Проверяемый статус документов Полнотекстовый поиск Доступ без регистрации

Карточка нормативного документа

ГОСТ 18604.27-86

Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (коллектора)

Просмотреть PDF
Статус не подтверждённа 11.09.2026Перед применением сверяйтесь с официальным источником
Удобное чтениеАбзацы и заголовки без PDF-разрывов

Межгосударственный стандарт

ГОСТ 18604.27-86

Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (коллектора)

Power high-voltage bipolar transistors. Collector-base (emitter-base) breakdown voltage measurement at emitter (collector) cut-off current

Редакционная карточка ГОСТНОРМ. Полный текст публикуется только при подтверждённом праве использования. Метаданные сверяются по нескольким источникам.

Область применения

Область применения пока не подтверждена.

1

Страница 1

Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й   С Т А Н Д А Р Т
                                              С О Ю З А    ССР




                                ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ
                                МОЩНЫЕ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ
                                 МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ПРОБИВНОГО НАПРЯЖЕНИЯ
                                КОЛЛЕКТОР-БАЗА (ЭМИТТЕР-БАЗА) ПРИ НУЛЕВОМ
                                       ТОКЕ ЭМИТТЕРА (КОЛЛЕКТОРА)

                                            ГОСТ 18604.27-86

                                              Издание официальное
Ц ена 3 коп.




                                   ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ
                                                    Москве


               V
               воротник цена

2

Страница 2

УДК 621.382.33:004.JS4                                           Груши Э29

Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й        С Т А Н Д А Р Т     С О Ю З А     С С Р

             ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ
             МОЩНЫЕ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ
      Метод измерения пробивного напряжения
      ног лектор-база (зммттср база) при нулеаом             ГОСТ
              токе эмиттера (коллектора]
         Power high-voltage bipolar transistors.       18604.27-86
  Collector-base (emitter-base) breakdown voltage
  measurement at emitter (collector) cut-off current
ОКП 62 2300

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 2J апреля
1986 г. Ns 1124 срок дейстямя установлен
                                                                с 01.ОМУ
                                                                  . да 01.8Г.М-
                Несоблюдемие стандарта преследуется по закону     u ty t /А -

   Настоящкй стандарт распространяется на - мощные высоко­
вольтные биполярные транзисторы и устанавливает метод измере­
ния пробивного напряжения коллектор-база ^ к Б 0 ОГов и эмиттер-
база UзБОарог с использованием источника напряжения.
   Допускается измерение пробивного напряжения с использова­
нием генератора тока. Данный метод приведен в рекомендуемом
приложении.
   Общие требования при измерении и требования безопасности —
по ГОСТ 18604.0—83.
   Стандарт полностью соответствует Публикации МЭК 147—2С
и СТ СЭВ 3994-83.

                         1. УСЛОВИЯ И РЕЖИМ ИЗМЕРЕНИЯ

   1.1.   Параметр ^гкБОГГ"в <>пРеДеляют измерением падения нап­
ряжения на переходе коллектор-база проверяемого транзистора
при заданном обратном токе коллектора / кьо   и тохс эмиттера,
равном нулю.
   Параметр 6'ЭБОорсв определяют измерением падения напря­
жения на переходе эмиттер-база проверяемого транзистора при
заданном обратном токе эмиттера ! ьъо и токе коллектора, рав­
ном нулю.

Издание официальное                                    Перепечатка воспрещена

         ★
                                        © Издательство стандартов, 1986

3

Страница 3

Стр. 2 ГОСТ 18604.27—$6


     1-2. Значение обратного тока коллектора /кво или эмиттера
h b o • при котором проводят измерение пробивного напряжения,
должно соответствовать установленному в стандартах или техничес­
ких условиях на транзисторы конкретных типов.

                                 2. АППАРАТУРА

   2.1.    Параметр U кБОир<,в следует измерять на установке, элект­
рическая структурная схема которой приведена на чертеже- Пара­
метр ^эБО,р0а следует измерять на той же установке, подключае­
мой к выводам эмиттер-база, при отключенном коллекторе.




                    V T — ncobvpstMUA транзистор; 3 ■- >уиг-
                    тср; К — коллектор; И — в а м ; РА — из­
                    меритель постоянного ток»; Н — ограни­
                    чительный     р о и ст р р ; P V — итнерлтель
                    постоянного напряжения; G — источник
                             постояикого хилрхжелнл


   2.2. Внутреннее сопротивление RPA измерителя постоянного то­
ка РА должно удовлетворить соотношению:
                                             Jnpo6
                             R p a <<~ 7 —           ■              О)
                                        50 / КБО

                                            УЭБОпроб
                           ИЛИ                                      ( 2)
                                             50 / ЭБО

   Если это условие не может быть выполнено, то следует учиты­
вать падение напряжения на измерителе постоянного тока, как ука­
зано в формуле
                 ^ кв°ор-л (или ^ ЭБОПр.!б)’=‘ Upv— Upa ,   (3)
где ifру - - напряжение на измерителе постоянного напряжения PV,
    Upa — падение напряжения на измерителе постоянного тока
             РА.

4

Страница 4

ГОСТ 11604.27—М Стр. 3


   2.3. Внутреннее сопротивление Rpv измерителя постоянного
напряжения должно удовлетворять соотношению:
                           Я р е» /?.                  (4)
   2.4. Сопротивление ограничительного резистора R может быть
постоянным или переменным, и его выбирают из условия защиты
проверяемого транзистора и измерителя постоянного тока РА от пе­
регрузки по току.
   2 5. Погрешность измерителя постоянного тока РА не должна
выходить за пределы ± 2% .
   2.6. Основная погрешность измерительной установки не должна
выходить за пределы ± 5 % конечного значения предела измерения
измерителей со стрелочным отсчетом.
   Основная погрешность измерительной установки с цифровым от­
счетом не должна выходить за пределы ± 5 % измеряемого значе­
ния ± 2 знака младшего разряда дискретного отсчета.
   2.7. Погрешность измерителя постоянного напряжения не долж­
на выходить за пределы ± 2 %.
             3. ПОДГОТОВКА И ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЯ

   3.1. Проверяемый транзистор устанавливают в контактодержа-
тель установки.
   3.2 Напряжение на источнике постоянного напряжения G увели­
чивают постепенно со скоростью не более 50 В/с до тех пор, пока
обратный ток коллектора (эмиттера) не достигнет значения, ука­
занного в стандартах или технических условиях на транзисторы
конкретных типов.
   3.3. Значение пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-
база) считывают на измерителе постоянного напряжения.

               4. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ

   4.1. Показатели точности измерения пробивного напряжения
должны соответствовать установленным в стандартах или техниче­
ских условиях на транзисторы конкретных типов.
   Граница интервала б, в котором с установленной вероятностью
0,95 находится погрешность измерения, определяют по формуле

                  ->.»!/ Ш           Ш      -              (5)
где bV — погрешность измерителя напряжения;
     6 / — погрешность измерителя тока;
     а — коэффициент влияния тока на напряжение.
Показаны первые 4 из 7

История статуса

Подтверждённых событий пока нет.