Межгосударственный стандарт
ГОСТ 18604.1-80
Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
Transistors bipolar. Method for measuring collector-tobase time constant at high frequencies
Редакционная карточка ГОСТНОРМ. Полный текст публикуется только при подтверждённом праве использования. Метаданные сверяются по нескольким источникам.
Область применения
Область применения пока не подтверждена.
1
Страница 1
УДИ 621.382.33.083:006.354 Группа Э29
Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й С Т А Н Д А Р Т С О Ю З А С С Р
ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ ГОСТ
Метод измерения постоянной времени цепи
1 8 6 0 4 .1 -8 0 *
обратной связи ив высокой частоте
Transistors bipolar. Method lor measuring |CT СЭВ 3993—83f
collcctor-tobasc time constant at high frequencies.
Взамен
ГОСТ 18604.1-73
ОКП 63 2312
Постановлением Государственного комитета С СС Р по стандартам от 4 июпя
1980 г. Ms 3392 срок действия установлен
с 01.01.82
до 013)1.87
Несоблюдение стандарте преследуема по закону
Настоящий стандарт распространяется на биполярные тран
зисторы и устанавливает метод измерения постоянной времени
цепи обратной связи на высокой частоте т , (далее— постоянной
времени).
Общие требования при измерении должны соответствовать
ГОСТ 18604.0—83 и требованиям, изложенным в соответствующих
разделах настоящего стандарта.
Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 3993—83.
(Измененная редакция, Изм. № 1).
1. ПРИНЦИП И УСЛОВИЯ ИЗМЕРЕНИЯ
1.1. Постоянную времени т к определяют измерением модуля
коэффициента обратной связи по напряжению |h | в режиме
малого сигнала на высокой частоте исходя из соотношения
где / — частота, на которой измеряют \h iii |.
1.2. Частоту измерений / выбирают из ряда: 5, 10, 30. 100.
300 МГц; ома должна удовлетворять соотношению
Издание официальное Перепечатка ао:прс 1цсма
•к
• Переиздание (декабрь 1985 г.) с Изменением М I,
утвержденным о апреле 1984 г. (НУС 8—84).
7
магазин тканей кружево2
Страница 2
Стр. 2 ГОСТ 18604.1—80
где (h\2б)нч — значение параметра hl26 , измеряемое на низкой
частоте;
Lg — конструктивная (Паразитная индуктивность базо
вого вывода ксштактодержателя, значение кото
рой обеспечивается конструкцией узла;
Lb — индуктивность базового вывода транзистора;
Ск — емкость коллекторного перехода транзистора.
Значения L b и С к указывают ib стандартах или технических
условиях на транзисторы конкретных типов (далее - - стандар
тах).
1.3. Измерения производят на малом переменном сигнале при
температуре окружающей среды в пределах (25+10) °С. Ампли
туду сигнала считают достаточно малой, если при уменьшении
амплитуды сигнала генератора в два раза значение измеряемого
•параметра изменяется менее чем на значение погрешности изме
рительной установки.
(Измененная редакция, Изм. № 1).
1.4. На транзистор в схеме с общей базой задают режим от ис
точника постоянного тока эмиттера и от источника постоянного
напряжения коллектор-база, который должен соответствовать ука
занному в стандартах.
2. АППАРАТУРА
2.1. Постоянную времени следует измерять на установке, элект
рическая структурная схема которой приведена на черт. 1.
Р —электронный индикатор напряжения; X X — схема, обе
спечивающая условия холостого хода (схема X X ) ; V T —
измеряемый транзистор; Г Н —схема, обеспечивающая ус
ловия генератора напряжения высокой частоты (схема
ГН); G —генератор сигналов; СВ—блок питания тран
зистора.
Ч ер т. 1
2.2. При измерении низкочастотных (НЧ) транзисторов в каче
стве схемы XX используют генератор тока, сопротивление которо
го (омическое в цепи эмиттера или внутреннее сопротивление ис
точника питания эмиттера) должно в 100 и более раз превосхо-
83
Страница 3
ГОСТ 1М04.1— #0 Cip. 1
лить входное сопротивление измеряемого транзистора как на по
стоянном токе, так и на частоте измерения.
Пример электрической схемы для измерения тк НЧ транзи
сторов приведен на черт. 1 справочного приложения.
2.3. При измерении тк высокочастотных и сзерхвысохочэстот-
иых (ВЧ и СВЧ) транзисторов расчетная проводимость Y хл , сос
тоящая из действительной части проводимости па зажимах эмит
тер-база Re (У ,., и модуля мнимой части проводимости на зажи
мах эмиттер-база | / „ (У'х.х ) | должна удовлетворять условиям:
R e tfr ^ X ° 'ткт ;
ЛГ1 при измерении
i/m(Kx.0l *'*кт ;
Д'+ -TJ— i
при калибровке с помощью
и к .л Х - ^ 7 : 1
эквивалентной цепочки
где Лг — сопротивление в цепи эмиттера транзистора, указывае
мое в стандартах. Если типовое значение Аг составля
ет менее 30 % типового значения г л , то Аг можно ;>е
учитывать:
^ - 2 ( М 0 “3В при Т 300К;
/ э - - постоянный ток эмиттера;
/?„„ — сопротивление резистора эквивалентной цепочки, вы
бирают с погрешностью ± 1 %.
Примеры электрических схем XX для измерения тк ВЧ и СВЧ
транзисторов приведены на черт. 2—4 справочного приложения.
(Измененная редакция, Изм. .N6 1).
2.4. Электронный индикатор напряжения Р (далее — прибор
Р) измеряет напряжение, пропорциональное напряжению холо
стого хода на зажимах эмиггер-база транзистора. Чувствитель
ность прибора или выходное напряжение генератора высокой ча
стоты должны быть отрегулированы таким образом, чтобы показа
ния прибора Р при калибровке численно соответствовали значе
нию постоянной времени эквивалентной цепочки. При калибровке
установки по эталонному аттенюатору показания прибора Р долж
ны соответствовать его ослаблению а.’
Нестабильность чувствительности прибора Р должна быть та
кой, чтобы обеспечивалось постоянство калибровки с погрешнос
тью не более ± 1 0 % в течение часа работы.
94
Страница 4
Ctp. 4 ГОСТ 16604.1— 80
При применении многопредельного электронного индикатора
напряжения отсчет постоянной времени производят с учетом ко
эффициента. соответствующего переходу со шкалы, где производи
ли калибровку, 'К шкале, на которой производили измерение
Входное сопротивление прибора Я при измерении тк НЧ тран
зисторов Должно превышать входное сопротивление транзистора
более чем в 100 раз. 1
Входное сопротивление прибора Р при измерении тк ВЧ и СВЧ
транзисторов выбирают таким образом, чтобы обеспечивалось ус
ловие для расчетной проводимости на зажимах змиттер-
измеряемого транзистора, приведенное в п. 2.3.
Отклонение от линейной характеристики прибора Я не должно
превышать ± 1 0 % в интервале 3 0 - 100 % шкалы.
•Уровень наводок прибора Я, вызнанных пульсацией напряже
ния источников питания измеряемого транзистора, а также внут
ренними и внешними наводками в схеме при отсутствии измеряе
мого сигнала, должен быть не более 5 % шкалы.
При контроле допускаемого значения наводки в зажимы эмит
тер-база вставляют резистор с сопротивлением, равным
2.о. Блок питания транзистора GB обеспечивает заданный ре
жим транзистора при измерении. Коэффициент пульсации выход
ного напряжения источника питания не должен превышать 5% .
ьлок и а должен обеспечивать задание постоянного тока внут
реннее сопротивление которого не менее чем в 100 раз превышает
входное сопротивление транзистора по постянному току при из
мерении маломощных транзисторов и не менее чем в 10 раз —
при измерении мощных транзисторов.
Постоянное напряжение на коллектор U задают от источника
напряжения, внутреннее сопротивление которого должно быть
меньше при измерении тк маломощных транзисторов и
'к
С/к
меньше — при измерении мощных транзисторов, где
К
/к постоянный ток коллектора, значение которого указывают в
С Т 3 1 Ц З |)Т З Х .
г В качесгве генератора сигналов G используется любой
генератор сигналов, обеспечивающий постоянство калиброохи с
гогрщнностью, в пределах ± 1 0 % в течение часа работы.
2.7. Схема ГН должна иметь низкое выходное сопротивление
7. гя на зажимах коллектор-база измеряемого транзистора.
Тив? Г ”ЗМеРеНИИ тк ВЧ И СВЧ т р а к т о р о в выходное сопро-
Ж Т° Ра ™™а\,йв выбирают равным волновому сон-
ротивлению (50 или 75 Ом) линии, подводящей сигнал от генера-
юПоказаны первые 4 из 14
История статуса
Подтверждённых событий пока нет.