Проверяемый статус документов Полнотекстовый поиск Доступ без регистрации

Карточка нормативного документа

ГОСТ 18986.4-73

Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости

Просмотреть PDF
Статус не подтверждённа 16.09.2026Перед применением сверяйтесь с официальным источником
Удобное чтениеАбзацы и заголовки без PDF-разрывов

Межгосударственный стандарт

ГОСТ 18986.4-73

Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости

Semiconductor diodes. Methods for measuring capacitance

Редакционная карточка ГОСТНОРМ. Полный текст публикуется только при подтверждённом праве использования. Метаданные сверяются по нескольким источникам.

Область применения

Область применения пока не подтверждена.

1

Страница 1

ГОСТ 18986.4-73


  М Е Ж Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й             С Т А Н Д А Р Т




             ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
                МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЕМКОСТИ



                         Издание официальное




         I
   БЗ 5




                    ИПК ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ
                              Москва




болеро

2

Страница 2

УДК 621.382.2.019:006.354                                                                          Груша Э29


М Е        Ж Г    О С      У   Д А      Р С     Т    В Е        Н   Н Ы   Й      С Т А Н Д А Р Т


                     ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ                                               ГОСТ
                           Методы измерения емкости
                                                                                        18986. 4 - 73*

                                S em iconductor diodes.                                    Взамен
                          M ethods for m easuring capacitance                           ГОСТ 10964-64



Утвержден Постановлением Государственного комитета стандартом Совета Министров СССР от 13 июля 1973 г.
№ 1722. Дата введения установлена
                                                                                             01.01.75
Ограничение срока действия снято Постановлен кем Госстандарта от 30.08.91 Mt 1410

     Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает методы
измерения общей емкости диода Сд.
     Метод емкостно-омического делителя применяют при измерении емкости диодов, у которых
дифференциальное сопротивление при заданном напряжении смещения на частоте измерения более
чем в 10 раз превышает емкостное сопротивление.
     Мостовой метод применяют при измерении емкости диодов, у которых дифференциальное
сопротивление при заданном напряжении смешения на частоте измерения не более чем в 10 раз
превышает емкостное сопротивление.
     Частотный метод применяют при измерении емкости диодов в случаях, когда требуется высокая
разрешающая способность и стабильность результатов измерений (например, при подборе близких
но значению емкости диодов).
     Общие зребования при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 18986.0-74. Стан­
дарт полностью соответствует СТ СЭВ 2769-80 и Публикации МЭК 147-2М в части измерения
обшей емкости диода мостовым методом.
     (Измененная редакция, Изм. № 1, 2).

                                                1.   АППАРАТУРА

     1.1. (Исключен, Изм. № 1).
     1.2. Погрешность измерения емкости не должна выходить за пределы (0,05 + ^Цт^)-100 % с
доверительной вероятностью Р* = 0,99.
     (Измененная редакция, Изм. № 2).
     1.3. Измерение емкости диодов Сд проводят на частоте, указанной в стандартах или другой
технической документации, утвержденной в установленном порядке, на диоды конкретных типов,
но не ниже 0,1 МГц.
     Максимальную частоту измерения емкости      выбирают из условия



где L, — индуктивность выводов диода относительно точек подключения в установку для измерения
         емкости.
     (Измененная редакция, Изм. № 1).________________________________________________________
Изданнеофициальное                                                                    Перепечатка воспрещена
       •   Издание (июнь 2000 г.) с Изменениями Ni 1, 2, утвержденными в январе 1983 г., октябре 1986 г.
                                              (ИУС4-82, 12-86)

                                                                           € Издательство стандартов, 1973
                                                                      €> ИПК Издательство стандартов, 2000

3

Страница 3

С. 2 ГОСТ 18986.4-73

    1.4. Значение эффективного высокочастотного напряжения U ^, на диоде в момент измерения
должно удовлетворять условию
                                        Рм £|7-10-Ч*+СЮ,
где U— постоянное напряжение смещения;
   Фк — контактная разность потенциалов для полупроводникового материала, из которого изготов­
лен диод.
     Величина        должна быть указана в стандартах или другой технической документации,
утвержденной в установленном порядке.
      1.5. Емкость диода Сл измеряют при напряжении смещения, указанном в стандартах или
другой технической документации, утвержденной в установленном порядке, на диоды конкретных
типов
      (Измененная редакция, Изм. № 1).
      1.6. Коэффициент пульсации напряжения смещения не должен превышать 10 % значения
напряжения U
      1.7. Напряжение смещения на диоде должно быть установлено с погрешностью в пределах ±2 %.
      1.8. Держатель диода должен иметь емкость схемы (если эта емкость нс может быть скомпен­
сировала или учтена при измерении), не оказывающую влияния на погрешность измерения.
      (Измененная редакция, Изм. № 2).
      1.9. Ддя туннельных диодов требования к значению эффективного высокочастотного напря­
жения, к режиму по постоянному току должны быть указаны в стандартах или другой технической
документации, утвержденной в установленном порядке, на туннельные диоды конкретных типов.

                      2. МЕТОД ЕМКОСТНО-ОМИЧЕСКОГО ДЕЛИТЕЛЯ

      2.1. А п п а р а т у р а
      2.1.1. Аппаратура должна соответствовать требованиям, указанным в раэд. I.
      2.2. П о д г о т о в к а к и з м е р е н и ю
      2.2.1. Емкость диода определяют по падению напряжения на активном плече емкостно-оми­
ческого делителя, создаваемого током, значение которого определяется реактивной проводимостью
                                                   измеряемой емкости.
                С,                                      2.2.2. Принципиальная электрическая схема из­
                                                   мерения емкости диодов должна соответствовать ука­
                                                   занной на черт. 1.
                                                        (Измененная редакция, Изм. № 1, 2).
                                                        2.2.3. Генератор высокой частоты Gдолжен обес­
                                                   печивать в точке А схемы постоянное по амплитуде
                                                   напряжение со стабильностью ±1 % для любых измеря­
                                                   емых значений емкости диода Сх.
                                                        Падение напряжения на резисторе Я, за счет от­
                                                   ветвления тока в генератор должно составлять не более
 G — генератор переменного напряжения; C l, С2 —   1 % значения напряжения смещения, указанного в
 конденсаторы, С* — калибровочный конденсатор;     стандартах или другой технической документации, ут­
 VD — проверяемый диод; R I.R 2 — резисторы: U —   вержденной в установленном порядке, на диоды кон­
  регулируемый блок смешения; Р У — измеритель     кретных типов.
 напряжения;      селективный уенлзггель; Р — из­       (Измененная редакция, Изм. № 2).
               мерительный прибор                       2.2.4. Резисторы R1 и R2 должны быть такими,
                                                   чтобы падение напряжения на них от протекания по­
                     Черт. 1                       стоянного тока диода составляло не более 0,5 % значе­
                                                   ния (<?к+ 0)-
      2.2.5. Значение сопротавления резистора Я2 выбирают из условия

                                             * 2< Ш Т Т Ж’
где / — частота измерения.
      (Измененная редакция, Изм. № 1).
      2.2.6.      Суммарная индуктивность проводников, соединяющих клемму Б, вход измерителя напря­
жения и резистор R2, должна быть такой, чтобы не оказывать влияния на погрешность измерения.
      (Измененная редакция, Изм. № 2).

4

Страница 4

ГОСТ 1 8 9 8 6.4-73 С. 3

      2.2.7. Емкость конденсатора фильтра С2 должна соответствовать

                                                ^ * 2 0 / Л, '
     2.2.8. Отклонение от линейности амплитудной характеристики селективного усилителя Е не
должно выходить за пределы ±2 %.
     2.2.9. Полное входное сопротивление Z селективного усилителя Е должно соответствовать
условию [2|>10Л2.
     Для компенсации емкости входа селективного усилителя допускается параллельно включать
индуктивность, настроенную с емкостью в резонанс на частоте измерения.
     2.2.10. Емкость калибровочного конденсатора Ск проверяют на частоте измерения/с погреш­
ностью в пределах ±1 % или на другой частоте при условии
                                                      0.01
                                              Is
                                                   < 2* W
где I — последовательная индуктивность выводов конденсатора Ск;
    / ' - большая из частот измерения емкости и проверки емкости конденсатора Ск.
      Значение емкости конденсатора Ск не должно изменяться более чем на 0,5 % в диапазоне
возможных изменений температуры окружающей среды.
      2.2.11. Для компенсации паразитной емкости на входе селективного усилителя или компенса­
ции емкости держателя диода в измерительной установке допускается применять компенсационные
устройства. Применение компенсационных устройств не должно приводить к увеличению погреш­
ности измерения емкости.
      2.2.12. Перед измерением емкости диода проводят калибровку измерительной установки, за­
меняя проверяемый диод калибровочным конденсатором емкостью Сх. Регулируя чувствительность
селективного усилителя Е, устанавливают показание измерительного прибора Р, соответствующее
значению емкости Ск калибровочного конденсатора.
      2.2.13. Допускается применение других способов измерения переменного тока, протекающего
через проверяемый диод, при этом должно выполняться условие п. 2.2.5 и условие
                                             Л < Л 2,
где R — активное проходное сопротивление измерителя переменного тока.
     2.2.8—2.2.13. (Измененная редакция, Изм. № 2).
     2.3. П р о в е д е н и е и з м е р е н и я и о б р а б о т к а р е з у л ь т а т о в
     2.3.1.      Для измерения емкости диода отключают калибровочный конденсатор, измеряют или
компенсируют, при необходимости, паразитную емкость между гнездами и подключают проверяе­
мый диод. Затем подают постоянное напряжение смешения и по показаниям измерительного
прибора Р отсчитывают значение измеряемой емкости диода с учетом паразитной емкости.
     (Измененная редакция, Изм. № 2).

                                         3. МОСТОВОЙ МЕТОД

      3.1. У с л о в и я и р е ж и м и з м е р е н и я
      3.1.1. Измерения проводят при температуре окружающей среды (25±5) ‘С.
      3.1.2. Режим измерения должен соответствовать установленному в стандартах или технических
условиях на диоды конкретных типов.
      3.2. А п п а р а т у р а                                        7                          с
      3.2.1. Аппаратура должна соответствовать
требованиям, указанным в разд. 1.
      3.2.2. Структурная электрическая схема изме­
рения должна соответствовать указанной на черт. 2.
       3.2.3. Генератор постоянного напряжения G
должен обеспечивать установление и поддержание
постоянного напряжения смешения с погрешнос­
тью, указанной в п. 1.7.                                 G — генератор постоянного напряжения; Z — элемент
     3.2.4.          Погрешность измерителя напряжения  развязки; РУ — измеритель напряжения; Х 1 н Х 2 — кон­
смещения РУ не должна выходить за пределы ±2 %. такты        подключения диода. VD — проверяемый диод; С —
                                                       разделительный конденсатор; Л — высокочастотный мост
Допускается отсутствие измерителя напряжения РУ
в электрической схеме при обеспечении усгановяс-                              Черт. 2
Показаны первые 4 из 7

История статуса

Подтверждённых событий пока нет.