Проверяемый статус документов Полнотекстовый поиск Доступ без регистрации

Карточка нормативного документа

ГОСТ 18683.1-83

Микросхемы интегральные цифровые. Методы измерения статистических электрических параметров

Просмотреть PDF
Статус не подтверждённа 11.09.2026Перед применением сверяйтесь с официальным источником
Удобное чтениеАбзацы и заголовки без PDF-разрывов

Межгосударственный стандарт

ГОСТ 18683.1-83

Микросхемы интегральные цифровые. Методы измерения статистических электрических параметров

Digital integrated circuits. Methods for measuring static electrical parameters

Редакционная карточка ГОСТНОРМ. Полный текст публикуется только при подтверждённом праве использования. Метаданные сверяются по нескольким источникам.

Область применения

Область применения пока не подтверждена.

1

Страница 1

УДК 621.3.019.77.083:006.354 Групаа 929
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ЦИФРОВЫЕ ГОСТ 18683.1—83

Merona измерения статических a
электрических параметров (СТ СЭВ 3197—81)

Digital integrated реше, ни
Methods for measuring static TOCT 18683—76
electrical parameters (в части пп. 3.1—3.10)

ОКП 62 3100

Постановлением Государственного комитета CCCP по стандартам от [1 апреля
1983 г. № 1688 срок введения установлен
© 01.01.84
Провереи в 1958 г. Постановленнем Госстандарта CCCP от 28.06.88 № 2432
срок действия продлен
до 01.01.94

Настоящий стандарт распространяется на инфровые нятеграль-
ные микросхемы (далее — микросхемы) и устанавливает методы
измерения статических электрических параметров микросхем.

Общие требования при измерении и требования безопаснос-
тн — по ГОСТ 18683,0—83.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 3197—81 в части измерения
статических электрических параметров микросхем (см. приложе-
ние).

1. ИЗМЕРЕНИЕ ТОКА ПОТРЕБЛЕНИЯ, ТОКА ПОТРЕБЛЕНИЯ
ПРИ ВЫСОКОМ УРОВНЕ ВЫХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ
И ТОКА ПОТРЕБЛЕНИЯ ПРИ НИЗКОМ УРОВНЕ
ВЫХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ

1.1. Измерения следует проводить на измерительной установ-
е, электрическая структурная схема которой приведена на черт. 1.

1.2. Подготовка к измерениям

1.2.1. Подготавливают измерительную установку к работе.

1.2.2. Подключают микросхему к измерительной установке.

1.3. п pORe Acie измерений

1.3.1. На микросхему подают напряжение питания от источни-
ка G2 и входные напряжения от источника С/, значения которых

Издание официальное
*

Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен,
тиражирован и распространен без разрешения Госстандарта CCCP

2

Страница 2

ГОСТ 18683.1—83 С. 2

установлены в стандартах или ТУ на микросхемы конкретных

типов.

GI, 02 — источинки  постоявиото  па-
пряжения; PA — жумеритель постояниого:

‘тока; D = ‹росхема
Ge tpn |

Примечание. Допускается к выходу микросхемы при измерения под-
ключать нагрузку.

1.3.2. Измеряют ток измерителем РА.

1.4. Показатели точности измерения

1.4.1. Погрешность измерения тока потребления, тока потреб-
ления при высоком уровне выходного напряжения и тока потреб-
ления при низком уровне выходного напряжения должна быть в
пределах +5 % и соответствовать установленной в стандартах
или ТУ на микросхемы конкретных типов.

1.4.2. Доверительную вероятность погрешности измерения вы-
бирают из ряда: 0,950; 0,990; 0,997.

Конкретное значение доверительной вероятности устанавлива-
ют в стандартах или ТУ на микросхемы конкретных типов.

- 143, Границы интервала погрешности измерения тока лотреб-
ления (тока потребления при высоком уровне выходного напря-
жения, тока потребления при низком уровне выходного напряжеч
ния) &, определяют по формуле

[8 \*
(+=) +
ры

+$ (aie) + (+). [о

где а, — относительный коэффициент влияния напряжения пита-
ния на I-M выводе питания на измеряемый параметр;
а; — относительный коэффициент влняння входного напря-
жения на /-м входе на измеряемый параметр;
а, — относительный коэффициент влияния параметра нагруз-
ки на измеряемый параметр;

3

Страница 3

С. 3 ГОСТ 18683.1—83

Qy — относительный коэффициент влияния температуры окру-
жающей среды или температуры в заданной точке на кор-
пусе (теплоотводе) микросхемы на измеряемый параметр;

$; — относительная погрешность установления н поддержа-
ния напряжения питания на {-м выводе питания;

$, — относительная погрешность установления и поддержа-
ция входного напряжения на /-м входе;

$, — относительная погрешность установления и поддержа-
ния параметра нагрузки на &-м выходе;

Spa — относительная погрешность измерителя постоянного TO-
ка;

$г — относительная погрешность установления и поддержа-
ния температуры окружающей среды или температуры в
заданной точке на корпусе (теплоотводе) микросхемы;

К, K,, Ky, Ke, Kea, Кл — коэффициенты, зависящие от за-
кона распределения соответствующей погрешности 6, 6, бу, бь
Opa, Sr и доверительной вероятности;

— число выводов питания;
т — число входов;
п — число выходов.

2. ИЗМЕРЕНИЕ ВХОДНОГО ТОКА НИЗКОГО УРОВНЯ
И ВХОДНОГО ТОКА ВЫСОКОГО УРОВНЯ

2.1. Измерения следует проводить на измерительной установ-
ке, электрическая структурная схема которой приведена на черт. 2.

[2
61. G2, 03 — истояникя noctosamoco нап»

ряжения; РА — измеритель постоянного 19-
ка, D— микроскема
Е. | Черт. 2

2.2. Подготовка к измерениям — по и. 1.2.

2.3. Проведение измерений

2.3.1. На микросхему подают напряжение питания от источии-
ка 62, входное напряжение на проверяемый вход от источни-
ка (1 и входные напряжения на все другие входы от источни-
xa G3, значения которых установлены в стандартах или ТУ на
микросхемы конкретных типов,

6

4

Страница 4

ГОСТ 18683.1—83 С. 4

2.3.2. Измеряют ток измерителем РА.

24. Показатели точности измерения

24.1. Погрешность измерения входного тока низкого уровня
и входного тока высокого уровня должна быть в пределах +5 %
и соответствовать установленной в стандартах или ТУ на микро-
схемы конкретных типов.

24.2. Доверительная вероятность погрешности измерения — по
п. 1

24.3. Границы интервала погрешности измерения входного то-
ка низкого уровня (входного тока высокого уровня) &; опреде-
ляют по формуле

y+ Bae) +Ble B+ (ae)

где обозначения — см. формулу (1).

Bye iK

3. ИЗМЕРЕНИЕ НАПРЯЖЕНИЯ БЛОКИРОВКИ

3.1. Измерения следует проводить на измерительной установ-
ке, электрическая структурная схема которой приведена на черт. 3.

Ромео noctomitara wanes
ния; OF — ратор постоянного
61.` 63 — ночники BOCTORKEOFO sang:
жения; D— микроскемя
Черт. 3

3.2. Подготовка к измерениям — по п. 1.2,

3.3. Проведение измерений

3.3.1. На микросхему подают напряжение питания от источни-
ка G3, входные напряжения на все входы, кроме проверяемого,
от источника G2, значения которых установлены в стандартах
nan ТУ на микросхемы конкретных типов и нагружают проверяе-
мый вход током, значение которого установлено в стандартах нли
ТУ на микросхемы конкретных типов.

3.3.2. Измеряют напряжение измерителем РУ.

ЗА. Показатели точности измерения

3.41. Погрешность измерения напряжения блокировки долж-

№
Показаны первые 4 из 8

История статуса

Подтверждённых событий пока нет.