напряжения на диоде между точками .VI и землей В (черт. 1)
показана на черт. 4.
     2.1, 2.2. (Измененная релакиия, Изм. № 1, 2).




                        Черт. 2
                                                       2.3.      Генератор 01 должен обеспечивать по­
                                                  дачу через измеряемый диод постоянного или
                                                  импульсного прямого тока заданного значения,
                                                  при этом должны выполняться следующие тре­
                                                  бования:
                                                       а) значение прямого тока долж но зада­
                                                  ваться через диод с погрешностью в пределах
                                                  ± 3 % для постоянного прямого тока и в пре­
                                                  делах ± 10 % для импульсного прямого тока;
                                                       б) длительность импульса прямого тока
                                                  должна быть не менее 5       для диода изме­
                                                  ряемого типа,
                                                       в) неравномерность вершины импульса
<*.»., - к ;
R    * R »» RJ                                    прямого тока при длительности 5 tutt, отсчитан­
                          Черт. 4                 ной от момента подачи импульса обратного на­
                                                  пряжения, должна быть в пределах ±5 %.
                                                             (Измененная редакция. Изм. № I).
        2.4.      Генератор G1 должен обеспечивать подачу импульса обратного напряжения на измеряемый
диод (при импульсном прямом токе допускается подача постоянного обратного напряжения). При этом
должны быть выполнены следующие требования:
        а) амплитуда обратного напряжения      или обратный ток        должны быть установлены с
погрешностью в пределах ± 10 %,
        б) выходное сопротивление Ratal генератора G2 должно быть таким, чтобы суммарное с о ­
противление (R. = Rtx + RtM) в цепи для тока обратного восстановления измеряемого диода VD
соответствовало значению, установленному в стандартах или технических условиях на диоды
конкретных типов. Для диодов с 1т < 10 нс              предпочтительно    значение   суммарного
сопротивления - 100 Ом ± 20 %,
        в) длительность импульса обратного напряжения т„ от генератора (Л должна быть не менее
5/ tii при применении осниллографического устройства. При применении других измерительных уст­
ройств длительность ти может быть уменьшена, при этом должно выполняться то 2: 2/^ . Частота

4

Страница 4

ГОСТ 1 8 9 8 6 .8 -7 3 С. 3

импульсов должна соответствовать значению, устаноатеиному в стандартах или технических ус­
ловиях на диоды конкретных типов;
     г) неравномерность вершины импульса обратного напряжения при длительности 2 tm должна
быть в пределах ± 10 % ;
     д) время нарастания / р импульса обратного напряжения между уровнями 0.1 и 0 .9 его
амплитуды, измеряемое при короткозамкнутых выводах XI и X I , долж но удовлетворять
условию I й 0.2 1 .
     Время нарастания /и. должно быть определено с погрешностью в пределах ± 10 %;
     е) цепи генераторов G I и G2 могут быть разделены включением разделительного конденсатора
на выходе генератора 62. При этом емкость конденсатора С в фарадах должна удовлетворять условию


                                                 ^пр ' * и
                                        С г 20
                                                 k 'o O p . м



     2.5.      Устройство Р должно обеспечивать измерение временного интервала, соответствующего пере­
ходному процессу изменения обратного тока диода от момента прохождения им значения нуля до
момента спада обратного тока до заданного отсчетного уровня.
     Устройство Р может быть как осциллографическим, так и безосциллографическим (напри­
мер быстродействующий амплитудный дискриминатор), при этом должны быть выполнены сле­
дующие требования:
     а) время нарастания переходной характеристики измерительного устройства не должно превы­
шать 0.2 к , которое указывается в стандартах или технических условиях (ТУ) на диоды конкретных
типов;
     б) для обеспечения согласования и достижения необходимой чувствительности измеритель­
ного устройства Р рекомендуется иметь входное сопротивление Я измерительного устройства
равным 50 Ом (для диодов с         < 10 нс). Допускается значение Я в пределах от 0,1 Я до 1 Я; .
где Я. - суммарное общ ее сопротивление цепи переходного обратного тока измеряемого диода,
значение которого устанавливают в стандартах или ТУ на диоды конкретных типов;
     в) допускается шунтирование сопротивления Яо диодом в такой полярности, чтобы через него
протекал прямой ток измеряемого диода, при этом время обратного восстановления шунтирующего
диода должно быть менее одной трети значения 1ш< измеряемого диода;
     г) входная емкость измерительного устройства Сю должна удовлетворять условию




     д)         калибровка шкалы длительностей устройства Я должна быть обеспечена с погрешностью в
пределах ± 10%.
     2.4, 2.5. (Измененная редакция. Изм. № 1, 2).
     2.6.         Уровень отсчета тока обратного восстановления iaac и погреш ность его определения
должны соответствовать установленным в стандартах или технических условиях на диоды конк­
ретных типов. Распределенная емкость схемы С в фарадах между выводами Х\ и Х2 должна
удовлетворять условию


                                       С * я вк + я шх2


      (Измененная редакция, Изм. № 1).
      2.7.     Индуктивность L в контуре, образованном элементами измеряемого диода Я„ , Я,и> ,
должна быть сведена к возможному минимуму, и ее расчетное значение не должно превышать
0,1 (Я + Я ) I       .
      (Измененная релакния. Изм. № 2).
Показаны первые 4 из 7

История статуса

Подтверждённых событий пока нет.