ГОСТ 18604.3-80

УДК 421.332.33.083:006.354                                           Группа Э29

                            Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й         С Т А Н Д А Р Т       С О Ю З А      ССР


                                         ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ                          ГОСТ
                                  Метод измерения емкостей коллекторного
                                         и эмиттер кого переходов
                                                                                      I8604.3—80*
                               Transistors bipolar. Method for measuring collector    (CT СЭВ 3999— 83)
                                            and emitter capacitances                         Взамен
                                                                                         ГОСТ 18604.3—73
                            ОКП 62 2312

                            Постановлением Государственного комитета СССР по           стандартам от 4 июля
                            1980 г. № 3392 срок действия установлен
                                                                                                    с 01.01.82
                                                                                                  до Qi>QW

                                           Несоблюдение стандарта преследуется по закону

                          Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзис­
                       торы и устанавливает метод измерения емкостей коллекторного
                       С к и эмиттерного С э переходов.
                          Общие требования при измерении должны соответствовать
                       ГОСТ 18604.0—83 и требованиям, изложенным в соответствующих
                       разделах настоящего стандарта.
                          Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 3999—83.
                          (Измененная редакция, Изм. № 1).
                                                 1. ПРИНЦИП И УСЛОВИЯ ИЗМЕРЕНИЯ
                       1.1. При измерении емкостей С к и С 9 используют метод ре­
                    зистивно-емкостного делителя, в котором измеряется падение на­
                    пряжения на токосъемном резисторе, пропорциональное измеряе­
                    мой емкости.
                       1.2. Частоту измерения, постоянное напряжение источника пи­
                    тания транзистора указывают в стандартах или технических усло­
                    виях на транзисторы конкретных типов (далее—стандартах).
                       Частоту измерения выбирают из ряда: 465 кГц, 5, 10, 30, 100,
                    300 МГц.
                       1.3. Измерения производят на малом переменном сигнале. Амп­
                    литуду сигнала считают достаточно малой, если при уменьшении
                    амплитуды сигнала генератора в два раза значение измеряемого
                      Издание официальное                                            Перепечатка воспрещена
                                  ★
                                         • Переиздание (декабрь 1985 г.) с Изменением № 1.
                                             утвержденным в апреле 1984 г. (ИУС 8—84).

                   36
инженерное проектирование

ГОСТ 18604.3—80   Стр. 2

параметра изменяется менее чем на значение погрешности измери­
тельной установки.

                           2. АППАРАТУРА

   2.1.    Емкость Ск следует измерять «а установке, структурная
электрическая схема «которой приведена на черт. 1. Емкость Сэ
измеряют по этой же схеме, при этом эмиттер и коллектор меняют
местами.
   Применяют схему измерения Ск , которая отличается от схемы
черт. 1 тем, что генератор сигналов G и электронный измеритель
напряжения Р меняют местами, п«ри этом токосъемный резистор
переносят в цепь коллектора.




                VT—измеряемый    транзистор; ZK—полное со­
              противление для развязки; Cl, С2—конденсато­
              ры; Р—электронный измеритель напряжения; R—
              токосъемный резистор; О—генератор сигналов;
                        PV—измеритель напряжения.
                                  Черт. 1

   2.2. Сопротивление токосъемного резистора выбирают из соот­
ношения

                             R<     10а>С *
где С — емкость измеряемого перехода;
    со — угловая частота измерения.
   В качестве токосъемного элемента может быть использовано
входное сопротивление электронного измерителя напряжения (да­
лее— прибора Р).
   2.3. Разделительную емкость конденсатора С1 выбирают из со­
отношения
                           1 ^ ЯвыхС
                           «С ,        Ю      ’
где Явыхс —выходное сопротивление генератора сигналов.
   Конденсатор С1 отсутствует в схеме черт. 1, если генератор G
имеет на выходе собственную разделительную емкость.
                                                                        37

Стр. 3   ГОСТ 18604.3—80

   2.4.   Выходное сопротивление генератора сигналов выбирают
из соотношения                   ^
                            *вых О <    ЮшСк
   2.5.   Емкость блокировочного конденсатора С2 выбирают из со
отношения
                         1 . 1*к 1 •
                             соС2       100
где Zk — полное сопротивление, предотвращающее замыкание ге­
        нератора сигналов через источник питания.
   В качестве Z к может быть попользован резистор, индуктив­
ность или резонансныйг контур, настроенный на частоту измере­
ния.
   2.6.   Активную составляющую полного сопротивления в цепи
коллектора Re (ZK ) выбирают из соотношения
                           Re(Z K ) <   ——^------ ,
                                        1иШКБО
где Uк —напряжение источника питания коллектора;
  / кбо — обратный ток коллектора*; указывают в стандартах.
    2.7. При измерении СВЧ транзисторов допускается:
   соединять вывод корпуса VT с корпусом схемы измерения (с
землей), если имеется изолированный корпусной вывод и ни один
из электродов транзистора не соединен с корпусом:
    применять прибор Р с входным сопротивлением, равным стан­
дартному волновому сопротивлению 50 или 75 Ом. При этом токо­
съемным элементом, с которого снимают напряжение, пропорцио­
нальное измеряемой емкости, является параллельное соединение
резистора R и входного сопротивления прибора Р;
    выбирать активную составляющую полного сопротивления
Re (ZK ), равную стандартному волновому сопротивлению 50 или
75 Ом;
    применять многопредельный прибор Р. При этом отсчет изме­
ряемой емкости производят с учетом коэффициента соответствую­
щего пересчета со шкалы, на которой проводилась калибровка, к
шкале, на которой проводилось измерение;
    в качестве токосъемного элемента использовать конденсатор,
значение емкости которого должно быть не меиее чем в 100 раз
больше емкости измеряемого перехода. При этом токосъемную
емкость шунтируют резистором, значение сопротивления которого
R ш выбирают из соотношения
                          ^КБО'Яш<<^к
    2.8. Уровень наводок прибора Р, вызванных пульсацией напря­
жения источника питания транзистора VT, а также внутренними
38

ГОСТ 18604.3—80   Стр. 4

и внешними наводка.ми в схеме при отсутствии измеряемого сиг­
нала, должен быть -не более 5 % шкалы для стрелочных измерите­
лей и не более 2 % «напряжения сигнала для измерителей с дис­
кретным отсчетом.
   2.9. Нестабильность чувствительности прибора Р, нестабиль­
ность амплитуды и частоты генератора G должны обеспечивать
постоянство калибровки с погрешностью =Ы0 % в течение часа
работы.
   2.10. В справочном приложении представлены примеры схем
измерения емкостей С и Сэ СВЧ транзисторов в соответствии
со схемой измерения черт. 1 и с учетом дополнительных требова­
ний п. 2.7.
   2.11. Емкость коллектор-эмиттер контактодержателя С^э дол­
жна удовлетворять условиям
                           с^э<о,озск
                  г
   Если емкость С кэ соизмерима с емкостью Ск , то вывод эмит­
тера в схеме черт. 1 должен заземляться через емкость не менее
200 пФ.
   Пример электрической схемы измерения представлен на
черт. 5 справочного приложения.
   Емкость коллектор-база контактодержателя должна        быть
С КБ       .

             3. ПОДГОТОВКА И ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЙ

   3.1. Перед измерением калибруют шкалу прибора Р, для чего
в схему черт. 1 вместо транзистора включают калибровочный кон­
денсатор Снл6 .
   Емкость конденсатора С кдб должна выбираться из соотноше­
ний:
                        Ck46=“ (0»5—3)СК ;
                                 —3)СЭ .
    Подбор емкости производят е погрешностью в пределах ± 2 %'
на любой частоте.
    Шкалу прибора Р считают откалиброванной, если показание
его соответствует значению С илб в пределах погрешности измере­
ния и стрелка при этом отклоняется не менее чем на 30 % шка­
лы.
    3.2. В схему измерения включают измеряемый транзистор. З а­
дают режим по постоянному току, указанный в стандартах. По
шкале прибора Р отсчитывают показания измеряемой емкости.
   3.3. При измерении емкостей, равных или менее 1 пФ калибров­
ку проводят измерением напряжения с помощью прибора Р, под­
ключенного через аттенюатор с необходимым ослаблением, при
                                                                   з9